崔云康,吳慶春,王紅兵,唐春紅

(南京工程學院數(shù)理部,南京 211167)

碳納米管蒸發(fā)特性及其對場發(fā)射性能的影響*

崔云康*,吳慶春,王紅兵,唐春紅

(南京工程學院數(shù)理部,南京 211167)

為了探究場發(fā)射陰極電流的跌落機制,采用四極質譜儀分析的方法研究高溫蒸發(fā)對陰極場發(fā)射性能的影響。實驗結果表明:碳納米管陰極在1 173 K以上溫度時開始蒸發(fā)出碳;在1 373 K高溫下連續(xù)蒸發(fā)100 h,碳納米管陰極的開啟場強增加21.7%,閾值場強增加31.7%,增強因子減小16.2%,功函數(shù)增加11.9%。掃描電鏡(SEM)和能量色散X射線光譜儀(EDX)分析顯示:增大的功函數(shù)和減小的場增強因子降低了陰極的場發(fā)射性能。陰極材料的蒸發(fā)是陰極電流跌落的重要原因。

碳納米管;場發(fā)射;蒸發(fā)特性;場增強因子;功函數(shù)

1991年日本NEC公司的飯島澄男(Sumio Iijima)首次利用電子顯微鏡觀察到碳納米管,進而對其電子發(fā)射性能的研究受到極大的關注,成為場致發(fā)射器件陰極材料的研究熱點[1]。1995年Rinzler第1次報道了關于碳納米管在場致發(fā)射方面的研究結果[2]。同年瑞典的Walt A De Heer研究了碳納米管的場發(fā)射特性,提出將碳納米管作為場發(fā)射電子源的可行性,引起了學術界很大的轟動[3]。碳納米管的直徑一般在1 nm～30 nm左右,其長徑比大于1 000,與Spindt微尖結構相比,場增強因子較大,在頂端很容易形成強電場,產生電子發(fā)射[4-5]。同時由于碳納米管具有良好的力學和熱學性質,以及較低的生產成本,所以目前世界上大多數(shù)研究小組均采用碳納米管作為下一代場發(fā)射陰極材料。經過幾代人的努力,碳納米管場發(fā)射陰極開始在諸多領域中得到初步應用,例如場發(fā)射顯示器、電子顯微鏡、冷陰極X射線管、微波管和航天微推進器等等[6-8],但是,目前發(fā)射電流穩(wěn)定性和使用壽命限制了納米材料陰極更廣泛的應用。為了獲得穩(wěn)定的場發(fā)射電流和充足的使用壽命,許多科研小組研究了場發(fā)射陰極電流跌落的原因。Xu N S[9]等人對單個碳納米管在大電流場發(fā)射下的電流跌落做了研究。結果表明碳納米管在大電流場發(fā)射的情況下,由于歐姆熱效應引起發(fā)射體材料的熱釋重和襯底熔化現(xiàn)象,導致場發(fā)射陰極失效。Wang Z L[10]等人用透射電子顯微鏡(TEM)實時研究了單根碳納米管在場發(fā)射過程中的電流跌落情況,認為碳納米管發(fā)射電流更多的是沿著碳納米管管壁的外層流動,由于電流的歐姆效應,碳納米管外層的熱效應較為明顯,使得碳納米管外層石墨的剝離。Li Z[11]等人研究表明CH4、CO、H2O等氣體吸附能夠增大陰極材料功函數(shù)和解離能,減弱碳納米管的場發(fā)射性能。

在場發(fā)射器件工作過程中,陰極發(fā)射電子導致發(fā)射電流流過陰極,陰極與發(fā)射材料之間接觸電阻的焦耳熱也將造成陰極的溫度升高[12],同時離子轟擊[13]除了對陰極發(fā)射體造成影響之外,還能夠引起陰極或陰極局部產生高溫。Purcell等人的研究表明,在大電流場發(fā)射的情況下,納米場發(fā)射陰極能夠達到2 000 K的高溫[14]。陰極的高溫或陰極局部的高溫將導致陰極材料的蒸發(fā)。這將是引起場發(fā)射性能下降的一個重要原因。故分析納米材料陰極場發(fā)射過程中的蒸發(fā)特性是研究納米材料陰極場發(fā)射電流跌落的基礎,本文將單獨研究碳納米管場發(fā)射陰極在不同溫度下的蒸發(fā)特性,以及場發(fā)射陰極材料蒸發(fā)對其場發(fā)射性能的影響。

圖1 碳納米管陰極蒸發(fā)特性的測試系統(tǒng)實物圖及碳納米管蒸發(fā)示意圖

1 實驗

1.1 實驗裝置

陰極蒸發(fā)特性測試系統(tǒng)如圖1(a)所示。蒸發(fā)特性測試系統(tǒng)包含超高真空系統(tǒng)、四極質譜儀、光學高溫計和陰極性能測試系統(tǒng)。超高真空系統(tǒng)包含機械泵、分子泵抽氣系統(tǒng),加熱烘烤系統(tǒng),電極引線法蘭,四極質譜儀,真空計和蒸發(fā)樣品測試臺等。真空系統(tǒng)經過烘烤除氣后,本底壓強可以達到10-9Pa量級。系統(tǒng)裝配Balzers Prisma QMS 200四極質譜儀,該質譜儀為鎢金屬燈絲,最高烘烤溫度為300 ℃,可掃描質量數(shù)為1 amu～200 amu,在模擬掃描模式下的掃描速率為200 ms-60 s/ams。系統(tǒng)所用的光學高溫計為WGG2-201型,測量范圍是700 ℃～2 000 ℃。陰極發(fā)射性能測試系統(tǒng)包含若干電源、電流表、計算機以及相關接口和軟件。陰極發(fā)射時的工作電壓、發(fā)射電流等參數(shù)可以采用人工調節(jié)記錄方式和計算機自動記錄方式。

陰極蒸發(fā)實驗測試示意圖如圖1(b)所示。碳納米管是用化學氣相沉積(CVD)的方法在帶加熱子的熱陰極鎳基底上直接生長的[15]。陰極的直徑為1.45 mm,陰極由加熱子加熱,陽極為2 mm厚的鉭,中間為1.5 mm的通孔。四極質譜儀裝在通孔的正上方,碳納米管陰極在不同溫度下的蒸發(fā)物成份由四極質譜儀測定。

1.2 實驗方法

目前,對于熱陰極的蒸發(fā)研究相關報道比較多[16-17]。熱陰極蒸發(fā)研究中對陰極材料蒸發(fā)的測試方法相對較為成熟可靠。熱陰極在工作時,引起熱陰極材料蒸發(fā)的高溫是由熱陰極工作自帶的加熱子加熱造成的,而引起納米材料陰極蒸發(fā)的高溫是陰極工作時的焦耳熱或離子轟擊造成的。為了單獨分析溫度引起蒸發(fā)對納米材料陰極的影響,避免納米材料陰極工作過程離子轟擊等其他因素對蒸發(fā)的干擾,本文提出采用被動加熱納米材料陰極的方法測試納米材料的蒸發(fā)特性。具體的方法是將納米材料陰極制備在加熱子的表面,將制備有納米材料陰極的加熱子裝入帶有質譜儀的超高真空系統(tǒng),通過加熱子加熱高溫蒸發(fā)納米材料,分析測試蒸發(fā)物成份。選擇四極質譜分析法對陰極的蒸發(fā)物成份進行分析。該方法可以分析蒸發(fā)物的成份及環(huán)境氣體成份,在分析蒸發(fā)成份的基礎上進而研究蒸發(fā)特性對場發(fā)射性能的影響。

2 結果和分析

2.1 碳納米管陰極蒸發(fā)特性隨溫度的變化關系

系統(tǒng)經過250 ℃烘烤60 h,烘烤之后的本底質譜圖如圖2所示。圖2表示的是真空分析室內殘余氣體對應的離子流強度,其中橫坐標為質譜掃描幅數(shù),四極質譜的掃描速度為0.5 s/幅,縱坐標為各種氣體所對應的離子流。本底的總壓強為1.0×10-8Pa,其中以H2為主,其次為CO和少量的H2O,這是典型的電真空器件中的殘余氣體成份。

圖2 真空系統(tǒng)本底質譜圖

由于納米材料場發(fā)射陰極和整個真空室相比體積較小,真空室本底隨溫度的變化將會影響到場發(fā)射陰極蒸發(fā)物測量的準確性。為了減少真空室本底的影響,在同樣的蒸發(fā)過程中,分別測試了兩個樣品。樣品A是沒有碳納米管覆蓋的鎳襯底;樣品B是在鎳襯底上生長制備的碳納米管陰極。調節(jié)加熱器的電壓來改變陰極的溫度,通過比較同一溫度下樣品A和B的質譜來獲得碳納米管陰極的蒸發(fā)特性。

圖3 樣品A和樣品B在陰極溫度為1 323 K時系統(tǒng)質譜圖

圖3所示的是樣品A和B在溫度在1 323 K時系統(tǒng)的質譜圖。從圖3(a)可以看到,未生長碳納米管材料的加熱器組件升溫至1 323 K時,系統(tǒng)放出CO、H2、CO2和少量H2O,系統(tǒng)總壓強為6.6×10-5Pa;而從圖3(b)可以看出,當碳納米管陰極溫度升高到1 323 K時,陰極系統(tǒng)放出大量的氣體,其中以CO、H2、CO2為主,還有少量的H2O。系統(tǒng)總壓強也有升溫前的本底壓強1.0×10-8Pa升高到9.6×10-5Pa。比較圖3(a)和圖3(b),不難發(fā)現(xiàn),圖3(b)比圖3(a)多了大量的C、CO和CO2,其余的氣體種類相同,氣體的分壓也比較接近,差值在誤差范圍之內。因此可以得到結論:當碳納米管陰極被加熱到1 323 K時,主要的蒸發(fā)物是CO、C和CO2。其中蒸發(fā)過程是碳納米管先在高溫下蒸發(fā)出C,而后C和真空系統(tǒng)殘氣中的O離子結合形成CO和CO2。

為了研究碳納米管材料蒸發(fā)和溫度的關系,碳納米管陰極的溫度通過加熱子從1 073 K調整到1 373 K,溫度調整的間隔為50 K。圖4所示的是碳納米管陰極材料蒸發(fā)成份隨陰極溫度變化關系曲線,該曲線已經扣除了加熱器組件本身放氣等因素的影響,即已扣除加熱器等組件放出氣體的譜圖。也就是說圖4表示的是碳納米管蒸發(fā)物成份對應離子流強度隨納米碳管溫度的變化關系,其中質譜的掃描速度為0.5 s/幅,橫坐標為質譜掃描時間,縱坐標為各種氣體所對應的離子流。由圖4可以明顯的看出,當溫度低于1 173 K時,碳納米管陰極材料幾乎不被蒸發(fā);當溫度大于1 173 K時,有明顯的蒸發(fā)物被蒸發(fā)出來,蒸發(fā)物的氣體成份包含CO,C和CO2。從圖4還可以看出,當溫度高于1 173 K時,碳納米管的蒸發(fā)物種類保持不變,蒸發(fā)物的數(shù)量隨著溫度的升高而增加。實驗結果與其他報道結果基本一致。四針氧化鋅場發(fā)射陰極在1 273 K以上溫度時開始蒸發(fā)出鋅和氧,蒸發(fā)物的數(shù)量也隨著溫度的升高而增加[18]。Ma Y L[19]等人也通過實驗發(fā)現(xiàn)了碳納米管薄膜在強電場的作用下存在碳蒸發(fā)現(xiàn)象,他們發(fā)現(xiàn)碳納米管薄膜蒸發(fā)閾值場在10.0 V/nm～12.6 V/nm之間,蒸發(fā)會導致碳納米管分布(局部數(shù)密度)變得更加不均勻。

圖4 碳納米管陰極材料蒸發(fā)成份隨陰極溫度變化關系曲線

2.2 碳納米管陰極蒸發(fā)對場發(fā)射性能的影響

將碳納米管通過以上的方法加熱至1 323 K,并連續(xù)蒸發(fā)100 h。蒸發(fā)前后分別測量其場發(fā)射曲線,圖5所示的是碳納米管陰極蒸發(fā)前后的場發(fā)射曲線。從圖中可以看出蒸發(fā)前的曲線具有較好的場發(fā)射特性,蒸發(fā)前的碳納米管陰極具有較低的的開啟場強2.3 V/μm,較低的閾值場強6.0 V/μm;而蒸發(fā)后的碳納米管陰極開啟場強為2.8 V/μm,閾值場強為7.9 V/μm,分別增加21.7%和31.7%。同時,在相同的場強下,蒸發(fā)前的碳納米管陰極具有較大的場發(fā)射電流密度。從圖5還可以看到,同樣維持中等發(fā)射電流密度的6 mA/cm2,蒸發(fā)后的陰極需要 9.7 V/μm的發(fā)射場強,而蒸發(fā)前的陰極只需要8.0 V/μm的發(fā)射場強。相比之下,蒸發(fā)后的曲線要增加1.7 V/μm的發(fā)射場強。這也說明了高溫蒸發(fā)導致碳納米管陰極場發(fā)射性能的跌落。

圖5 碳納米管陰極蒸發(fā)前后的場發(fā)射曲線

為了清楚地理解場發(fā)射過程中陰極材料蒸發(fā)對碳納米管場發(fā)射性能的影響,碳納米管場增強因子和功函數(shù)可以由場發(fā)射曲線分析得到。場發(fā)射曲線數(shù)據(jù)可以由Fowler-Nordheim方程描述[20-21],

(1)

式中:φ是陰極發(fā)射材料的功函數(shù);β是陰極發(fā)射體發(fā)的場增強因子;A、B是固定常數(shù)1.56×10-10A·V-2·eV和6. 83×103V·eV-3/2·μm-1。

對方程兩邊取對數(shù):

(2)

從式(2)可以看出ln(J/E2)和1/E理論上具有線性關系,記:

(3)

(4)

k,b分別為冷陰極場發(fā)射FN曲線的斜率和截距。從式(3)、式(4)可以看出,任意場增強因子β和功函數(shù)φ的組合都和相應的FN曲線的斜率和截距相對應。由式(3)、式(4)結合圖5中FN曲線的斜率和截距可以分析得到碳納米管陰極蒸發(fā)100 h后的場增強因子減小16.2%,功函數(shù)增加11.9%。場增強因子的減小和功函數(shù)增大都意味著碳納米管陰極場發(fā)射性能的跌落,而該跌落是由陰極材料蒸發(fā)所引起的。

圖6是碳納米管蒸發(fā)前后的SEM照片,圖6(a)是蒸發(fā)前碳納米管陰極的原始形貌,圖6(b)是碳納米管陰極經過1 323 K的高溫蒸發(fā)100 h后的形貌。從圖6(a)可以看出,蒸發(fā)前原始的碳納米管均勻、細致的覆蓋在整個陰極表面,碳納米管的長度約為1 μm多或更長。而經過1 323 K高溫100 h的蒸發(fā)后,圖6(b)碳納米管的長度明顯縮短,其長度平均不超過0.5 μm;SEM圖顯示碳納米管在蒸發(fā)過程中管子從中間斷裂所形成短小的碳納米管。眾所周知,場發(fā)射陰極的場增強因子β與陰極材料的長徑比有密切的關系。

圖6 碳納米管蒸發(fā)前后的SEM形貌

圖6結果所示,碳納米管在1 323 K高溫下蒸發(fā)100 h后,碳納米管的長度明顯的縮短,這降低了碳納米管發(fā)射體的長徑比,導致碳納米管陰極場增強因子減小,這是碳納米管陰極蒸發(fā)后場發(fā)射性能跌落的一個原因。實驗結果和之前的報道一致。Wei Y[22]和他的工作小組對單根碳納米管在電鏡下進行場發(fā)射測試,利用掃描電鏡對單根碳納米管進行實時觀測,發(fā)現(xiàn)單根碳納米管在大電流場發(fā)射下工作30 min,碳納米管縮短10%。他們認為大電流場發(fā)射下發(fā)射體的縮短是造成納米管場發(fā)射電流跌落的原因。Daen K A[23]等人通過場發(fā)射顯微鏡觀測到碳納米管在大電流場發(fā)射后存在發(fā)射體縮短的情況,他們認為在場發(fā)射過程中歐姆熱效應使碳納米管局部受熱。受熱效應影響,碳原子從碳納米管頂部端蒸發(fā)出來,碳納米管變短,導致了碳納米管陰極場發(fā)射跌落。

因為在碳納米管材料蒸發(fā)過程中,襯底鎳金屬在高溫下也容易被蒸發(fā)出來,蒸發(fā)出來的鎳容易在真空室中沉積,其中部分鎳將沉積到碳納米管陰極的表面,碳納米管表面的成份可能會發(fā)生變化。用能量色散X射線光譜儀(EDX)分析蒸發(fā)前后碳納米管陰極表面的成份變化。EDX譜圖如圖7所示。蒸發(fā)前,陰極表面碳原子數(shù)含量為93.92%,而蒸發(fā)100 h后,碳原子數(shù)含量下降到88.26%;而鎳原子數(shù)含量則由原來的4.87%增加到10.31%。這說明在高溫下,碳納米管陰極碳原子被蒸發(fā)減少,而蒸發(fā)出的鎳則在陰極表面沉積增加。鎳顆粒在發(fā)射體表面的沉積改變了碳納米管陰極場發(fā)射的功函數(shù),這是碳納米管陰極蒸發(fā)后場發(fā)射性能跌落的另一個原因。鎳、銀等材料是場發(fā)射器件陰極電極的常用材料,在場發(fā)射過程中,陰極電極材料的蒸發(fā)顆粒在陰極表面的沉積都將影響到陰極的發(fā)射性能。

圖7 碳納米管陰極蒸發(fā)前后的EDX譜圖

3 結論

(1)采用四極質譜儀實時分析的方法研究了碳納米管陰極的蒸發(fā)特性。研究發(fā)現(xiàn)在溫度低于1 173 K時,碳納米管陰極材料幾乎不被蒸發(fā);在溫度高于1 173 K時,碳納米管陰極開始蒸發(fā)出CO、C和CO2,并且隨著溫度的增加,蒸發(fā)物的數(shù)量也隨之增加。

(2)碳納米管陰極在高溫下連續(xù)蒸發(fā)一段時間后,陰極場發(fā)射性能有明顯的跌落;1 373 K高溫連續(xù)蒸發(fā)100 h后,碳納米管陰極的開啟場強增加21.7%,閾值場強增加31.7%,增強因子減小16.2%,功函數(shù)增加11.9%;

(3)材料蒸發(fā)對陰極場發(fā)射性能影響主要有兩個原因:①蒸發(fā)后引起碳納米管縮短或斷裂,減小了碳納米管陰極的場增強因子;②陰極襯底蒸發(fā)物顆粒在陰極表面的沉積改變了碳納米管陰極場發(fā)射的功函數(shù)。

[1] Iijima S. Helical Microtubules of Graphitic Carbon[J]. Nature,1991,354:56-58.

[2] Rinzler A G,Hafner J H,Nilolaev P,et al. Unraveling Nanotubes:Field Emission from an Atomic Wire[J]. Science,1995,269(5230):1550-1553.

[3] Heer W A D,Chatelain A,Ugartede D. A Carbon Nanotube Field-Emission Electron Source[J]. Science,1995,270:1179-80.

[4] Fomani A A,Guerrera S A,Velasquez-Garcia L F,et al. Toward Amp-Level Field Emission with Large-Area Arrays of Pt-Coated Self-Aligned Gated Nanoscale Tips[J]. IEEE transactions on electron devices,2014,61(7):2538-2546.

[5] Scott V J,Manohara H,Toda R,et al. Robust CNT field emitters:Patterning,Growth,Transfer,and in Situ Anchoring[J]. NanotechnologyS,2016,27(49):494002.

[6] 鄭旭丹,胡利勤,郭太良. 高亮度場發(fā)射熒光燈的制備及其性能測試[J]. 電子器件,2011,34(2):150-154.

[7] Dong C K,Luo H J,Cai J Q,et al. Hydrogen Sensing Characteristics from Carbon Nanotube Field Emissions[J]. Nanoscale,2016,8(10):5599-5604.

[8] 郭琳瑞,陳烽,葉雄英,等. MEMS 結構中碳納米管的電泳沉積及其場發(fā)射特性研究[J]. 傳感技術學報,2006,19(5):2340-2344.

[9] Xu N S,Huq S E. Novel Cold Cathode Materials and Applications[J]. Materials Science and Engineering:R:Reports,2005,48:47-189.

[10] Wang Z l,Gao R P,De Heer W,et al. In Situ Imaging of Field Emission from Individual Carbon Nanotubes and Their Structural Damage[J]. Applied physics letters,2002,80(5):856-858.

[11] Li Z,Wang C Y. First-Principles Study of Field Emission Properties of Gas Adsorption on the Carbon Nanotube[J]. Chemical Physics,2006,330:417-422.

[12] Huang N Y,She J C,Chen J,et al. Mechanism Responsible for Initiating Carbon Nanotube Vacuum Breakdown[J]. Physics Review Letters,2004,93(7):075501.

[13] Chepusov A,Komarskiy A,Kuznetsov V. The Influence of Ion Bombardment on Emission Properties of Carbon Materials[J]. Applied Surface Science,2014,306:94-97.

[14] Purcell S T,Vincent P,Journet C,et al. Tuning of Nanotube Mechanical Resonances by Electric Field Pulling[J]. Physics Review Letters,2002,89(27):276103.

[15] Ghaharpour F,Bahari A,Abbasi M,et al. Parametric Investigation of CNT Deposition on Cement by CVD Process[J]. Construction and Building Materials,2016,113:523-535.

[16] Gaertner G,Raasch D,Barratt D,et al. Accelerated Life Tests of CRT Oxide Cathodes[J]. Applied Surface Science,2003,215(1):72-77.

[17] 陰生毅,張洪來,王宇,等. 陰極蒸發(fā)動態(tài)測試研究[J]. 真空科學與技術學報,2006,26(1):70-73.

[18] Cui Y K,Zhang X B,Lei W,et al. Evaporation of Tetrapod ZnO Nanostructures and Its Influence on the Field-Emission Performance[J]. IEEE Electron Device Letters,2010,31(5):479-481.

[19] Ma Y L,Xiang W,Jin D Z,et al. Field Evaporation Behaviour for Carbon Nanotube Thin-Film[J]. Acta Physica Sinica,2016,65(9):097901.

[20] Cui Y K,Chen J,Zhang X B,et al. Flexible Field Emission Devices Based on Barium Oxide Nanowires[J]. Journal of Display Technology,2016,12(5):466-471.

[21] 丁沭沂,雷威. 基于SOI 場效應管控制的背柵極碳納米管場發(fā)射結構研究[J]. 電子器件,2014,37(4):597-600.

[22] Wei Y,Xie C G,Dean K A,et al. Stability of Carbon Nanotubes under Electric Field Studied by Scanning Electron Microscopy[J]. Applied Physics Letters,2001,79(27):4527-4529.

[23] Dean K A,Burgin T P,Chalamala B R,Evaporation of Carbon Nanotubes during Electron Field Emission[J]. Applied Physics Letters,2001,79(12):1873-1875.

EvaporationCharacteristicsAnalysisoftheCNTsEmittersandItsInfluenceontheFieldEmissionPerformance*

CUIYunkang*,WUQingchun,WANGHongbing,TANGChunhong

(Department of Mathematics and Physics,Nanjing Institute of Technology,Nanjing 211167,China)

To study the mechanism of current degradation of a field emission cathode,the evaporation characteristics of the CNTs emitters has been taken with a quadrupole mass spectrometer(QMS)in an ultra-high vacuum(UHV)system. It was found that the carbon started to be evaporated out from CNTs cathode when the temperature was higher than 1 173 K. After continuous evaporation at 1 373 K for 100 hours,the turn-on field intensity and threshold field intensity of CNTs cathode increased 21.7% and 31.7% respectively compared with their original values. Simultaneously,the field enhancement factor decreased approximately 16.2%,and the work function increased about 11.9%. The changes of surface morphology and composition before and after cathode evaporation were characterized by scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectrometer. The results confirmed that increasing the work function and reducing the field enhancement factor decrease the field emission characteristics of cathode. Therefore,the evaporation plays very important role in the current degradation for the field emission devices.

carbon nanotube,field emission,evaporation characteristics,field enhancement factor,work function

10.3969/j.issn.1005-9490.2017.06.001

項目來源:國家自然科學基金項目(61372030,61674029,11504167);江蘇省科技廳基礎研究計劃項目(BK20141390);南京工程學院自然科學基金項目(CKJC201602);江蘇省高校自然科學研究項目(17KJD430003)

2017-05-19修改日期2017-06-25

O462.4

A

1005-9490(2017)06-1329-06

崔云康(1977-),男,漢族,江蘇常州人,南京工程學院副教授,博士。主要研究方向為納米場發(fā)射技術、納米光電材料等,njcyk@163.com;

唐春紅(1968-),女,漢族,江蘇姜堰人,南京工程學院教授,碩士。主要研究方向為納米材料制備、微納電子器件等,chtang@njit.edu.cn。