謝孟喆+康瑤

摘 要：針對(duì)低功耗全數(shù)字電容式傳感器接口電路設(shè)計(jì)進(jìn)行分析，介紹了全數(shù)字電容式傳感器接口電路，結(jié)合這些內(nèi)容，探討了接口電路的設(shè)計(jì)方式，內(nèi)容有： 電壓比較器電路設(shè)計(jì)，異或門(mén)電路設(shè)計(jì)D觸發(fā)器電路設(shè)計(jì)，計(jì)數(shù)器電路設(shè)計(jì)。此后還介紹了測(cè)試結(jié)果。

關(guān)鍵詞：低功耗；全數(shù)字電容式傳感器；接口電路

電容式傳感器主要是借助電容器原理，對(duì)外界環(huán)境當(dāng)中等待測(cè)試的非電量轉(zhuǎn)變成電容量，然后對(duì)電容量的變化進(jìn)行轉(zhuǎn)變，促使其成為電壓、頻率等輸出量。這種傳感器被廣泛的應(yīng)用在壓力、濕度和加速度等的檢測(cè)工作中。

一、全數(shù)字電容式傳感器接口電路

以某低功耗全數(shù)字電容式傳感器接口電路設(shè)計(jì)為例，其中通過(guò)傳感器所控制的振蕩器和數(shù)字控制的振蕩器，兩者使用的都是結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單的5級(jí)環(huán)形振蕩器。但是不同的是，SCO的內(nèi)容有傳感器電容，但是DCO所包含的是一個(gè)開(kāi)關(guān)控制的可變負(fù)載電容。對(duì)此，SCO所輸出的信號(hào)頻率，會(huì)在一定程度上受到傳感器電容的調(diào)制，同時(shí)DCO輸出的信號(hào)頻率也會(huì)因?yàn)殍b相器（PD）所輸出的Bout調(diào)制。圖1 為全數(shù)字電容式傳感器接口電路：

在這一電路當(dāng)中，DCO主要是負(fù)載電容通過(guò)Co以及Cm兩個(gè)電容所構(gòu)成的，而其中的Co始終和電路之間相互連接，并且和傳感器電容Csensor偏置的部分相一致。此外，Cm因?yàn)榻尤肓碎_(kāi)關(guān)控制，所得到的值要比Csensor的最大變化范圍還大。這是對(duì)線性度和流片后的誤差進(jìn)行分析，通常情況下，對(duì)Cm進(jìn)行設(shè)計(jì)，可以將其設(shè)置成可編程電容，取值設(shè)置為Csensor最大變化值范圍的1-2倍。為了促使功耗得以減小，在一定程度上提升靈敏度，對(duì)虛擬電容Cd的取值較小。在本電路的設(shè)計(jì)過(guò)程中，因?yàn)閭鞲衅麟娙軨sensor是從5PE向著6.5PE變化的，也就是最大△Csensor=1.5PE。對(duì)此，在接口電路當(dāng)中，偏置電容Co可以設(shè)計(jì)成5PE，對(duì)于開(kāi)關(guān)電容來(lái)說(shuō)Cm可以設(shè)置成2PE，其中的虛擬電容可有設(shè)置成1PE。

對(duì)于鑒相器進(jìn)行分析，其屬于一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單的D觸發(fā)器（DFF），其中的反相器同樣使用的是數(shù)字集成電路中比較簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。這一電路當(dāng)中使用的鑒相器所輸出的內(nèi)容，經(jīng)過(guò)一定的反饋，對(duì)負(fù)載電容Cm是否能夠接入，在環(huán)路相對(duì)穩(wěn)定的狀況下，鑒相器所輸出的bout所占的空間比會(huì)受到調(diào)制，這一信號(hào)的平均值以及傳感器電容值相互之間存在一定比例關(guān)系，對(duì)此bout也就是傳感器的數(shù)字信號(hào)輸出。

二、電路設(shè)計(jì)

1.電壓比較器電路設(shè)計(jì)

電壓比價(jià)器電路主要是通過(guò)差分放大器、共源放大器、推挽輸出級(jí)放大器、偏置電壓電路共同組成。圖2為相應(yīng)示意圖：

在電壓比較器當(dāng)中，共存在兩個(gè)輸入端，分別為通向輸入端和反向輸入端，所輸入的電壓分別使用的是V+和V-。如果V+比V-高，M1管導(dǎo)通，I1比I2要大，M管以及M3管所流經(jīng)的電流是相同的。同時(shí)M4管和M3管漏極電壓是高電平，M6管以及M7管所產(chǎn)生的漏極電壓屬于高電平，此后V0所輸出的是低電平。

2.異或門(mén)電路設(shè)計(jì)

異或門(mén)電路主要是通過(guò)或門(mén)和或非門(mén)相互組成，兩個(gè)并聯(lián)的NMOS管以及兩個(gè)串聯(lián)的PMDS管共同構(gòu)成，形成了兩個(gè)輸入或者非門(mén)，在輸入端的AB或非的結(jié)果以及AB和結(jié)果向或非。如果AB端輸入值處于不同狀態(tài)下，或非門(mén)所輸出的便是低電平，而AB相與的結(jié)果也是低電平。這種情況下，或非的結(jié)果L則是高電平。

3.D觸發(fā)器電路設(shè)計(jì)

D觸發(fā)器主要是通過(guò)傳輸門(mén)、倒相器和或非門(mén)共同組成。圖3 為D觸發(fā)電路：

RES端主要是復(fù)位端，如果RES成為高電平時(shí)，這時(shí)的或非門(mén)所得到的輸出的Q始終屬于低電平，而其中的電路則為高電平異步復(fù)位。如果RES是低電平，同時(shí)T為低電，G是高電平，這種情況下的TG1、TG4導(dǎo)通，TG2和TG3截止，在輸出端的Q出現(xiàn)的邏輯不會(huì)隨著D而變化。如果T跳動(dòng)變成高電平時(shí)，這時(shí)的TG1和TG4截止，TG2和TG3導(dǎo)通。Q所邏輯主要是通過(guò)T為低電平最后時(shí)刻狀態(tài)來(lái)決定的，進(jìn)而構(gòu)成了上升沿觸發(fā)的D觸發(fā)器電路。

三、測(cè)試結(jié)果

本研究主要是將中芯國(guó)際0.18μmCMOS工藝為基礎(chǔ)，所設(shè)計(jì)的全數(shù)字電容式傳感器接口和濕度傳感器之間成功流片。在片上，所集成的灰度傳感器所使用的標(biāo)準(zhǔn)主要是CMOS工序，而在其頂部位置，金屬層上設(shè)置了一定的叉指結(jié)構(gòu)單元，其中不存在任何特殊工序以及后續(xù)處理工序，這種情況下就促使?jié)穸葌鞲衅鞯闹谱鞒杀居兴档汀?/p>

對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，當(dāng)溫度處于23℃的時(shí)候，所存在的濕度則會(huì)從10%RH上升到90%RH，這時(shí)其中的傳感器電容Csensor將會(huì)從5PE逐漸向著6.5PE變化，其中的接口電路所使用的是全數(shù)字電路，對(duì)此電源電壓所使用的則是低電壓0.5V，而整接口電路所消耗的功率大約為1.5μW。本研究所設(shè)計(jì)的電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，所使用的芯片面積也較小。雖然其中僅存在中等有效位數(shù)，但是電容式傳感器的接口電路可以在超低電源電壓基礎(chǔ)上工作，這和之前的接口電路不同，其功耗得到大大降低，而性能上得到了極大的改善。

四、結(jié)語(yǔ)

綜上所述，隨著無(wú)線傳感技術(shù)以及射頻技術(shù)的快速發(fā)展，涌現(xiàn)出一種低功耗的電容式傳感器，對(duì)其接口電流進(jìn)行設(shè)計(jì)，主要是將鎖相環(huán)原理作為基礎(chǔ)性內(nèi)容，然后對(duì)傳統(tǒng)的電壓域?qū)鞲衅餍盘?hào)進(jìn)行處理，通過(guò)這種方式轉(zhuǎn)移到頻率域進(jìn)行處理。針對(duì)這一方式而言，技術(shù)人員可有對(duì)全數(shù)字結(jié)構(gòu)進(jìn)行使用。對(duì)此，這一接口電路可以在接近工藝閾值電壓的超低電源電壓下工作。

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