劉麗娟 孔曉波 劉永剛 宣麗

1)(曲阜師范大學(xué)物理工程學(xué)院,曲阜 273165)2)(中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所,應(yīng)用光學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長(zhǎng)春 130033)

(2017年4月12日收到;2017年8月26日收到修改稿)

1 引 言

自1992年,Moses首次抽運(yùn)共軛聚合物溶液觀察到激光出射現(xiàn)象[1],有機(jī)半導(dǎo)體(organic semiconductor)發(fā)光材料由于其具有成本低、寬吸收譜和發(fā)射譜、高增益等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于激光器中[2?4].有機(jī)半導(dǎo)體激光器(organic semiconductor lasers,OSLs)可應(yīng)用于光譜儀的光源、化學(xué)傳感器以及光學(xué)開(kāi)光等領(lǐng)域[5,6].但是,OSLs還存在著一些問(wèn)題,其中最突出的是高閾值和低轉(zhuǎn)化效率.高閾值使得OSLs只能采用體積較大、價(jià)格昂貴的脈沖激光器作為抽運(yùn)源,而低轉(zhuǎn)化效率會(huì)造成抽運(yùn)光的極大浪費(fèi).分布反饋式(distributed feedback,DFB)OSLs因具有出射激光線寬窄、閾值低、波長(zhǎng)選擇靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)成為研究的重點(diǎn).目前,DFB OSLs的制備主要采用電子束蝕刻、納米壓印、反應(yīng)離子蝕刻等方式[7?9].電子束蝕刻和反應(yīng)離子蝕刻工藝復(fù)雜,納米壓印雖然工藝簡(jiǎn)單,但是制備出的激光器閾值非常高[10?12].并且常見(jiàn)的DFB OSLs結(jié)構(gòu)中,有機(jī)半導(dǎo)體層既是增益介質(zhì)層也是折射率調(diào)制層[2,13],這使得激光器的耦合機(jī)制十分復(fù)雜,不利于研究激光器各個(gè)參數(shù)對(duì)出射激光的影響.

我們采用有機(jī)半導(dǎo)體層作為激光器的增益介質(zhì)層,液晶/聚合物(holographic polymer dispersed liquid crystal,HPDLC)光柵作為外部反饋層,這樣的一種分離式結(jié)構(gòu)可以對(duì)激光器的參數(shù)進(jìn)行獨(dú)立控制.HPDLC光柵具有制備簡(jiǎn)單、成本低、散射損失小等優(yōu)點(diǎn),可作為激光器優(yōu)良的諧振腔.將包含光敏單體和液晶的預(yù)聚物置于干涉光場(chǎng)中,光敏單體在干涉條紋亮區(qū)聚合,形成的聚合物把液晶分子擠壓到暗區(qū),由于存在濃度梯度,暗區(qū)的單體移動(dòng)到亮區(qū)繼續(xù)聚合,最終形成聚合物層和液晶層交替排列的周期結(jié)構(gòu),即HPDLC光柵[14?16].

在HPDLC光柵中,相分離出的液晶分子沿著光柵矢量方向排列,反饋光的折射率調(diào)制量取決于聚合物層的折射率np與液晶分子折射率no的差值,由于兩者折射率值相近,所以光反饋不強(qiáng)[17].本文采用低官能度光敏單體制備的HPDLC光柵作為DFB OSL的外部反饋層,聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔](MEH-PPV)作為增益介質(zhì),通過(guò)研究影響液晶分子取向的因素,發(fā)現(xiàn)當(dāng)光柵周期在375–425 nm之間時(shí),相分離出的液晶分子沿著光柵溝槽方向排列,此時(shí)光柵的折射率調(diào)制量增大,光反饋得到增強(qiáng).采用周期為395 nm的HPDLC光柵制備激光器,出射激光的性能得到極大的提升,相比采用周期為593 nm的光柵制備的激光器,轉(zhuǎn)化效率從2.5%提高到6.3%,閾值從0.70μJ/pulse降低至0.18μJ/pulse.

2 實(shí) 驗(yàn)

2.1 樣品的制備及實(shí)時(shí)衍射效率的測(cè)量

為了實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光柵的衍射效率,在制備光柵的過(guò)程中,將633 nm的激光以光柵的布拉格角入射,如圖2所示,光柵的一級(jí)衍射光經(jīng)偏振分束棱鏡后分為p偏振光和s光偏振光,分別由探測(cè)器1和探測(cè)器2接收.

圖1 (網(wǎng)刊彩色)有機(jī)半導(dǎo)體HPDLC光柵激光器的制備流程Fig.1.(color online)Fabrication process of OSL based on HPDLC grating.

圖2 (網(wǎng)刊彩色)光柵制備及衍射效率測(cè)試圖Fig.2.(color online)Optical setup for fabrication and characterization of the HPDLC grating layer.

2.2 激光抽運(yùn)及測(cè)試

Nd:YAG倍頻脈沖激光器(532 nm,8 ns,1 Hz)為抽運(yùn)源,分束棱鏡將抽運(yùn)光分為能量相同的兩束,其中一束抽運(yùn)光的能量由能量計(jì)直接探測(cè),另一束由柱面鏡聚焦為沿光柵矢量方向的細(xì)條紋(5 mm×0.1 mm)抽運(yùn)樣品.樣品出射的激光能量由高靈敏度的LabMax-TOP能量計(jì)測(cè)量,出射激光波長(zhǎng)、半高全寬等信息由光譜儀(分辨率為0.3 nm)測(cè)量.

3 結(jié)果與分析

3.1 HPDLC光柵的實(shí)時(shí)衍射效率

設(shè)光柵矢量方向?yàn)閤方向,垂直光柵表面方向?yàn)閥方向,如圖1所示,光柵p光和s光的衍射效率公式可以表示為[13]

式中,nave為光柵的平均折射率,λ0為探測(cè)光波長(zhǎng),d為光柵厚度,ε1i(i=x,y,z)為光柵相對(duì)介電系數(shù)調(diào)制張量對(duì)角線上的量,θB為布拉格角(小于15°).(1a)和(1b)式可以簡(jiǎn)化為

由(2a)和(2b)式可知,光柵p光和s光衍射效率的大小與液晶分子的取向有關(guān),當(dāng)ηp?ηs時(shí),絕大多數(shù)液晶分子沿著x軸(光柵矢量)方向排列;當(dāng)ηp?ηs時(shí),絕大多數(shù)液晶分子沿著z軸(光柵溝槽)方向排列.

制備了不同周期的HPDLC光柵,光柵制備完成后分別測(cè)量其衍射效率,結(jié)果如圖3所示.當(dāng)光柵周期大于525 nm時(shí),ηp/ηs＞10,此時(shí)液晶分子沿著光柵矢量方向排列,液晶層與聚合物層折射率相近,光柵折射率調(diào)制量小,光反饋不強(qiáng).當(dāng)光柵周期在375–425 nm之間時(shí),ηp/ηs＜1/10,液晶分子取向發(fā)生變化,沿著光柵溝槽方向排列,此時(shí)液晶層的折射率為ne,與聚合層的折射率差值變大,光柵反饋能力增強(qiáng).當(dāng)光柵周期為425–525 nm時(shí),ηp與ηs相差不大,液晶分子一部分沿著光柵矢量方向排列,一部分沿著光柵溝槽方向排列.同時(shí),注意到當(dāng)光柵周期小于375 nm時(shí),ηp與ηs都變得很小,光柵性質(zhì)減弱,當(dāng)光柵周期小于300 nm時(shí),ηp與ηs均為0,此時(shí)不再是真正意義的光柵.

在光柵中,絲狀聚合物的錨定和光柵溝槽的作用力同時(shí)影響液晶分子的取向,絲狀聚合物是少量光敏單體在向干涉條紋亮區(qū)擴(kuò)散過(guò)程中形成的,因此它們橫在相鄰的兩個(gè)聚合物層之間,將液晶分子錨定在光柵矢量方向,其錨定能為[20]

其中,n為絲狀聚合物的濃度,A為液晶分子和絲狀聚合物間的作用能,R為與光柵周期成正比的聚合物支架半徑.光柵溝槽的作用力使液晶分子沿著光柵溝槽方向排列,可以表示為[21]

其中,H為光柵槽的高度,K為液晶的彈性常數(shù),Λ為光柵周期.從(3)和(4)式可以看出隨著光柵周期的變化,這兩種作用力是一個(gè)此消彼長(zhǎng)的過(guò)程,這就不難理解不同周期的光柵中液晶分子取向不同的現(xiàn)象.此外,采用低光能度的光敏單體制備光柵,形成的絲狀聚合物少,可進(jìn)一步減弱絲狀聚合物的錨定能.

圖3 不同周期光柵的s偏振和p偏振衍射效率Fig.3.Diffraction efficiencies for s polarization(square)and p polarization(sphere)for gratings with different periods,respectively.

3.2 Δn對(duì)激光器性能的影響

光柵反饋有效程度可以用耦合強(qiáng)度系數(shù)表示[22]:

其中,λlas為反饋激光的波長(zhǎng),Δn為折射率調(diào)制量.可以看出Δn越大,光柵耦合強(qiáng)度越大,越有利于光反饋.根據(jù)Kogelnik各向異性耦合波理論[23],折射率調(diào)制量Δn表示為

圖4(a)和圖4(b)分別為光柵周期為593 nm(大周期)和周期為395 nm(小周期)的樣品的實(shí)時(shí)衍射效率測(cè)量圖,從圖4可以看出兩者衍射效率大不相同:隨著光柵中相分離的進(jìn)行,大周期樣品的p光衍射效率逐步大于s光衍射效率,最終穩(wěn)定的p光衍射效率為56.9%,s光衍射效率為1.4%;而小周期樣品不同偏振的實(shí)時(shí)衍射效率卻相反,小周期樣品最終穩(wěn)定的p光衍射效率為1.7%,s光衍射效率為57.1%.通過(guò)(6)式可以計(jì)算出大周期樣品的Δn為0.0036,小周期樣品的Δn大大提高,為0.0225.

圖4 (網(wǎng)刊彩色)光柵s偏振和p偏振實(shí)時(shí)衍射效率 (a)光柵周期為593 nm;(b)光柵周期為395 nmFig.4.(color online)Real time diffraction efficiencies for p polarization(square)and s polarization(sphere)for:(a)Grating with period of 594 nm;(b)grating with period of 395 nm.

3.3 激光光譜特性

根據(jù)MEH-PPV的出光特性,我們制備的樣品出光大約在630 nm左右,此處MEH-PPV的增益最強(qiáng)[24].出射激光波長(zhǎng)λ滿(mǎn)足布拉格方程:mλ=2neffΛ,其中,m為布拉格級(jí)次,neff為有效折射率,Λ為光柵周期.分別抽運(yùn)大周期和小周期樣品,并測(cè)量其出射激光,此時(shí)大周期樣品的布拉格級(jí)次為3,而小周期光柵的布拉格級(jí)次為2.在光柵耦合過(guò)程中,由于在光柵矢量方向要滿(mǎn)足動(dòng)量守恒,因此波矢要滿(mǎn)足以下條件[24]:

式中θo為出射光于玻璃基板法線的夾角.對(duì)于大周期樣品,出射激光滿(mǎn)足3λ=2neffΛ,代入(7)式可以得到

由于|sinθo|≤1,neff≈1.60,m′只可以取1或者2,因此可以得到

從(9)式可以得知,大周期光柵制備的激光器存在相互對(duì)稱(chēng)的四束出射激光,且每束激光方向與基板法線呈32°夾角.同理對(duì)于小周期光柵,激光垂直于基板表面發(fā)出,且存在前后兩束.

圖5 出射激光的能量轉(zhuǎn)化圖 (a)光柵周期為593 nm,插圖為630.0 nm處的光譜圖;(b)光柵周期為395 nm,插圖為632.2 nm處的光譜圖Fig.5.Lasing output intensity as a function of pump intensity for the DFB laser:(a)Sample with grating period of 593 nm;(b)sample with grating period of 395 nm.The insets show the corresponding lasing.

圖5為出射激光的能量轉(zhuǎn)化圖,對(duì)應(yīng)插圖為其光譜圖.光柵大周期樣品的閾值為0.70μJ/pulse,轉(zhuǎn)化效率為2.5%,相應(yīng)的激光波長(zhǎng)為630.0 nm,半高全寬為0.6 nm.光柵小周期樣品的閾值為0.18μJ/pulse,轉(zhuǎn)化效率為6.4%,相應(yīng)的激光波長(zhǎng)為632.2 nm,半高全寬為0.5 nm.采用小周期光柵制備激光器,出射激光的性能得到了很大的提升,閾值降低約為原來(lái)的1/4,轉(zhuǎn)化效率提高了接近3倍.

4 結(jié) 論

本文采用有機(jī)半導(dǎo)體MEH-PPV作為增益介質(zhì),低官能度光敏單體制備的HPDLC光柵作為外部反饋腔制備了DFB OSL.決定液晶分子取向的主要有兩種與光柵周期有關(guān)的作用力,利用這一原理,采用小周期光柵制備激光器,光柵中液晶分子沿著光柵溝槽方向排列,光柵的折射率調(diào)制量增加,從而增強(qiáng)了光反饋,最終出射的激光閾值降低至0.18μJ/pulse,轉(zhuǎn)化效率提高到6.4%.這一工作為提高OSL的出光性能提供了新思路,推動(dòng)了OSL的實(shí)用化進(jìn)程.

[1]Moses D 1992Appl.Phys.Lett.60 3215

[2]Samuel I D W,Turnbull G A 2007Chem.Rev.107 1272

[3]Chenais S,Forget S 2012Polym.Int.61 390

[4]Grivas C,Pollnau M 2012Laser Photon.Rev.6 419

[5]Chen Y,Herrnsdorf J,Guilhabert B,Kanibolotsky A L,Mackintosh A R,Wang Y,Pethrick R A,Gu E,Turnbull G A,Skabara P J,Samuel I D W,Laurand N,Dawson M D 2011Org.Electron.12 62

[6]Heliotis G,Xia R,Bradley D D C,Turnbull G A,Samuel I D W,Andrew P,Barnes W L 2003Appl.Phys.Lett.83 2118

[7]Heliotis G,Xia R,Bradley D D C,Turnbull G A,Samuel I D W,Andrew P,Barnes W L 2004J.Appl.Phys.96 6959

[8]Liu L J,Huang W B,Diao Z H,Zhang G Y,Peng Z H,Liu Y G,Xuan L 2014Acta Phys.Sin.63 194202(in Chinese)[劉麗娟,黃文彬,刁志輝,張桂洋,彭增輝,劉永剛,宣麗2014物理學(xué)報(bào)63 194202]

[9]Deng S P,Li W C,Huang W B,Liu Y G,Lu X H,Xuan L 2011Acta Phys.Sin.60 056102(in Chinese)[鄧舒鵬,李文萃,黃文彬,劉永剛,魯興海,宣麗 2011物理學(xué)報(bào) 60 056102]

[10]Mele E,Camposeo A,Stabile R,Del Carro P,Di Benedetto F,Persano L,Cingolani R,Pisignano D 2006Appl.Phys.Lett.89 131109

[11]Pisignano D,Persano L,Mele E,Visconti P,Anni M,Gigli G,Cingolani R,Favaretto L,Barbarella G 2005Synth.Met.153 237

[12]Ramirez M G,Boj P G,Navarro-Fuster V,Vragovic I,Villalvilla J M,Alonso I,Trabadelo V,Merino S,Díaz-García M A 2011Opt.Express19 22443

[13]Butler J J,Malcuit M S,Rodriguez M A 2002J.Opt.Soc.Am.B19 183

[14]Huang W B,Deng S P,Liu Y G,Peng Z H,Yao L S,Xuan L 2012Acta Phys.Sin.61 094208(in Chinese)[黃文彬,鄧舒鵬,劉永剛,彭增輝,姚麗雙,宣麗 2012物理學(xué)報(bào)61 094208]

[15]Deng S P,Huang W B,Liu Y G,Diao Z H,Peng Z H,Yao L S,Xuan L 2012Acta Phys.Sin.61 126101(in Chinese)[鄧舒鵬,黃文彬,劉永剛,刁志輝,彭增輝,姚麗雙,宣麗2012物理學(xué)報(bào)61 126101]

[16]Diao Z H,Huang W B,Deng S P,Liu Y G,Peng Z H,Yao L S,Xuan L 2013Acta Phys.Sin.62 034202(in Chinese)[刁志輝,黃文彬,鄧舒鵬,劉永剛,彭增輝,姚麗雙,宣麗2013物理學(xué)報(bào)62 034202]

[17]Hsiao V K S,Lu C,He G S,Pan M,Cartwright A N,Prasad P N 2005Opt.Express13 3787

[18]Turnbull G A,Andrew P,Barnes W L,Samuel I D W 2003Appl.Phys.Lett.82 313

[19]Huang W,Liu Y,Diao Z,Yang C,Yao L,Ma J,Xuan L 2012Appl.Opt.51 4013

[20]Vardanyan K K,Qi J,Eakin J N,Sarkar M D,Crawford G P 2002Appl.Phys.Lett.81 4736

[21]Kim Y T,Hwang S,Hong J H 2006Appl.Phys.Lett.89 173506

[22]Kogelnik H,Shank C V 1972J.Appl.Phys.43 2327

[23]Montemezzani G,Zgonik M 1997Phys.Rev.E55 1035

[24]Turnbull G A,Andrew P,Jory M J,Barnes W L,Samuel I D W 2001Phys.Rev.B64 125122