【摘 要】閃存是斷電后數(shù)據(jù)仍然存在的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛用于計(jì)算機(jī)、通信、汽車(chē)和消費(fèi)類(lèi)電子工業(yè)中。靈敏放大器是閃存中的關(guān)鍵電路，它的性能直接影響著閃存的讀取速度。本文針對(duì)閃存中的靈敏放大器結(jié)構(gòu)作簡(jiǎn)單陳述。

【關(guān)鍵詞】非易失性存儲(chǔ)器；閃存；靈敏放大器；半導(dǎo)體

中圖分類(lèi)號(hào)： TN722 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 2095-2457（2017）29-0071-002

【Abstract】Flash is a semiconductor memory with data still present after power-off. It is widely used in computer， communications， automotive and consumer electronics industries. Sensitive amplifier is the key circuit in flash memory， its performance directly affects the flash memory read speed. This article makes a simple statement about the structure of the sense amplifier in flash memory.

【Key words】Non-volatile memory；Flash memory；Sensitive amplifier；Semiconductor

0 引言

隨著集成電路和電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，閃存的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。靈敏放大器（Sense Amplifier，SA）作為閃存中最重要的外圍電路之一決定著存儲(chǔ)器的讀取速度。

閃存是通過(guò)浮柵上存儲(chǔ)電荷的機(jī)制來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息。SA通過(guò)感應(yīng)明確定義條件下的存儲(chǔ)單元的電流來(lái)讀出存儲(chǔ)器單元信息。在讀基準(zhǔn)條件下，一個(gè)編程的存儲(chǔ)單元因?yàn)橛懈叩拈撝惦妷?，所以抽取較小的電流；而擦除的存儲(chǔ)單元因?yàn)橛械偷拈撝惦妷海猿槿≥^大的電流。SA通常采用存儲(chǔ)單元電流和和基準(zhǔn)電流比較的方法來(lái)探測(cè)存儲(chǔ)單元信息的?；鶞?zhǔn)電流可以是由參考單元電流通過(guò)電流鏡鏡像得到，也可以通過(guò)其它的基準(zhǔn)電流源電路產(chǎn)生。根據(jù)讀電路中是否使用參考單元作比較，SA可以分為單端結(jié)構(gòu)[1]和差分結(jié)構(gòu)[2]。

1 單端結(jié)構(gòu)SA

單端結(jié)構(gòu)的SA基于反相器的方法，最早用于可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）來(lái)感應(yīng)存儲(chǔ)單元狀態(tài)的基本感應(yīng)方案。從這種結(jié)構(gòu)可以得出由浮柵結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)單元構(gòu)成的閃存SA的電路原理。

這種單端結(jié)構(gòu)靈敏放大器有三個(gè)嚴(yán)重缺點(diǎn)：

（1）充電電流IREF必須仔細(xì)設(shè)計(jì)，這樣，擦除的存儲(chǔ)單元能夠拉低反相器的輸出；同時(shí)IREF必須足夠大，以在很少的時(shí)間內(nèi)拉高反相器的輸出，進(jìn)而盡可能地縮減存取時(shí)間。

（2）在低的VDD下，存儲(chǔ)單元產(chǎn)生較小的電流，而擦除的存儲(chǔ)單元必須產(chǎn)生比負(fù)載多的電流，因此該結(jié)構(gòu)有著有限的操作電壓范圍。

（3）由于在高電源電壓下編程的存儲(chǔ)單元開(kāi)始導(dǎo)通電流，因此單端結(jié)構(gòu)靈敏放大器有著有限的高電源電壓VDD。

2 差分結(jié)構(gòu)SA

差分結(jié)構(gòu)的方法就是通過(guò)比較存儲(chǔ)單元和參考單元的電流來(lái)探測(cè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)。在差分結(jié)構(gòu)中，如果負(fù)載晶體管的傳導(dǎo)性有變化，這個(gè)影響是共模的，因此刪除了對(duì)負(fù)載的依賴性。根據(jù)兩個(gè)電流比較的方式，差分結(jié)構(gòu)靈敏放大器分為電壓模式SA和電流模式SA。

2.1 電壓模式的差分結(jié)構(gòu)SA

電壓模式差分結(jié)構(gòu)靈敏放大器是基于電流轉(zhuǎn)換成電壓以后的比較。典型的差分結(jié)構(gòu)的靈敏放大器是感應(yīng)結(jié)點(diǎn)在共源共柵晶體管漏端的差分結(jié)構(gòu)靈敏放大器，該結(jié)構(gòu)包括：位線電壓基準(zhǔn)電路；電流電壓轉(zhuǎn)換器；差分到單端轉(zhuǎn)換電路。位線電壓基準(zhǔn)電路由反相器和共源共柵晶體管構(gòu)成，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)單元所在位線的電壓預(yù)充和基準(zhǔn)功能。同樣，位線電壓基準(zhǔn)電路由反相器和共源共柵晶體管構(gòu)成負(fù)責(zé)參考單元所在位線的電壓預(yù)充和基準(zhǔn)功能。存儲(chǔ)單元分支端電流電壓轉(zhuǎn)換器由二級(jí)管連接的PMOS晶體管構(gòu)成，負(fù)責(zé)把存儲(chǔ)單元電流轉(zhuǎn)換成電壓；同樣，參考單元分支端電流電壓轉(zhuǎn)換器由二極管連接的PMOS晶體管構(gòu)成負(fù)責(zé)把參考單元電流轉(zhuǎn)換成電壓。輸出電路由差分電壓放大器構(gòu)成負(fù)責(zé)把由電流電壓轉(zhuǎn)換器和轉(zhuǎn)換的電壓和翻譯成數(shù)字形式。通常的不對(duì)稱方案是減小參考單元分支的負(fù)載，這樣不僅達(dá)到區(qū)分存儲(chǔ)單元信息的目的，而且增加了預(yù)充階段的預(yù)充電流，進(jìn)而縮短讀取時(shí)間。

為了減少SA的延遲，一種基于鎖存型放大器的電壓模式差分結(jié)構(gòu)靈敏放大器被提出。鎖存型放大器因其增益高速度快，通常被應(yīng)用到速度要求高的領(lǐng)域中。鎖存型放大器采用一對(duì)交叉耦合的CMOS反相器作為一級(jí)靈敏放大單元，感應(yīng)結(jié)點(diǎn)輸入和輸出合二為一。但鎖存型放大器的高靈敏度特性需要有精確的時(shí)序與之相匹配，故常用在同步閃存或高性能的嵌入式閃存之中。另外，該結(jié)構(gòu)使用同等技術(shù)，減少了感應(yīng)結(jié)點(diǎn)電容的充放電時(shí)間，從而也加快了讀取速度。

為了降低所需的最低工作電壓，一種直接感應(yīng)位線電壓的電壓模式差分結(jié)構(gòu)靈敏放大器被提出。這種結(jié)構(gòu)去除了二極管連接的MOS管的使用，感應(yīng)結(jié)點(diǎn)從共柵晶體管的漏端移到它們的源端，直接感應(yīng)位線電壓變化，這樣，使需要的最低工作電壓減少一個(gè)閾值電壓值。輸出級(jí)動(dòng)態(tài)放大器使用兩級(jí)的運(yùn)算放大器，其放大因子與上述兩個(gè)電壓模式結(jié)構(gòu)中的輸出放大級(jí)一樣大。

2.2 電流模式的差分結(jié)構(gòu)SA

電流模式的差分結(jié)構(gòu)SA是基于存儲(chǔ)單元電流和一定比例的參考單元電流的直接比較，然后電流差產(chǎn)生的電壓與反相器的開(kāi)關(guān)電壓相比較產(chǎn)生輸出或者由差分輸出級(jí)比較電流差產(chǎn)生的電壓和基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生輸出信號(hào)?；鶞?zhǔn)電壓可由參考單元分支產(chǎn)生，也可以由其他方式產(chǎn)生。由于電流源和電流漏作為負(fù)載時(shí)有著高的輸入阻抗，結(jié)果使感應(yīng)結(jié)點(diǎn)有大的輸出擺幅，這樣不僅縮減了感應(yīng)時(shí)間，還提高了感應(yīng)靈敏度。endprint

典型結(jié)構(gòu)是基于電流鏡的電流模式差分結(jié)構(gòu)SA，該結(jié)構(gòu)縮減了電路功耗和器件間的失配。在該結(jié)構(gòu)里，參考單元電流經(jīng)過(guò)電流鏡按比例鏡像到差分結(jié)點(diǎn)，并對(duì)該結(jié)點(diǎn)電容充電，而存儲(chǔ)單元電流不需電流鏡抽取，直接對(duì)差分結(jié)點(diǎn)電容放電，然后形成的差分結(jié)點(diǎn)電壓與基準(zhǔn)電壓由差分比較器比較輸出。這種結(jié)構(gòu)在一定的電壓下能夠很好的工作，但是由于參考單元分支上二極管連接的MOS管的使用，使得該結(jié)構(gòu)最低工作電壓為1.4V。

2.3 低壓電流模式SA

前述SA的參考單元所在分支電路上的構(gòu)成電流鏡的MOS管由于使用二極管連接，使靈敏放大器電路不適合在低壓下操作。一種靈敏放大器結(jié)構(gòu)[3]采用柵漏分離的電流鏡，使得參考單元分支上構(gòu)成電流鏡的MOS管的漏源電壓不包含閾值電壓，從而縮減了靈敏放大器的最低操作電源電壓。

在基于柵漏分離MOS管電流鏡的電流模式SA結(jié)構(gòu)中。NMOS管的源極和柵極分別與PMOS管的柵極和漏極相連接，這樣使PMOS管工作在飽和區(qū)，從而使得兩個(gè)負(fù)載管形成電流鏡，以把參考單元電流的一部分電流鏡像到差分結(jié)點(diǎn)與存儲(chǔ)單元電流比較。形成的電壓差于基準(zhǔn)電壓通過(guò)動(dòng)態(tài)比較器進(jìn)行比較輸出，產(chǎn)生輸出信號(hào)。

該SA結(jié)構(gòu)相比較傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)有很多優(yōu)點(diǎn)，首先，它能工作在1V的低壓，并且功耗較??；其次，與傳統(tǒng)的靈敏放大器結(jié)構(gòu)相比較，它有較短的讀取時(shí)間。

3 結(jié)論

基于上述靈敏放大器結(jié)構(gòu)研究，電流模式的靈敏放大器相比較電壓模式結(jié)構(gòu)的靈敏放大器有著不同的工作方式，而且前者有更快的讀取速度和更高的讀取精度。隨著閃存的多值技術(shù)和低壓工作需求的發(fā)展，將會(huì)對(duì)靈敏放大器提出更高的要求。

【參考文獻(xiàn)】

[1]Conte A，Lo Giudice G，Palumbo G，Signorello A.A 1.35V sense amplifier for non volatile memories based on current mode approach[C].Solid-State Circuits Conference，2004.ESSCIRC 2004.Proceeding of the 30th European，2004：471-474.

[2]鄭日，李斌，黃裕泉.一種快速、低壓的電流靈敏放大器的設(shè)計(jì)[J].微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)，2006，Vol.23（6）：130-133.

[3]郭家榮，冉峰.A new low-voltage and high-speed sense amplifier for flash memory[J].Journal of Semiconductor，2011，32（12）：125003-1-5.endprint