王海明,孫立紅,馮小雷,劉海峰,張燦
(河鋼集團(tuán)鋼鐵技術(shù)研究總院,河北 石家莊 050000)
1T非真空感應(yīng)爐電氣調(diào)試與故障分析
王海明,孫立紅,馮小雷,劉海峰,張燦
(河鋼集團(tuán)鋼鐵技術(shù)研究總院,河北 石家莊 050000)
基于IGBT的非真空中頻電源在感應(yīng)爐冶煉中具有工作效率高、運(yùn)行穩(wěn)定和節(jié)能等特點(diǎn),但是當(dāng)中頻電源與爐體參數(shù)設(shè)計(jì)不合理會(huì)導(dǎo)致設(shè)備在使用過程中出現(xiàn)很多問題。針對(duì)IGBT中頻電源在使用過程中屢次出現(xiàn)的問題進(jìn)行追蹤分析。通過對(duì)IGBT工作特性和其外圍保護(hù)電路功能的基本分析,進(jìn)行故障排查處理。
中頻感應(yīng);IGBT;驅(qū)動(dòng)電路
基于IGBT功率器件設(shè)計(jì)的中頻電源隨著產(chǎn)品成熟度的不斷提高,已基本解決該類型產(chǎn)品發(fā)展初期積累的各種問題,但隨著對(duì)產(chǎn)品性能要求的不斷提高,伴隨新型電子器件的植入又出現(xiàn)一些新的問題。以我單位使用的非真空感應(yīng)爐IGPS-700-IS型中頻電源設(shè)備為例,頻繁出現(xiàn)故障?,F(xiàn)針對(duì)該設(shè)備進(jìn)行綜合分析,通過對(duì)IGBT控制電路和驅(qū)動(dòng)電路對(duì)比,同時(shí)結(jié)合故障現(xiàn)象對(duì)冶煉過程中出現(xiàn)的故障進(jìn)行排查處理。
非真空感應(yīng)爐中頻電源可分為整流單元和逆變單元兩部分,整流單元原理如圖1所示。圖1中的主回路器件是可控硅、二極管和電抗器,(R視為具有一定內(nèi)阻消耗的逆變單元)。L1、L2、L3是中頻電源380VAC/50Hz進(jìn)線的接線端,在整流橋前段安裝有電流檢測(cè)裝置,通過三相半橋式整流,整流側(cè)輸出電壓為580V。圖2逆變單元A、B兩點(diǎn)是接在圖1中R兩側(cè)的(因?yàn)镽等效于圖2逆變單元的內(nèi)阻),當(dāng)電流通過圖1整流單元之后給圖2電容器組兩端蓄壓,電壓到580V時(shí)滿足逆變啟動(dòng)條件,這時(shí)電源柜可正常啟動(dòng)工作。
圖1 整流單元電氣原理圖
如圖3所示,為保證IGBT正常工作且不被突然增高的電流或電壓擊穿損壞,在設(shè)計(jì)時(shí)就要選擇合適的電路參數(shù),特別是對(duì)IGBT模塊本身要設(shè)計(jì)外圍保護(hù)電路。一般來說,IGBT模塊常用保護(hù)電路有過流保護(hù)和過壓保護(hù)兩種。過流保護(hù)一般由于電路中短路引起,當(dāng)電路中發(fā)生短路時(shí),IGBT集電極,電流急劇增加并超過額定值,同時(shí)IGBT集電極—發(fā)射極電壓Uce的上升,IGBT功率損耗增加。若IGBT這種狀態(tài)下運(yùn)行較長(zhǎng)時(shí)間則可能因溫度過高而燒毀。過壓保護(hù)一般指IGBT關(guān)斷時(shí)的浪涌電壓抑制。
IGBT關(guān)斷速度很快,在關(guān)斷或其反并二極管反向恢復(fù)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很高的 di/ dt,IGBT內(nèi)部引線或外部引線存在寄生電感,將引起很高的 Ldi/ dt 電壓,即關(guān)斷浪涌電壓。當(dāng)該電壓超過IGBT的正向耐壓值時(shí)將造成IGBT過壓擊穿。
圖3 IGBT電氣原理圖
當(dāng)中頻電壓運(yùn)行到1600V時(shí),中頻電源內(nèi)部電抗嗡嗡聲增大輕微抖動(dòng),發(fā)出特別大的非正常的顫抖聲,電源柜中發(fā)出脈沖式?jīng)_擊聲,判斷沖擊聲是由圖1中的電抗器發(fā)出,提高功率到中頻電壓1800V左右設(shè)備停止運(yùn)行,驅(qū)動(dòng)板輸出保護(hù)信號(hào)。
以上故障現(xiàn)象可大致反映出在逆變回路中既存在過電流又存在過電壓的情況。功率無法提升且到固定電壓值時(shí)圖1中的電抗器工作出現(xiàn)異常,可以判斷出在該工作點(diǎn)逆變回路中有元器件放電,經(jīng)檢查感應(yīng)圈并無放電痕跡,據(jù)此判斷主回路中的諧振電容器損壞造成諧振電容器內(nèi)部耐壓值下降至1800以下,在續(xù)壓過程中每當(dāng)電壓升高到1600V左右時(shí)內(nèi)部極板間放電產(chǎn)生浪涌電壓沖擊IGBT模塊,IGBT模塊保護(hù)電路檢測(cè)到過壓信號(hào)關(guān)斷IGBT模塊。經(jīng)檢查設(shè)備停止運(yùn)行時(shí)中頻電源輸出功率尚不到總功率的50%,用示波器監(jiān)視發(fā)現(xiàn)主回路中頻電流亦未突變,所以排除IGBT模塊過流保護(hù)動(dòng)作可能。
為解決此現(xiàn)象,特將圖2中電容器組中的6枚RFM3.0-1500-1S 型 電 容 器 更 換 為 4 枚 IGCW3.2-4500-0.8型電容器,更換諧振電容器組后以上現(xiàn)象消失。據(jù)此說明圖2中電容器組中個(gè)別電容器存在內(nèi)部放電現(xiàn)象的推斷是正確的,此基礎(chǔ)上我們還增大了電容器組的容量,以圖2所示主回路中的感應(yīng)圈和電容器組能有效的構(gòu)建起諧振電路。
個(gè)別諧振電容存在內(nèi)部放電現(xiàn)象解決后設(shè)備能工作在中頻電壓2200V以下,但是當(dāng)中頻電壓達(dá)到2300V時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)模塊輸出保護(hù)信號(hào),設(shè)備停止運(yùn)行。
如圖3所示IGBT電路,中頻電源正常運(yùn)行時(shí),IGBT工作在正?;蝻柡蜖顟B(tài),IGBT模塊工作在正偏電壓狀態(tài),一般對(duì)于IGBT的正偏電壓Vge值為+15V正負(fù)10%。如果最大值+Vgs過高,可能導(dǎo)致柵極與發(fā)射極之間擊穿。當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí),IGBT工作在反偏電壓狀態(tài),Vge值為-15V正負(fù)10%,反偏電壓Vge對(duì)IGBT的關(guān)斷極其重要。Vge越大,關(guān)斷時(shí)間越短,關(guān)斷損耗越小,但會(huì)產(chǎn)生更高的浪涌電壓。改變柵極串聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電阻Rg的數(shù)值可以改變IGBT導(dǎo)通關(guān)斷特性,所以當(dāng)Rg數(shù)值設(shè)計(jì)不合理時(shí)在IGBT反向續(xù)流二極管關(guān)斷期間,施加了C-G間的di/dt與dv/dt,可引起柵極電路有電流流過,柵極電阻上產(chǎn)生電壓,或在柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生震蕩。以上故障現(xiàn)象其中一個(gè)重要原因就是IGBT柵極電阻Rg數(shù)值設(shè)計(jì)與其它系統(tǒng)參數(shù)不匹配,使得IGBT模塊在工作過程中產(chǎn)生過壓或過流擾動(dòng)信號(hào),致使IGBT驅(qū)動(dòng)電路板保護(hù)信號(hào)誤動(dòng)作。
如圖2,據(jù)以上分析我們將逆變模塊中的英飛凌FZ400R12KE3型IGBT更換為富士IGBT612型IGBT,驅(qū)動(dòng)由POWER-SEM的PSHI27型IGBT驅(qū)動(dòng)更換為POWER-SEM的PSPC 620P-S17型驅(qū)動(dòng)及PURE S17-1200驅(qū)動(dòng)付板的組合。更換后該故障消失,設(shè)備正常運(yùn)行。如圖3所示,更換加在-Rg端的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路后設(shè)備故障消失且運(yùn)行良好,說明IGBT和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的選型搭配對(duì)設(shè)備性能的優(yōu)劣來說至關(guān)重要。
從整改效果來看,這套中頻電源性能穩(wěn)定,再未出現(xiàn)過中頻顫音,主回路放電以及驅(qū)動(dòng)頻繁保護(hù)的故障。更換IGBT模塊增強(qiáng)主回路通流能力,同時(shí)增大電容器組容量也使設(shè)備加熱能力大幅提升,使設(shè)備能夠大功率加熱,鋼水溫度得以快速提升。
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