鄭直

摘要：本文設(shè)計(jì)了一款低功耗放大器，整個(gè)放大器分為差分輸入級(jí)、中間增益級(jí)、緩沖輸出級(jí)以及偏置電路四部分。采用SOI工藝制作，提高了放大器的抗輻照能力。經(jīng)流片測試，靜態(tài)電源電流為0.8mA，輸入失調(diào)電壓為-0.9mV，輸入失調(diào)電流為0.9nA。

【關(guān)鍵詞】放大器 低功耗 抗輻照 SOI工藝

隨著個(gè)人通訊的迅速發(fā)展，尤其是筆記本電腦、移動(dòng)通信等便攜式設(shè)計(jì)的廣泛使用，低功耗成為電子產(chǎn)品，尤其是便攜式電子產(chǎn)品的主要競爭指標(biāo)。運(yùn)算放大器作為集成電路中最基本單元，其性能高低往往決定整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)。

另一方而，當(dāng)今軍事的競爭日趨激烈，集成電路在軍事中也得到了越來越多的應(yīng)用。軍事領(lǐng)域中惡劣環(huán)境對(duì)集成電路提出了嚴(yán)苛的要求。在外太空以及核爆炸等惡劣環(huán)境下產(chǎn)生的輻照對(duì)集成電路有顯著的影響，導(dǎo)致集成電路的性能嚴(yán)重下降甚至功能喪失。如何提高集成電路以及其核心單元運(yùn)算放大器的抗輻照能力，成為了迫切的需要。

本文設(shè)計(jì)的低功耗放大器，放大部分分為差分輸入級(jí)、中問增益級(jí)、緩沖輸出級(jí)三個(gè)部分，偏置電路為整個(gè)系統(tǒng)提供偏置。通過線路與版圖的優(yōu)化設(shè)計(jì)，降低了放大器的功耗。采用SOI工藝，有效的提高了抗輻照能力。

1 電路設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)的低功耗放大器從功能上可以劃分為差分輸入級(jí)、中問增益級(jí)、緩沖輸出級(jí)以及偏置電路四部分。外部微弱信號(hào)經(jīng)差分輸入級(jí)進(jìn)行初級(jí)放大，放大后的信號(hào)經(jīng)過中問增益級(jí)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換以及進(jìn)一步增大，最終放大后的信號(hào)經(jīng)過緩沖輸出級(jí)進(jìn)行互補(bǔ)推挽輸出。

圖1為低功耗放大器結(jié)構(gòu)原理圖，其中Q2與Q3組成輸入級(jí)差分對(duì)，在提供增益的同時(shí)提高共模抑制比，降低輸入級(jí)失調(diào)電壓。Ql0、Q11作用為跟隨器，提供了良好的輸入信號(hào)隔離。012為中問放大級(jí)，對(duì)初級(jí)放大信號(hào)進(jìn)行進(jìn)一步放大，增益可達(dá)60dB。其支路上的電流源為增益級(jí)提供偏置電流，并可作為Q12的負(fù)載，以得到盡量高的負(fù)載電阻，從而提高電壓增益。Q6、Q13作為推挽互補(bǔ)輸出。Q7與R_sc提供過流保護(hù)，可以在輸出電流過大時(shí)導(dǎo)通，保護(hù)輸出管不被燒毀。C_c為米勒電容，改善放大器的相位裕度。采用上述結(jié)構(gòu)，通過線路及版圖優(yōu)化，可獲得較低的功耗。

2 放大器電路的抗輻照設(shè)計(jì)

2.1 輻照對(duì)雙極晶體管的影響

雙極晶體管性能與非平衡少數(shù)載流子相關(guān)密切。輻照縮短少數(shù)載流子壽命，影響雙極器件特性，使得二極管正向壓降增大?？倓┝枯椪赵陔p極晶體管Si/Si0₂界而引起正電荷建立界而杰，使表而勢位增加，引起復(fù)合增加。平而雙極晶體管電離輻照的主要特征是增益下降。有實(shí)驗(yàn)證明因Si/SiO₂界而性能退化而使器件失效的總劑量約為體內(nèi)位移損傷引起的失效總劑量的1/50。

2.2 SOI工藝對(duì)抗輻照的提升

SOI工藝采用介質(zhì)隔離，與體硅技術(shù)相比具有寄生電容小、無閉鎖、抗輻照等一系列優(yōu)勢。在SOI工藝中，源/漏端的PN結(jié)僅對(duì)應(yīng)而向溝道的一個(gè)而，源/漏端與下方埋氧層都比較厚，因此SOI器件的寄生電容遠(yuǎn)小于體硅器件的。

與體硅工藝相比，SOI工藝集成電路的抗輻照性能優(yōu)勢主要體現(xiàn)在抗瞬態(tài)與抗單粒子方而。而在抗總劑量方而，由于SOI工藝是全介質(zhì)隔離，可采用與雙極工藝不同的器件來進(jìn)行設(shè)計(jì)，避開對(duì)總劑量敏感的器件。從而提高電路抗總劑量能力。

3 電路仿真值及實(shí)測值

本文設(shè)計(jì)的低功耗放大器主要參數(shù)的仿真值如下：

電源電流為1.2mA，開環(huán)增益為99dB，輸入失調(diào)電壓為O.OlmV，輸入失調(diào)電流為O.lnA，共模抑制比為76dB。滿足設(shè)計(jì)目標(biāo)，并留有一定裕量。

對(duì)比雙極工藝制造的低功耗放大器，采用SOI工藝設(shè)計(jì)的放大器，經(jīng)過線路優(yōu)化以及器件的適當(dāng)選擇，在抗總劑量方而有了明顯的提升。最終經(jīng)過流片，低功耗運(yùn)算放大器電路的測試值為輸入失調(diào)電壓-0.9mV，輸入失調(diào)電流0.9nA，共模抑制比為84.8dB，靜態(tài)電源電流為0.8mA，與仿真值接近，滿足設(shè)計(jì)目標(biāo)值。

4 結(jié)論

本文介紹了一種低功耗放大器結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，其輸入級(jí)采用電壓增益結(jié)構(gòu)，可大幅提高輸入信號(hào)初級(jí)增益，中問級(jí)采用電壓增益結(jié)構(gòu)，對(duì)電路進(jìn)行進(jìn)一步放大，輸出級(jí)使用電壓跟隨結(jié)構(gòu)，可大幅提高電路電流驅(qū)動(dòng)能力。該放大器采用SOI工藝，提高了抗輻照能力，可用于惡劣的軍事環(huán)境。

參考文獻(xiàn)

[1] zheng zhi， Non-depletion floating layer in SOl LDMOS for enhancing breakdown voltage and eliminating back-gate bias effect， Chin. Phys.B Vol. 22， No.4 （2013） 047701.

[2]Wei Li，Zhi Zheng， A novel P-channel SOI LDMOS structure with non- depletion potential-clamped layer， 017701.

[3]易清明，低功耗CMOS集成運(yùn)算放大器的研究與設(shè)計(jì)[J].微電子學(xué)，Vol. 37， No.3， Jun， 2007.

[4]趙源，抗輻射模擬CMOS集成電路研究與設(shè)計(jì)[J]，中國空間科學(xué)技術(shù)，2013 （03）.endprint