摘 要:為準(zhǔn)確測(cè)量磁性材料的磁特性,提出二維磁特性測(cè)試方法,使用新型激磁裝置及傳感結(jié)構(gòu),針對(duì)二維磁特性激磁裝置的電磁干擾及屏蔽結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入研究,設(shè)計(jì)屏蔽結(jié)構(gòu),屏蔽效能可以達(dá)到61.699 dB。討論測(cè)試過程環(huán)境中的直流干擾和工頻及低頻雜波對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響等關(guān)鍵性問題,并提出解決方案。實(shí)驗(yàn)證明:所提出的解決方法是實(shí)用有效的,具有可行性。
關(guān)鍵詞:磁特性測(cè)量;電磁屏蔽;信號(hào)調(diào)理;LabVIEW
文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A 文章編號(hào):1674-5124(2017)03-0074-04
Abstract: Research on high frequency magnetic properties put forward higher demand for the excitation device. For accurate measurement of magnetic material magnetic properties, a test method for magnetic properties of two dimensional was proposed, a new excitation device and sensing structure were used, and the shielding structure designed for the two dimensional magnetic excitation device was conducted whose shielding effectiveness could reach 61.699dB. The influence of DC magnetic bias and power frequency clutter and low frequency clutter on the experimental in the test process was discussed, and the solution was proposed. The experimental results show that the proposed method is practical and effective and feasible.
Keywords: magnetic property measurement; electromagnetic shielding; signal conditioning; LabVIEW
0 引 言
電機(jī)發(fā)明以來,磁性材料已被廣泛應(yīng)用于各種電磁裝置中。磁性材料的電磁特性對(duì)這些裝置的性能有很大的影響,應(yīng)對(duì)其進(jìn)行精確測(cè)量[1]。隨著科技的進(jìn)步和工業(yè)的發(fā)展,高頻化、小型化、高功率、低損耗等日趨成為發(fā)展的主題,這就對(duì)磁性材料的研究提出新的要求。對(duì)于磁性材料的磁特性測(cè)量,國際電工委員會(huì)(IEC)對(duì)愛波斯坦方圈法和單片測(cè)量法給出了標(biāo)準(zhǔn):假設(shè)其磁通密度與磁場(chǎng)強(qiáng)度平行[2-4],這兩種方法都忽略了材料的各向異性,均屬于一維磁特性測(cè)量。實(shí)際應(yīng)用中,僅考慮材料的一維磁特性是不夠的,必須考慮材料的二維旋轉(zhuǎn)磁特性。二維測(cè)量中,測(cè)量裝置需產(chǎn)生一個(gè)可與材料軋制方向成任意角度的磁場(chǎng),磁性材料的非線性及各向異性增加了測(cè)量的難度[5-7]。目前,國內(nèi)外對(duì)于二維測(cè)量方法已有一些研究,然而并沒有形成一定的標(biāo)準(zhǔn)[8],且研究方向主要集中在低頻情況下。對(duì)于磁性材料的二維磁特性尤其是高頻特性的研究仍有許多工作要做。本文針對(duì)二維高頻磁測(cè)量系統(tǒng)中的關(guān)鍵問題進(jìn)行了分析和研究,實(shí)現(xiàn)二維高頻磁特性的精確測(cè)量。
1 二維磁測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法概述
1.1 二維磁測(cè)量系統(tǒng)
二維磁測(cè)量系統(tǒng)主要由微機(jī)(PC或工控機(jī)及數(shù)據(jù)采集卡)、二維激磁裝置、功率放大器、前端放大器和阻抗匹配及保護(hù)電路等組成,結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。
1.2 測(cè)量方法
現(xiàn)有的二維測(cè)量方法多應(yīng)用于工頻及低頻測(cè)量[9]。當(dāng)激磁頻率上升到1 kHz以上時(shí),二維磁測(cè)量中的磁化問題將變得十分復(fù)雜,對(duì)樣片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)磁化相對(duì)于一維來說對(duì)勵(lì)磁電源提出了更高的要求。因此,為保證樣片的磁化均勻性,選擇合適的激磁結(jié)構(gòu)就顯得極其重要。
系統(tǒng)使用雙C形激磁裝置進(jìn)行激磁,激磁裝置由兩支在二維方向上正交的C形磁芯及纏繞在磁芯上的激磁繞組組成,C形磁芯由磁導(dǎo)率較高的超微晶合金疊制而成。磁芯的磁極為楔形,具有較好的聚磁效果,可以產(chǎn)生較強(qiáng)的磁場(chǎng)。磁芯及磁極示意圖如圖2所示。
待測(cè)樣片為50 mm×50 mm的單層方形超微晶合金樣片,方形樣片被磁化時(shí)在各個(gè)方向上具有較好的均勻性,為實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性提供了保障。
將方形待測(cè)樣片置于兩支正交的C形磁芯中間,當(dāng)纏繞在磁軛上的激磁繞組通電后,激磁裝置的中心會(huì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)。利用B傳感器和H傳感器可以分別將感應(yīng)到的磁通密度信號(hào)和磁場(chǎng)強(qiáng)度信號(hào)傳回微機(jī)采集系統(tǒng),進(jìn)而可對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析以及對(duì)激磁信號(hào)進(jìn)行反饋控制。
B傳感器采用探針法,將兩探針垂直立于待測(cè)樣片表面,與其做電接觸。測(cè)量過程中,磁通的變化會(huì)在樣片中形成渦流,樣片的電阻在樣片表面產(chǎn)生一個(gè)電壓降,進(jìn)而,由感應(yīng)出的電壓降計(jì)算出磁通密度。這種方法相比于以往的B線圈法無需在樣片表面打孔,屬于非破壞性方法,對(duì)于待測(cè)樣片具有較好的保護(hù)性,可以提高實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確度。利用兩組B探針可以測(cè)量兩個(gè)方向的磁通密度。
傳統(tǒng)磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量依據(jù)安培環(huán)路定律。此系統(tǒng)中磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量利用H線圈法,所依據(jù)的原理是電磁感應(yīng)定律和磁場(chǎng)強(qiáng)度的交界面條件,此方法無需測(cè)量樣件的等效磁路長度,避免了因磁路長度帶來的誤差。測(cè)量時(shí)將H線圈緊貼在待測(cè)樣片的表面,利用H線圈可測(cè)得靠近試樣處的空氣磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度所對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度,進(jìn)而根據(jù)磁場(chǎng)強(qiáng)度的交界面條件可以得到樣片所在位置的磁場(chǎng)強(qiáng)度。利用兩組H線圈可以測(cè)量兩個(gè)方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
B探針和H線圈的結(jié)構(gòu)如圖3所示。
2 二維高頻磁特性測(cè)量中的關(guān)鍵問題
2.1 屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
測(cè)量環(huán)境中存在電磁干擾,會(huì)影響待測(cè)樣片的測(cè)量結(jié)果,因此需采取措施降低電磁干擾對(duì)實(shí)驗(yàn)的影響。
良好的屏蔽材料應(yīng)該具有高電導(dǎo)率、高磁導(dǎo)率,以及足夠的厚度。銅的電導(dǎo)率相對(duì)較高,而其相對(duì)磁導(dǎo)率為1,可以有效屏蔽電場(chǎng)干擾且不對(duì)激磁結(jié)構(gòu)生成的磁路產(chǎn)生影響。因此本設(shè)計(jì)采用銅片作為外層封閉屏蔽罩,外部屏蔽罩采用正方體銅罩,其各個(gè)面均由56 mm×56 mm×1 mm厚的銅片制成,在銅罩內(nèi)部,樣片的尺寸是50 mm×50 mm×0.5 mm厚。在樣片的上下放置兩個(gè)與其具有相同尺寸的超微晶合金方片作為超微晶合金屏蔽層。屏蔽裝置結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所示。
屏蔽層的屏蔽效果可以通過屏蔽效能SE來體現(xiàn),當(dāng)屏蔽裝置不存在空洞時(shí),屏蔽效能SE[10]可以表示為
SE=R+A+B(1)
式中:R——反射損耗,dB;
A——吸收損耗,dB;
B——內(nèi)部反射損耗,dB。
則銅罩的屏蔽效能SE為56.01 dB。然而,屏蔽裝置中需要引出B探針和H傳感器的信號(hào)傳導(dǎo)線,因此需在銅屏蔽罩上打孔。帶有孔洞的屏蔽裝置的屏蔽效能可以表示為
SE=Aa+Ra+Ba+K1+K2+K3(2)
式中:Aa——孔眼中的傳輸衰減,dB;
Ra——孔眼的單次反射損耗,dB;
Ba——多次反射修正項(xiàng),dB;
K1——與孔眼個(gè)數(shù)相關(guān)的修正項(xiàng),dB;
K2——由集膚深度不同引起的低頻修正項(xiàng),dB;
K3——由相鄰耦合引起的修正項(xiàng),dB。
經(jīng)過計(jì)算,打孔后屏蔽結(jié)構(gòu)屏蔽效能為32.031 dB。由此可見,穿過傳導(dǎo)線的孔洞對(duì)屏蔽層的屏蔽效果影響很大。為此,實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)中將銅屏蔽罩的厚度改為5 mm。經(jīng)過計(jì)算,調(diào)整后的屏蔽層的屏蔽效能為61.699 dB。
屏蔽裝置的外屏蔽層由銅制成,電導(dǎo)率高的銅可在介質(zhì)和屏蔽層之間產(chǎn)生較大的反射效應(yīng),因此反射損耗更為明顯。而超微晶合金具有很高的磁導(dǎo)率,可以提供較高的吸收損耗。同時(shí),超微晶合金屏蔽層可以改善磁路,提高樣品的磁化均勻性,如圖5所示。由于超微晶合金屏蔽層的存在,外部的磁場(chǎng)在屏蔽層處閉合,屏蔽層內(nèi)部沒有雜散磁場(chǎng),磁化均勻區(qū)域能夠擴(kuò)展到整個(gè)樣片。
2.2 信號(hào)調(diào)理
前端放大器的使用為測(cè)量系統(tǒng)帶來了工頻雜波干擾,而環(huán)境中也存在不可忽略的低頻雜波。由于工頻及低頻雜波的存在,采集卡采集到的信號(hào)在大趨勢(shì)上呈波浪形,不僅給實(shí)驗(yàn)結(jié)果帶來了誤差,也導(dǎo)致對(duì)信號(hào)的反饋難以調(diào)節(jié)。而僅僅使用硬件濾波電路無法完全濾掉干擾,需以LabVIEW為平臺(tái)借助軟件進(jìn)行信號(hào)調(diào)理。
調(diào)理方法為,先對(duì)采集卡采集到的信號(hào)進(jìn)行第一重濾波,而后將采集信號(hào)進(jìn)行算數(shù)平均,即取10個(gè)連續(xù)的周期信號(hào)進(jìn)行算術(shù)平均運(yùn)算,然后對(duì)運(yùn)算后的信號(hào)進(jìn)行第2次濾波,處理后的信號(hào)作為1次采樣結(jié)果。由于待測(cè)信號(hào)為高頻信號(hào),經(jīng)過算術(shù)平均后削弱了隨機(jī)干擾,工頻及低頻雜波經(jīng)過算術(shù)平均后則被抵消了。所以此方法可以將工頻及低頻雜波干擾從采集信號(hào)中濾除。
除了工頻及低頻雜波干擾外,采集信號(hào)中亦存在直流量,直流量會(huì)在磁測(cè)量過程中產(chǎn)生直流偏磁效應(yīng)[11],即磁通密度B和磁場(chǎng)強(qiáng)度H出現(xiàn)不對(duì)稱現(xiàn)象,B-H曲線呈現(xiàn)不規(guī)則的楔形。直流偏磁對(duì)信號(hào)的影響如圖6所示。
采集信號(hào)中的直流量不僅會(huì)對(duì)信號(hào)造成直接影響,還可能在運(yùn)算過程中,特別是經(jīng)過積分后不斷增大,最終成為趨勢(shì)項(xiàng),導(dǎo)致波形偏移,波形零點(diǎn)不能重合,B-H曲線出現(xiàn)回環(huán),這將對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果造成嚴(yán)重影響。
對(duì)于直流量的解決方法是,對(duì)采集到的信號(hào)進(jìn)行加窗處理后,取部分?jǐn)?shù)據(jù)平均值的二倍,其值可近似作為波形中的直流分量大小。在采集數(shù)據(jù)中依次減去此直流分量,可以近似去除信號(hào)中的直流量。對(duì)于趨勢(shì)項(xiàng)的解決方法是,以最小二乘法擬合直線來擬合趨勢(shì)項(xiàng),在采集數(shù)據(jù)中依次減去趨勢(shì)項(xiàng),從而抑制波形漂移。信號(hào)調(diào)理前后的效果如圖7、圖8所示。
采用上述方法,消除了工頻及低頻雜波的干擾,去除了信號(hào)中的直流量和趨勢(shì)項(xiàng),B-H曲線不再是不規(guī)則的帶有回環(huán)的楔形,提高了實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確度。
3 結(jié)束語
本文對(duì)二維高頻磁特性的測(cè)量原理及測(cè)量裝置進(jìn)行研究,解決了測(cè)量過程中電磁屏蔽及信號(hào)調(diào)理等幾個(gè)關(guān)鍵性問題。設(shè)計(jì)了屏蔽結(jié)構(gòu),不僅可以起到電磁屏蔽的作用,還可以調(diào)節(jié)待測(cè)樣片的磁化性能,分析了工頻及低頻雜波和直流量對(duì)測(cè)量的影響,并給出了解決方法,大大提高了實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性。
參考文獻(xiàn)
[1] GUO Y G, ZHU J G, ZHONG J J, et al. Measurement and modeling of rotational core losses of soft magnetic materials used in electrical machines: A review[J]. IEEE Transactions on Magnetics,2008(44):279-291.
[2] CULLITY B D, GARHAM C D. Introduction to magnetic materials[M]. New Jersey: John Wiley Sons,2011.
[3] LI Y J, YANG Q X, ZHU J G, et al. Magnetic properties measurement of soft magnetic composite materials over wide range of excitation frequency[J]. IEEE Transactions on Industry Applications,2012,48(1):88-97.
[4] ALATAWNEH N, PILLAY P. Design of a novel test fixture to measure rotational core losses in machine laminations[J]. IEEE Transactions on Industry Applications,2012,48(5):1467-1477.
[5] 張艷麗,孫小光,謝德馨,等. 無取向電工鋼片磁致伸縮特性測(cè)量與模擬[J]. 電工技術(shù)學(xué)報(bào),2013(11):176-181.
[6] 高潔,楊富堯,馬光,等. 愛潑斯坦方圈法及其在直流偏磁性能測(cè)量方面的應(yīng)用研究現(xiàn)狀及展望[J]. 材料導(dǎo)報(bào),2016(3):121-124,149.
[7] 劉巖,陳偉海,劉敬猛. 可實(shí)現(xiàn)三維位置檢測(cè)的球型電機(jī)磁場(chǎng)分析[J]. 中國測(cè)試,2012,38(3):12-16.
[8] 李永建,楊慶新,安金龍,等. 軟磁復(fù)合材料的三維磁特性檢測(cè)實(shí)驗(yàn)研究[J]. 電工技術(shù)學(xué)報(bào),2012(9):160-165.
[9] 陳俊全,馬偉明,王東,等. 磁性材料二維旋轉(zhuǎn)磁化特性測(cè)量平臺(tái)研制[J]. 磁性材料及器件,2013(2):37-40,65.
[10] SCHULZ R B, PLANTZ V C, BRUSH D R. Shielding theory and practice[J]. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility,1988(30):195-198.
[11] YOSHIDA T, NAKANO M, MIYAGI D, et al. Develo-pment of measuring equipment of DC-Biased magnetic properties using open-type single-sheet tester[J]. IEEE Transactions on Magnetics,2006,42(10):2846-2848.
(編輯:徐柳)