祁云平南向紅擺玉龍王向賢

1)(西北師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院,蘭州 730070)

2)(蘭州理工大學(xué)理學(xué)院,蘭州 730050)

基于SPPs-CDEW混合模式的亞波長(zhǎng)單縫多凹槽結(jié)構(gòu)全光二極管?

祁云平1)?南向紅1)擺玉龍1)王向賢2)

1)(西北師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院,蘭州 730070)

2)(蘭州理工大學(xué)理學(xué)院,蘭州 730050)

(2016年12月27日收到;2017年3月22日收到修改稿)

全光二極管是集成光子回路上最基本的光子器件,如何有效增強(qiáng)全光二極管的單向透射性,提高消光比一直是學(xué)者們研究的重點(diǎn).當(dāng)前,利用表面等離極化激元(surface plasmon polaritons,SPPs)和復(fù)合衍射衰逝波（composite di ff racted evanescent wave,CDEW）的亞波長(zhǎng)金屬微納結(jié)構(gòu)構(gòu)建全光二極管器件還鮮有研究.因此,開(kāi)發(fā)出一種可調(diào)制的全光二極管,對(duì)未來(lái)制備復(fù)雜的光子回路具有重要意義.本文提出了一種基于SPPs-CDEW混合模式設(shè)計(jì)全光二極管的方法和結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)結(jié)合納米縫中的類(lèi)法布里-珀羅共振效應(yīng),利用結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)SPPs進(jìn)行調(diào)控,實(shí)現(xiàn)了光束單向透過(guò)的功能.首先,利用理論推導(dǎo)和有限元算法分析了單縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽納米結(jié)構(gòu)的透射增強(qiáng)現(xiàn)象,提出了透射增強(qiáng)和削弱的物理機(jī)理.其次,計(jì)算出規(guī)約化透射率隨單狹縫和凹槽對(duì)之間距離變化的遠(yuǎn)場(chǎng)透射譜,給出的理論和數(shù)值計(jì)算結(jié)果符合得很好.最后,通過(guò)此透射譜精確確定凹槽的位置和數(shù)量,得出上表面對(duì)稱(chēng)分布五對(duì)增強(qiáng)透射凹槽、下表面六對(duì)抑制透射凹槽的最優(yōu)全光二極管結(jié)構(gòu),有效增強(qiáng)了全光二極管的單向透射性,提高了消光比,最大消光比可以達(dá)到38.3 dB,即正向透射率是反向透射率的6761倍,比已有文獻(xiàn)提高了14.6 dB,并在850 nm左右有70 nm寬的工作波長(zhǎng)帶寬(>20 dB).本文提出的光二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,寬帶寬工作,易于集成,耦合效率高,研究結(jié)果對(duì)光學(xué)信號(hào)傳輸、集成光回路、超分辨率光刻等相關(guān)領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值.

全光二極管,表面等離子體極化激元,非互易導(dǎo)通,消光比

1 引言

近年來(lái),表面等離激元亞波長(zhǎng)光學(xué)(surface plasmon-subwavelength optics,SPSO)[1]成為在亞波長(zhǎng)尺度下實(shí)現(xiàn)對(duì)光波操控和約束領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).1998年Ebbesen等[2]首次在《Nature》上報(bào)道了金屬薄膜亞波長(zhǎng)微孔陣列結(jié)構(gòu)中的光學(xué)異常透射(extraordinary optical transmission,EOT)現(xiàn)象,引發(fā)了解釋該現(xiàn)象物理機(jī)理的研究熱潮.光通過(guò)各種亞波長(zhǎng)金屬結(jié)構(gòu),包括單狹縫、單狹縫-凹槽、一維光柵結(jié)構(gòu)、圓環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)等,會(huì)出現(xiàn)異常透射現(xiàn)象[3?16].文獻(xiàn)[6]利用復(fù)合衍射衰逝波(composite di ff racted evanescent wave,CDEW)模型[7],研究了單狹縫-凹槽結(jié)構(gòu)中遠(yuǎn)場(chǎng)透射增強(qiáng)現(xiàn)象.同年Lalanne和Hugonin[8]通過(guò)理論模擬和推導(dǎo),對(duì)文獻(xiàn)[6]中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出解釋,說(shuō)明了表面等離極化激元(surface plasmon polaritons,SPPs)的激發(fā)是單狹縫-凹槽結(jié)構(gòu)中遠(yuǎn)場(chǎng)透射增強(qiáng)和削弱變化的主要原因.文獻(xiàn)[9]給出了基于單狹縫-凹槽結(jié)構(gòu)表面波增強(qiáng)透射和聚焦的實(shí)驗(yàn)結(jié)果.文獻(xiàn)[10]對(duì)這方面工作進(jìn)行了綜述.文獻(xiàn)[11]研究了光柵結(jié)構(gòu)的情況,分析了SPPs和其他光學(xué)模式對(duì)亞波長(zhǎng)金屬光柵結(jié)構(gòu)中的透射作用.對(duì)于EOT現(xiàn)象產(chǎn)生的物理機(jī)理,國(guó)際上學(xué)者們較為普遍的看法是SPPs的有效激發(fā).SPPs是金屬表面自由電子集體震蕩與入射電磁波相互作用所產(chǎn)生的一種表面電磁模式[1,17],它具有很強(qiáng)的局域性,可以被約束在很小的尺度上,能夠突破衍射極限,因此,基于SPPs的各種納米光子學(xué)器件被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)納米全光集成最有希望的途徑[18].

集成光子回路上最基本的光子器件就是全光二極管,開(kāi)發(fā)一種可調(diào)制的全光二極管,有望成為未來(lái)制造光計(jì)算機(jī)的核心技術(shù).所謂全光二極管,是指能夠單向進(jìn)行光傳輸?shù)难b置.與現(xiàn)有電腦使用的半導(dǎo)體二極管相比,全光二極管儲(chǔ)存和處理信息的速度將快得多.將來(lái)采用可進(jìn)行“非互易傳輸(unidirectional nonreciprocal transmission)”光二極管制造的光計(jì)算機(jī),不僅處理速度更快,穩(wěn)定性也將更高.研究者們此前已開(kāi)發(fā)出多種結(jié)構(gòu)的全光二極管[19?37].主要有以下幾種.

1)基于光子晶體來(lái)實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的非互易導(dǎo)通(即光二極管效應(yīng))的全光二極管設(shè)計(jì):文獻(xiàn)[19]提出了一種基于三明治非線性布拉格光柵結(jié)構(gòu)的光孤子全光二極管;文獻(xiàn)[20]通過(guò)一維光子晶體與有損耗的金屬薄膜構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的光隧穿行為設(shè)計(jì)出高效的全光二極管;對(duì)于二維光子晶體,理論上提出了一種基于六角格子光子晶體波導(dǎo)微腔和Fabry-Perot(F-P)腔非對(duì)稱(chēng)耦合的全光二極管結(jié)構(gòu)[21],它由一個(gè)包含非線性Kerr介質(zhì)的高Q值微腔與一個(gè)光子晶體波導(dǎo)中的F-P腔組成；文獻(xiàn)[22]從實(shí)驗(yàn)上研究了具有空間反演對(duì)稱(chēng)性破缺的二維雙組分有機(jī)光子晶體異質(zhì)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了不依賴(lài)于光學(xué)非線性的納米尺度的全光二極管;在兩個(gè)參數(shù)不同的光子晶體之間用傾斜的界面靶組合（稱(chēng)為兩個(gè)光子晶體的異質(zhì)結(jié)）得到的全光二極管,具有顯著的單向性[23,24]；利用光傳輸自準(zhǔn)直特性的二維近紅外金屬光子晶體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的單向光傳輸特性也被詳細(xì)研究[25]；在具有空間對(duì)稱(chēng)性破缺的光子晶體波導(dǎo)中,通過(guò)對(duì)傳輸通道進(jìn)行試探性的調(diào)控,也可以實(shí)現(xiàn)光學(xué)模式的單向傳輸[26];文獻(xiàn)[27]提出了一種基于獨(dú)立微納束的光子晶體波導(dǎo)的光控單向光學(xué)器件,并有希望實(shí)現(xiàn)這類(lèi)器件的微型化;文獻(xiàn)[28]提出并實(shí)驗(yàn)證明了基于熱輻射效應(yīng)的光纖-芯片-光纖機(jī)械系統(tǒng)的路徑非對(duì)稱(chēng)光傳輸方案.以上均為基于光子晶體設(shè)計(jì)的全光二極管,然而由于光子晶體是人工制造的折射率周期性變化的微觀結(jié)構(gòu),其制造工藝比較復(fù)雜,精度要求較高,結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)較困難.

2)基于磁性物質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)非互易導(dǎo)通的全光二極管設(shè)計(jì):文獻(xiàn)[29]考慮了金薄膜的光柵附著在金屬氧化物反鐵磁基底上,利用反鐵磁性對(duì)于光的時(shí)間反演不變性,來(lái)實(shí)現(xiàn)光的單向性;文獻(xiàn)[30]利用磁光效應(yīng)和光共振效應(yīng),實(shí)驗(yàn)上得到了基于單向光學(xué)共振器的單片集成光隔離器,即全光二極管.

3)基于非線性光學(xué)效應(yīng)實(shí)現(xiàn)單向性的全光二極管設(shè)計(jì):文獻(xiàn)[31]通過(guò)在SiO2基板上形成Si制光導(dǎo)波路和兩個(gè)環(huán)形諧振器來(lái)實(shí)現(xiàn)全光二極管,該二極管功能通過(guò)諧振器距離的不同以及非線性效應(yīng)兩種組合要素實(shí)現(xiàn);文獻(xiàn)[32]也提出基于自相位調(diào)制效應(yīng)的由兩個(gè)硅基環(huán)形諧振腔構(gòu)成的中紅外全光二極管.

4)其他措施來(lái)實(shí)現(xiàn)光傳播的單向性:利用非線性光學(xué)過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)單向性[33];利用不對(duì)稱(chēng)非線性(反向)飽和吸收[34]來(lái)實(shí)現(xiàn)光的單向性;利用超材料中的單向電磁誘導(dǎo)透明所產(chǎn)生的Fano線型透射譜來(lái)實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)電磁二極管[35];還有利用兩個(gè)回音壁微腔耦合的方法[36],在實(shí)驗(yàn)上觀察到了光的單向傳輸,并實(shí)現(xiàn)了基于宇稱(chēng)時(shí)間對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的全光二極管.

雖然以上全光二極管實(shí)現(xiàn)了光的單向傳輸性,但在總體性能參數(shù)上,如光強(qiáng)閾值、消光比、工作帶寬和最大透射率等方面或多或少存在不足.因此,本文設(shè)計(jì)出了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、寬帶寬工作、耦合效率高、易于集成的全光二極管.

當(dāng)前,利用SPPs的亞波長(zhǎng)金屬納米結(jié)構(gòu)構(gòu)建全光二極管器件還鮮有研究[37].有研究人員通過(guò)理論和實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)SPPs有時(shí)可以增強(qiáng)透射,有時(shí)反而削弱透射[38].本文利用SPPs在金屬銀膜上下兩個(gè)表面不同的亞波長(zhǎng)單縫多凹槽結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)和削弱透射的單向性傳輸,提出了一種基于SPPs-CDEW混合模式的亞波長(zhǎng)單縫-多凹槽微納結(jié)構(gòu)全光二極管設(shè)計(jì)方案.此方案包含了在金屬銀膜上穿透的亞波長(zhǎng)單縫和多個(gè)在金屬銀膜上刻蝕的亞波長(zhǎng)凹槽等納米結(jié)構(gòu),即在銀膜兩個(gè)表面都刻蝕對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)結(jié)構(gòu),并且上下兩表面的凹槽離單縫的距離位置非對(duì)稱(chēng)錯(cuò)開(kāi),隨著縫槽激發(fā)的SPPs的影響,此結(jié)構(gòu)在入射方向?qū)庥型干湓鰪?qiáng)作用,而在相反方向上對(duì)透射卻有抑制作用,表現(xiàn)出全光二極管的單向傳輸效應(yīng).經(jīng)過(guò)理論推導(dǎo)和有限元法數(shù)值模擬和優(yōu)化,得到消光比(extinction ratio)最大時(shí)的凹槽數(shù)量和位置,有效增強(qiáng)了全光二極管的單向透射性,提高了消光比,比文獻(xiàn)[37]提高了14.6 dB,最大消光比達(dá)到38.3 dB.

2 模型結(jié)構(gòu)和理論

2.1 理論模型

Lalanne等[8]通過(guò)理論推導(dǎo)和數(shù)值計(jì)算,深入研究了金屬銀膜單狹縫-單凹槽結(jié)構(gòu)中的透射增強(qiáng)現(xiàn)象,并成功解釋了文獻(xiàn)[6]關(guān)于單狹縫-單凹槽結(jié)構(gòu)中遠(yuǎn)場(chǎng)透射隨縫槽距離變化的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,證明了SPPs是單狹縫-單凹槽結(jié)構(gòu)中遠(yuǎn)場(chǎng)透射周期性變化增強(qiáng)或削弱的主要原因.但是關(guān)于金屬銀膜單狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽結(jié)構(gòu)的理論模型以及對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)透射隨縫槽距離變化方面的研究目前還處于空白階段.本文所提出的基于SPPs-CDEW混合模式的亞波長(zhǎng)單縫-多凹槽納米結(jié)構(gòu)全光二極管正是基于單狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽模型的理論推導(dǎo)和數(shù)值仿真,由此確定銀膜上下兩個(gè)表面不同的凹槽數(shù)目和位置.

本文研究的具有透射增強(qiáng)或抑制效果的單狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽的模型如圖1所示.深灰色區(qū)域是銀膜,銀膜厚度E=200 nm,與文獻(xiàn)[37]保持一致,在銀膜上開(kāi)了一條單縫并刻蝕了兩條對(duì)稱(chēng)凹槽:單狹縫和凹槽尺寸與文獻(xiàn)[6,8]相同,即狹縫附近左右對(duì)稱(chēng)各有一條矩形凹槽,縫寬和凹槽寬度均為w=100 nm,凹槽深度h=100 nm.一束波長(zhǎng)λ=850 nm的TM平面波(p極化波)垂直入射到該狹縫-雙凹槽結(jié)構(gòu),并穿過(guò)狹縫形成遠(yuǎn)場(chǎng)透射.本文通過(guò)改變單狹縫和凹槽中心之間的距離d來(lái)研究雙凹槽激發(fā)的表面波對(duì)狹縫透射的影響.銀的介電常數(shù)取在波長(zhǎng)850 nm的近紅外光垂直入射下的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)[39,40]平均值εAg=?33.06+i1.166.

2.2 金屬銀膜單狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽模型中的異常透射

如圖1所示,本文用u和v分別表示在銀膜/空氣界面處狹縫和凹槽之間兩個(gè)相反方向上傳播的SPPs模式的幅度,用a和b分別表示在凹槽內(nèi)部上下兩個(gè)相反方向上傳播的凹槽基本模式的幅度系數(shù),下標(biāo)1,2分別表示左右對(duì)稱(chēng)兩個(gè)凹槽.耦合模式方程組如下:

其中,α是縫或槽中波傳播的基模在銀/空氣界面處激發(fā)SPPs的模式耦合散射系數(shù),β是入射平面波在銀/空氣界面處激發(fā)SPPs的模式耦合散射系數(shù)[12];V是槽內(nèi)垂直方向光波傳播的相位因子,W1是縫槽之間水平方向SPPs沿銀膜表面?zhèn)鞑サ南辔灰蜃?W2是兩個(gè)槽之間水平方向SPPs傳播的相位因子,相位因子V,W1和W2分別是V=exp(ikneffh),W1=exp(iksppd),W2=exp(ikspp2d),其中neff是凹槽基本模式的有效折射率(neff≈1),SPPs波矢h為凹槽深度,d為凹槽-狹縫間距;rm和r0分別是凹槽基本模式在凹槽底部-金屬反射率和凹槽頂部-空氣界面處的反射率,r是SPPs在銀金屬表面?zhèn)鞑r(shí)經(jīng)過(guò)縫接口處的后向反射系數(shù);S是有對(duì)稱(chēng)雙凹槽的條件下單縫內(nèi)傳播基模的耦合系數(shù),t0表示在沒(méi)有凹槽的情況下進(jìn)入金屬單狹縫透射的耦合系數(shù),|S|2是單縫內(nèi)傳播基模的耦合功率(歸一化沒(méi)有凹槽的單縫內(nèi)基模耦合功率|t0|2),即|S/t0|2表示最終規(guī)約化后的遠(yuǎn)場(chǎng)透射.

文獻(xiàn)[12]對(duì)不同縫寬金屬縫槽內(nèi)的基模和不同波長(zhǎng)入射平面波激發(fā)SPPs的激發(fā)效率進(jìn)行了詳細(xì)研究,其中

I0,I1可由高斯-切比雪夫積分和高斯-勒讓德積分法算出:

縫槽內(nèi)介質(zhì)有效折射率參考文獻(xiàn)[15]的計(jì)算方法可以得出n1=1.22,縫槽外入射空間介質(zhì)折射率n2=1,在歸一化等效縫寬為的條件下α=0.3245+i0.01214,β=?0.2938?i0.01099.單縫和槽內(nèi)基模激發(fā)SPPs效率[12]為eSP=|α+(w/2)|2+|α?(w/2)|2≈21.1%,在垂直入射(θ=0)的條件下,入射平面波激發(fā)SPPs效率為eSP=|β+(w/2)|2+|β?(w/2)|2≈17.29%.在(1)式中rm≈?1,r0結(jié)合亞波長(zhǎng)縫中的類(lèi)F-P腔共振效應(yīng)給出縫端口空氣界面處的反射率,參考文獻(xiàn)[41]中的(20)式給出,意味著凹槽頂部-空氣界面由于強(qiáng)散射形成了高反射率介質(zhì)層.因?yàn)閨r|<0.05,本文給出r=?0.05,rm和r的負(fù)號(hào)表示反射波相對(duì)于入射波有π的相位差.

從上述方程組我們得到

圖2給出了由(2)式算出的規(guī)約化功率耦合透射率|S/t0|2隨狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽間距d周期震蕩變化的曲線,并和用有限元方法(the fi nite element method,FEM)模擬計(jì)算的結(jié)果做了比較.圖中黑色實(shí)線代表用FEM計(jì)算的透射譜,藍(lán)色實(shí)線代表利用(2)式SPPs理論計(jì)算出的結(jié)果.由圖2可以看出,在狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽間距離d>4μm以后的范圍,SPPs理論推導(dǎo)的結(jié)果和FEM模擬結(jié)果能夠比較好地符合.對(duì)稱(chēng)雙凹槽對(duì)單縫透射增強(qiáng)的效果比沒(méi)有凹槽的遠(yuǎn)場(chǎng)透射增強(qiáng)了2.2倍左右,在透射增強(qiáng)的譜線上出現(xiàn)了雙峰,且左峰稍大于右峰,而在抑制透射的譜線谷底位置比較平坦.說(shuō)明用SPPs理論模型來(lái)解釋遠(yuǎn)場(chǎng)透射的周期變化還是合適的.但是在d<4μm的范圍內(nèi),SPPs理論模型推導(dǎo)的結(jié)果和FEM模擬計(jì)算的譜線的振幅、峰值位置結(jié)果都有所差異.FEM結(jié)果可以看到透射增強(qiáng)的譜線雙峰上右峰明顯大于左峰,特別是狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽間距離d=594 nm處的規(guī)約化功率透射系數(shù)可以達(dá)到3.81,而SPPs推導(dǎo)的透射譜振幅基本上是恒定的,這是SPPs理論無(wú)法解釋的.為此我們引入CDEW模型來(lái)對(duì)SPPs理論模型進(jìn)行修正.

圖2 (網(wǎng)刊彩色)FEM數(shù)值計(jì)算、SPPs模型和SPPs-CDEW混合模式模型給出的隨縫槽間距d周期變化的規(guī)約化遠(yuǎn)場(chǎng)透射譜Fig.2.(color online)Normalized transmission versus the distance of groove and slit d given by FEM numerical computation,SPPs model,and SPPs-CDEW hybrid model.

2.3SPPs-CDEW混合模式單狹縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽異常透射模型

CDEW模型[7]把入射光在狹縫、凹槽等缺陷處散射的各種頻率的電磁波分為輻射波和表面波,其中波矢kx<|k0|的部分為輻射出去的輻射模式,波矢kx>|k0|的部分表示波矢大于入射光的表面衰逝模式.所有沿表面?zhèn)鞑サ乃ナ挪?SPPs也是表面衰逝波中的一種)看成一個(gè)復(fù)合的波包來(lái)近似處理,CDEW波本質(zhì)上是入射光在狹縫、凹槽等缺陷處產(chǎn)生的衍射波的集合,其沿表面?zhèn)鞑サ碾妶?chǎng)表達(dá)式可近似表示為

其中A0為振幅系數(shù),w是縫或槽的寬度,φ是使縫槽距離d=594 nm時(shí)達(dá)到最大透射峰的初始相位,擬合系數(shù)分別是A0=1,φ=0.447π,ksurf是CDEW表面波的平均波矢

從(3)式可以看出,隨著縫槽距離d的增大CDEW波的振幅會(huì)下降并與d成反比關(guān)系,說(shuō)明CDEW波易衰減.為了更好地解釋FEM模擬(如圖2中黑色實(shí)線)的規(guī)約化功率透射譜振幅強(qiáng)度隨著傳播長(zhǎng)度x的增加而下降的現(xiàn)象,本文引入CDEW模型對(duì)SPPs理論模型進(jìn)行修正,提出SPPs-CDEW混合模式模型,得到單縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽內(nèi)傳播基模的耦合系數(shù)S為

其中ESPP取自(2)式,

ECDEW由(3)式給出,p,q分別表示SPPs模式和CDEW模式各自所占的模式比例系數(shù),規(guī)約化后的遠(yuǎn)場(chǎng)功率透射譜仍由|S/t0|2給出,得到的SPPs-CDEW混合模式模型結(jié)果和FEM模擬結(jié)果基本符合,如圖2中紅色實(shí)線所示:紅色實(shí)線代表利用(4)式SPPs-CDEW混合模式模型計(jì)算出的結(jié)果.特別是在d<4μm的范圍內(nèi),在透射增強(qiáng)的譜線上出現(xiàn)的雙峰中右峰大于左峰.且圖2中黑色譜線FEM計(jì)算的振幅下降、峰值位置結(jié)果與本文SPPs-CDEW混合模式模型(紅色實(shí)線)預(yù)測(cè)的結(jié)果一致,說(shuō)明在狹縫和對(duì)稱(chēng)凹槽距離較近時(shí)(d<4μm),遠(yuǎn)場(chǎng)透射是由SPPs和CDEW共同決定的.其中CDEW振幅隨傳播距離衰減的特性決定了透射振幅的下降現(xiàn)象,特別是前兩個(gè)透射譜線峰值的增強(qiáng),以及右峰大于左峰的增強(qiáng),很大一部分是CDEW波的貢獻(xiàn);當(dāng)CDEW波隨著傳播距離迅速衰減后,SPPs主導(dǎo)了規(guī)約化的遠(yuǎn)場(chǎng)透射譜,SPPs決定了透射峰的位置和振幅.如從第三個(gè)透射峰之后,透射峰振幅基本保持2.2恒定不變,并且d>4μm的范圍內(nèi)透射譜增強(qiáng)區(qū)域出現(xiàn)的雙峰中左峰大于了右峰.

3 全光二極管的設(shè)計(jì)

圖3 (a)基于單狹縫-多凹槽納米結(jié)構(gòu)全光二極管結(jié)構(gòu)示意圖;(b)有限元法計(jì)算的隨縫槽間距d周期變化的規(guī)約化遠(yuǎn)場(chǎng)透射譜Fig.3.(a)Schematic of optical diode based on a subwavelength nanosingle slit surrounded by symmetric multi-grooves on silver fi lm;(b)normalized transmission versus the distance of groove and slit d calculated by the fi nite element method.

本文所提出的基于單狹縫-多凹槽納米結(jié)構(gòu)的全光二極管的結(jié)構(gòu)如圖3(a)所示,深灰色區(qū)域是銀膜,在厚度E=200 nm的銀膜上開(kāi)了一條單縫,單狹縫兩側(cè)上下銀膜表面分別對(duì)稱(chēng)刻蝕了n對(duì)凹槽和m對(duì)凹槽,狹縫和凹槽寬度都為w=100 nm,凹槽深度h=100 nm.垂直入射在該全光二極管的TM平面波(p極化波)的波長(zhǎng)為λ=850 nm,并穿過(guò)狹縫形成遠(yuǎn)場(chǎng)透射.上表面凹槽的位置由凹槽中心點(diǎn)的x坐標(biāo)給定,分別是L?n,···,L?2,L?1,L1,L2,···,Ln(由于單縫中心的坐標(biāo)是0,所以x坐標(biāo)的絕對(duì)值|x|即為縫槽距離d),由于凹槽的對(duì)稱(chēng)性有L?n=?Ln,n代表上表面對(duì)稱(chēng)凹槽的對(duì)數(shù);下表面凹槽的位置也由凹槽中心點(diǎn)的x坐標(biāo)給定,分別為,由于凹槽的對(duì)稱(chēng)性有代表下表面對(duì)稱(chēng)凹槽的對(duì)數(shù).

為了實(shí)現(xiàn)光波的單方向透射,本文嚴(yán)格規(guī)定該結(jié)構(gòu)中對(duì)稱(chēng)凹槽的位置坐標(biāo):T1表示入射光從上往下垂直入射該結(jié)構(gòu)的透射率|S1|2,稱(chēng)為正向增強(qiáng)透射,T0表示入射光垂直入射沒(méi)有刻蝕凹槽的單縫結(jié)構(gòu)的透射率|t0|2,上表面對(duì)稱(chēng)凹槽用于激發(fā)SPPs并且增強(qiáng)透射,金屬銀膜上表面的凹槽都分布在如圖3(b)所示規(guī)約化透射譜的峰值位置,用紅色數(shù)字標(biāo)出其位置L1=594 nm,L2=1408 nm,L3=2232 nm,L4=3060 nm,L5=3890 nm,L6=4720 nm,L7=5344 nm,L8=6177 nm,L9=7012 nm;T2表示入射光從下往上垂直入射該結(jié)構(gòu)的規(guī)約化透射率|S2|2,稱(chēng)為反向抑制透射,下表面對(duì)稱(chēng)凹槽用于激發(fā)SPPs并且削弱透射,但是如圖3(b)所示規(guī)約化透射譜的谷底位置都比較平坦,除了前兩個(gè)谷底(用藍(lán)色數(shù)字標(biāo)出其位置,在結(jié)果與分析里討論),其他谷底沒(méi)有明顯的最小值,經(jīng)FEM計(jì)算證明,產(chǎn)生削弱作用最明顯的凹槽分布在單縫-單槽規(guī)約化透射譜的谷底位置[6,8,37],即金屬銀膜下表面的凹槽分布在其中λSPPs為入射光垂直照射在銀膜表面上激發(fā)的SPPs的波長(zhǎng)λSPPs=840 nm.由一束波長(zhǎng)λ=850 nm的TM平面波光源垂直入射該單狹縫-多凹槽結(jié)構(gòu)時(shí),凹槽激發(fā)的表面等離子體極化激元和狹縫透射的平面波在金屬膜表面發(fā)生干涉,造成進(jìn)入納米狹縫中的光場(chǎng)強(qiáng)度的起伏.銀膜上表面處刻蝕的對(duì)稱(chēng)凹槽位置正好位于干涉相長(zhǎng)最強(qiáng)的位置,而下表面上的對(duì)稱(chēng)凹槽位置位于干涉相消最大的位置,干涉波最終穿過(guò)狹縫形成遠(yuǎn)場(chǎng)透射,因此光從上往下增強(qiáng)透射而相反方向抑制透射,這樣就實(shí)現(xiàn)了全光二極管光束的單向透過(guò)功能.圖4(a)和圖4(b)給出了該單狹縫-多凹槽納米結(jié)構(gòu)隨對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)n變化的透射譜.圖4(a)表示入射光從上往下正向增強(qiáng)透射的規(guī)約化透射率T1/T0(即|S1/t0|2),其中黑色實(shí)心矩形表示在金屬銀膜下表面沒(méi)有刻蝕抑制透射凹槽(m=0)的情況,藍(lán)色實(shí)心三角形表示在金屬銀膜下表面刻蝕抑制透射凹槽對(duì)數(shù)目與上表面刻蝕增強(qiáng)透射凹槽對(duì)數(shù)目相等(m=n)的情況,紅色實(shí)心球體表示在金屬銀膜下表面刻蝕抑制透射凹槽對(duì)數(shù)目為6(m=6,最優(yōu)數(shù))的情況.這三條透射譜正向增強(qiáng)規(guī)約化透射率T1/T0都隨著上表面對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)目n的增加逐漸增加,并且在下表面刻蝕抑制透射凹槽對(duì)正向增強(qiáng)透射率T1/T0的提高有增大作用,由圖4(a)可以看到,藍(lán)色和紅色實(shí)線都比黑色實(shí)線在同等n下提高不少.由圖4(a)看到三條透射譜都在上表面對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)目n=6到n=7有一個(gè)臺(tái)階提升,這是因?yàn)槿鐖D3(b)所示規(guī)約化透射譜的第6個(gè)峰值位置L6=4720 nm為右峰,第7個(gè)峰值位置L7=5344 nm為左峰,兩對(duì)凹槽距離較近,激發(fā)SPPs相互耦合提高正向增強(qiáng)透射率,第7個(gè)峰值之后透射率的增加趨于平緩.

圖4(b)表示入射光從下往上抑制透射的規(guī)約化透射率T2/T0(即|S2/t0|2),其中黑色實(shí)心矩形表示在金屬銀膜上表面沒(méi)有刻蝕增強(qiáng)透射凹槽(n=0)的情況,藍(lán)色實(shí)心三角形表示在金屬銀膜上表面刻蝕增強(qiáng)透射凹槽對(duì)的數(shù)目與下表面刻蝕抑制透射凹槽對(duì)的數(shù)目相等(n=m)的情況,這兩種情況m=0時(shí)T2/T0=1由于縱軸超出范圍沒(méi)有畫(huà)出,透射譜反向抑制規(guī)約化透射率T2/T0都隨著下表面對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)目m的增加逐漸降低,黑色曲線在m>4以后遠(yuǎn)場(chǎng)透射反而上升,藍(lán)色曲線在m=6達(dá)到最小透射率,約為0.00222,說(shuō)明99.78%的透射都被抑制了.并且在上表面刻蝕增強(qiáng)透射凹槽對(duì)下表面凹槽的抑制透射效果有增強(qiáng)作用,透射率再次下降,如圖4(b)中局部放大圖看到藍(lán)色實(shí)線在m>4條件下抑制透射率都要比黑色實(shí)線低一些.紅色實(shí)心球體表示在金屬銀膜下表面刻蝕抑制透射凹槽對(duì)的數(shù)目為固定數(shù)6(m=6,最優(yōu)數(shù))的反向抑制透射情況,可以看到反向抑制透射率基本沒(méi)有變化,從n=0(上表面沒(méi)有槽)的0.01274到n=4的0.00185達(dá)到最小值,在n>4以后遠(yuǎn)場(chǎng)透射緩慢上升.

圖4 (a)單狹縫-對(duì)稱(chēng)多凹槽結(jié)構(gòu),隨兩側(cè)對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)n增加得到的正向增強(qiáng)透射譜;(b)單狹縫-對(duì)稱(chēng)多凹槽結(jié)構(gòu),隨兩側(cè)對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)m增加得到的反向抑制透射譜;(c)入射波長(zhǎng)為850 nm時(shí),消光比隨對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)n增加的變化;(d)上表面對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)n=5,下表面對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)m=6構(gòu)成的最優(yōu)全光二極管,消光比隨入射波長(zhǎng)變化的曲線Fig.4.(a)Forward enhanced transmission versus the pairs number n of grooves in the single slit-symmetric multigrooves structure;(b)reverse weaken transmission versus the pairs number m of grooves in the single slit-symmetric multi-grooves structure;(c)extinction ratio versus the pairs number n of grooves in the single slit-symmetric multigrooves structure when the incident wavelength=850 nm;(d)extinction ratio versus the wavelength of incident light for an optimal optical diode of n=5 on the top surface and m=6 on the bottom surface.

消光比是二極管的一個(gè)極為重要的指標(biāo).消光比的定義如下:若光沿一個(gè)方向和其反方向的透射率分別為T(mén)F和TB,那么消光比為S=10[lg(TF/TB)],單位是dB.消光比代表了兩個(gè)方向透射的對(duì)比度.顯然,要想實(shí)現(xiàn)二極管比較好的單向通過(guò)效果,就要該結(jié)構(gòu)有比較高的消光比.圖4(c)給出了三種情況的消光比隨對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)n增加而得到的變化曲線.其中黑色實(shí)心矩形表示只在金屬銀膜一個(gè)表面刻蝕對(duì)稱(chēng)凹槽(正向增強(qiáng)m=0而反向抑制n=0)的情況,藍(lán)色實(shí)心三角形表示在金屬銀膜上下兩個(gè)表面刻蝕凹槽對(duì)的數(shù)目相等(m=n)的情況.可以明顯看出藍(lán)色曲線在n>4后明顯比黑色曲線消光比提高很多,并且一直上升,到m=n=6時(shí)達(dá)到最大消光比37.78 dB,而在m=n>6之后逐漸穩(wěn)定且有所下降,所以本文確定該全光二極管的下表面在單狹縫兩側(cè)各對(duì)稱(chēng)分布6個(gè)凹槽為最優(yōu).接下來(lái)確定上表面凹槽對(duì)數(shù).圖4(c)中紅色實(shí)心球體表示在金屬銀膜下表面刻蝕抑制透射凹槽對(duì)的固定數(shù)目為6(m=6,最優(yōu)數(shù))的消光比隨上表面對(duì)稱(chēng)凹槽對(duì)數(shù)n的變化.隨著n的增加,消光比也逐漸增加并且比藍(lán)色曲線要高,在n=5時(shí)達(dá)到最大消光比,值約為38.3 dB,此時(shí)的正向透射強(qiáng)度是反向透射強(qiáng)度的6761倍,比文獻(xiàn)[37]的最大消光比23.71 dB高出14.6 dB,消光比得到顯著提高,實(shí)現(xiàn)了有效的單向透射效果.由此得出本文提出的全光二極管的最佳結(jié)構(gòu):上表面在單狹縫兩側(cè)各對(duì)稱(chēng)分布5個(gè)凹槽(n=5),下表面對(duì)稱(chēng)刻蝕6對(duì)凹槽(m=6),凹槽位置如前文所述.

4 結(jié)果與分析

本文所提出的基于單狹縫-多凹槽結(jié)構(gòu)的全光二極管在銀膜上表面有5對(duì)凹槽(n=5),下表面對(duì)稱(chēng)刻蝕6對(duì)凹槽(m=6).如果由于長(zhǎng)度尺寸限制,只能在下表面刻蝕1對(duì)凹槽(m=1)或者2對(duì)凹槽(m=2)時(shí)建議采用圖3(b)所示規(guī)約化透射譜的前兩個(gè)谷底最小值(用藍(lán)色標(biāo)記標(biāo)出),即金屬銀膜下表面的前兩對(duì)凹槽分布在L′1=949 nm,,因?yàn)榍皟蓚€(gè)谷底位置比較尖銳,可以很好地抑制反向透射,上表面的凹槽對(duì)位置不變.由FEM計(jì)算得到當(dāng)n=1,m=1時(shí)(上下表面各一對(duì)凹槽)正向增強(qiáng)的規(guī)約化透射率T1/T0=5.227,比第三節(jié)討論的結(jié)果4.874(如圖4(a)藍(lán)色實(shí)心三角形當(dāng)n=1的值)要大0.45;且反向抑制的規(guī)約化透射率T2/T0=0.1665,比第三節(jié)討論的結(jié)果0.2166(如圖4(b)藍(lán)色實(shí)心三角形當(dāng)m=1的值)要小0.05,說(shuō)明新選定的一對(duì)抑制凹槽位置抑制反向透射的效果更好,消光比10[lg(T1/T2)]=14.97 dB比第三節(jié)討論的結(jié)果13.52 dB(如圖4(c)藍(lán)色實(shí)心三角形當(dāng)n=1的值)提高1.45 dB.當(dāng)n=2,m=2時(shí)(上下表面各兩對(duì)凹槽)正向增強(qiáng)的規(guī)約化透射率T1/T0=9.077,比圖4(a)藍(lán)色實(shí)心三角形當(dāng)n=2的結(jié)果8.165大0.91;且反向抑制的規(guī)約化透射率T2/T0=0.03076,比圖4(b)藍(lán)色實(shí)心三角形當(dāng)m=2的結(jié)果0.06639小0.036,說(shuō)明新選定的兩對(duì)抑制凹槽位置抑制反向透射的效果更好,消光比10[lg(T1/T2)]=24.7 dB要比如圖4(c)藍(lán)色實(shí)心三角形當(dāng)n=2的結(jié)果20.9 dB提高3.8 dB.但是在金屬銀膜下表面刻蝕三對(duì)凹槽或更多對(duì)數(shù)時(shí)采用新的抑制凹槽位置反而不如原來(lái)的位置效果好,消光比都有所下降,原因就是圖3(b)所示規(guī)約化透射譜從第三個(gè)開(kāi)始后面的谷底都比較平坦,很難確定出最小值,反而用單縫-單凹槽規(guī)約化透射譜的谷底位置為最佳,說(shuō)明單縫-單凹槽激發(fā)的SPPs在反向抑制透射中起決定作用.

在長(zhǎng)度尺寸允許的條件下,還是選取下表面6對(duì)抑制凹槽,上表面5對(duì)增強(qiáng)凹槽的結(jié)構(gòu),且凹槽位置取第三節(jié)討論的位置為最優(yōu),此時(shí)850 nm平面波垂直入射時(shí)正向增強(qiáng)的規(guī)約化透射率T1/T0=12.77,而反向抑制的規(guī)約化透射率T2/T0=0.00189,消光比10[lg(T1/T2)]=38.3 dB為最大.同時(shí)本文也研究了入射光不同波長(zhǎng)λ對(duì)該光二極管消光比的影響,金屬銀膜的相對(duì)介電常數(shù)的值隨波長(zhǎng)變化,可參考Drude模型[42]:εAg(ω)=,其中ε∞=1為帶間躍遷對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn),為等離子體諧振頻率,γ=0.7584×1014rad/s為電子碰撞頻率,計(jì)算結(jié)果如圖4(d)中紅色實(shí)線所示,在850 nm波長(zhǎng)附近,消光比大于20 dB的波長(zhǎng)范圍從834 nm到902 nm(近紅外短波波段),范圍在70 nm左右,比文獻(xiàn)[37]的帶寬50 nm寬20 nm,說(shuō)明該全光二極管在一個(gè)比較寬的波段上都有很好的單向透射效果,在850 nm達(dá)到最大的消光比38.3 dB.為了驗(yàn)證該全光二極管寬頻帶工作的特性,本文再采用Drude模型[16]:ε∞=3.7,ωp=9.1 eV=1.3826×1016rad/s,γ=0.018 eV=2.7348×1013rad/s,計(jì)算結(jié)果如圖4(d)中黑色實(shí)線所示.在848 nm波長(zhǎng)附近,消光比大于20 dB的波長(zhǎng)范圍也在70 nm左右.

為了更加清晰直觀地了解SPPs對(duì)透射的增強(qiáng)和削弱過(guò)程,本文用FEM方法計(jì)算了達(dá)到最大消光比時(shí)波長(zhǎng)850 nm入射光正向透射增強(qiáng)和反向透射削弱下該全光二極管的近場(chǎng)平均電場(chǎng)模值分布圖,如圖5(a)和圖5(b)所示.圖5(a)顯示的是光從上往下入射時(shí),正向透射T1被增強(qiáng)的情況,下面的圖是藍(lán)色框部分被放大的場(chǎng)分布圖.從中可以看到在金屬銀膜的上下表面和狹縫以及凹槽中都觀察到比較強(qiáng)的電場(chǎng)分布,說(shuō)明此時(shí)周?chē)鷮?duì)稱(chēng)凹槽激發(fā)的SPPs確實(shí)使大量的電場(chǎng)能量進(jìn)入狹縫,達(dá)到增強(qiáng)透射的效果.圖5(b)顯示的是光從下往上入射時(shí),反向透射T2被截止的情況,下面的圖是藍(lán)色框部分被放大的場(chǎng)分布圖.從中可以看到電場(chǎng)只分布在金屬銀膜的下表面上,狹縫中和金屬銀膜的上表面幾乎沒(méi)有任何電場(chǎng)分布,說(shuō)明此時(shí)周?chē)鷮?duì)稱(chēng)凹槽激發(fā)的SPPs很強(qiáng)地削弱了電場(chǎng)能量進(jìn)入狹縫,入射光能量無(wú)法進(jìn)入狹縫傳播到另一側(cè),達(dá)到了反向抑制透射的效果,由此實(shí)現(xiàn)了該全光二極管光束單向透過(guò)的效果.

圖5 FEM計(jì)算的消光比為38.3 dB時(shí)光二極管中平均電場(chǎng)強(qiáng)度模值分布(a)入射光從上往下入射,正向增強(qiáng)透射時(shí)的平均電場(chǎng)強(qiáng)度模值分布(下表面有抑制凹槽);(b)入射光從下往上入射,反向抑制透射時(shí)的平均電場(chǎng)強(qiáng)度模值分布(上表面有增強(qiáng)凹槽);(c)入射光從上往下入射,正向增強(qiáng)透射時(shí)的平均電場(chǎng)強(qiáng)度模值分布(下表面無(wú)抑制凹槽);(d)入射光從下往上入射,反向抑制透射時(shí)的平均電場(chǎng)強(qiáng)度模值分布(上表面無(wú)增強(qiáng)凹槽)Fig.5.Average electrical fi eld intensity distribution calculated by FEM when the extinction ratio of optical diode is 38.3 dB:(a),(c)Forward enhanced transmission illuminated from top to bottom((a)with grooves on the bottom surface,(c)no grooves on the bottom surface);(b),(d)reverse weaken transmission illuminated from bottom to top((b)with grooves on the top surface,(d)no grooves on the top surface).

為了研究正向增強(qiáng)透射時(shí)銀膜反向抑制凹槽激發(fā)的SPPs對(duì)透射增強(qiáng)的加強(qiáng)作用和反向抑制透射時(shí)銀膜正向增強(qiáng)凹槽激發(fā)的SPPs對(duì)透射的削弱再削弱過(guò)程,本文用FEM方法計(jì)算了銀膜反向沒(méi)有抑制凹槽條件下光正向透射增強(qiáng)和銀膜正向沒(méi)有增強(qiáng)凹槽條件下反向透射削弱時(shí),該光二極管的近場(chǎng)平均電場(chǎng)模值分布圖,如圖5(c)和圖5(d)所示,并與圖5(a)和圖5(b)進(jìn)行比較.圖5(c)顯示的是金屬銀膜下表面沒(méi)有抑制凹槽的條件下,入射光從上往下正向入射時(shí),正向透射T1被增強(qiáng)的電場(chǎng)模值分布,和圖5(a)比較可以看出,在下表面有抑制凹槽的圖5(a)在金屬銀膜的上下表面和狹縫以及凹槽中都觀察到更強(qiáng)的電場(chǎng)分布,特別是在被放大的場(chǎng)分布圖中,單縫下出射口可以看到有更強(qiáng)(偽彩色圖偏白色更多)的電場(chǎng)分布,定量的研究如圖4(a)所示紅色實(shí)心球(m=6,下表面有六對(duì)抑制凹槽)在上表面凹槽對(duì)數(shù)為n=5時(shí)透射率為12.77,而黑色矩形(m=0,下表面沒(méi)有抑制凹槽)在n=5時(shí)為8.48,正向透射率明顯增強(qiáng).說(shuō)明圖5(a)中反向抑制凹槽激發(fā)的SPPs對(duì)正向透射的增強(qiáng)有加強(qiáng)作用.原因是銀膜反向的抑制凹槽和正向的增強(qiáng)凹槽激發(fā)的SPPs發(fā)生了耦合作用,反過(guò)來(lái)進(jìn)一步提高了正向銀膜表面增強(qiáng)凹槽激發(fā)SPPs的效率,SPPs使更多的電場(chǎng)能量進(jìn)入狹縫,達(dá)到比沒(méi)有反向抑制凹槽時(shí)透射增強(qiáng)的效果.

圖5(d)顯示的是金屬銀膜上表面沒(méi)有增強(qiáng)凹槽的條件下,入射光垂直從下往上反向入射時(shí),反向透射T2被削弱的電場(chǎng)模值分布,和圖5(b)比較可以看出:在上表面有增強(qiáng)凹槽的圖5(b)在金屬銀膜的上表面基本觀察不到有電場(chǎng)分布,而圖5(d)在金屬銀膜的上表面可以觀察到有電場(chǎng)分布,特別是場(chǎng)分布放大圖中,圖5(b)中銀膜的輪廓比圖5(d)中模糊,上半空間看不到有電場(chǎng)分布(偽彩色為黑色).定量的研究如圖4(b)所示,紅色實(shí)心球(n=5,上表面凹槽對(duì)數(shù)為5)在m=6(下表面有六對(duì)抑制凹槽)時(shí)反向透射率為0.001889,而黑色矩形(n=0,上表面沒(méi)有凹槽)在m=6時(shí)反向透射率為0.1274,反向透射率明顯減弱.說(shuō)明圖5(b)中正向增強(qiáng)凹槽激發(fā)的SPPs對(duì)反向透射的削弱有增強(qiáng)作用,原因是銀膜正向的增強(qiáng)凹槽和反向的抑制凹槽激發(fā)的SPPs發(fā)生了耦合作用,反過(guò)來(lái)進(jìn)一步提高了銀膜下表面凹槽激發(fā)SPPs的效率,SPPs使更多的入射光干涉相消,使進(jìn)入狹縫傳播到另一側(cè)并形成遠(yuǎn)場(chǎng)透射的能量更少,達(dá)到比沒(méi)有正向增強(qiáng)凹槽時(shí)所透射削弱更削弱的效果.

5 結(jié)論

本文設(shè)計(jì)了一種基于SPPs-CDEW混合模式的亞波長(zhǎng)單縫-多凹槽納米結(jié)構(gòu)全光二極管.并用理論推導(dǎo)分析了單縫-對(duì)稱(chēng)雙凹槽納米結(jié)構(gòu)的透射增強(qiáng)現(xiàn)象,給出了透射增強(qiáng)和削弱的物理機(jī)理,總結(jié)出規(guī)約化透射率隨凹槽和狹縫之間的距離變化的遠(yuǎn)場(chǎng)透射譜,本文給出的理論和有限元算法數(shù)值計(jì)算的結(jié)果符合得很好.通過(guò)此透射譜確定最優(yōu)的凹槽位置和數(shù)量:銀膜上表面在單狹縫兩側(cè)對(duì)稱(chēng)分布5對(duì)凹槽(n=5),下表面對(duì)稱(chēng)刻蝕6對(duì)凹槽(m=6).上表面5對(duì)凹槽位置分布在透射譜透射增強(qiáng)的峰值位置,下表面6對(duì)凹槽位置仍然采用單縫-單凹槽規(guī)約化透射譜的谷底位置,并通過(guò)計(jì)算對(duì)原因進(jìn)行了說(shuō)明,這樣就設(shè)計(jì)出利用SPPs的增強(qiáng)和削弱透射特性,實(shí)現(xiàn)入射光正向入射的透射T1被增強(qiáng)而反向入射的透射T2被截止的單向通過(guò)效果.此方案的消光比(或稱(chēng)為非互易導(dǎo)通率)最大可以達(dá)到38.3 dB,比已有文獻(xiàn)[37]最大消光比23.71 dB提高了14.6 dB.并可以在850 nm左右70 nm寬的波長(zhǎng)范圍上正常工作(消光比>20 dB),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)寬頻帶的光信號(hào)的單向?qū)?分析了銀膜另一側(cè)凹槽對(duì)透射增強(qiáng)或削弱的增強(qiáng)作用,給出了物理解釋.本文提出的全光二極管有效增強(qiáng)了光束的單向透射性,提高了消光比,從理論上設(shè)計(jì)出了實(shí)用、耦合效率高、實(shí)現(xiàn)寬頻帶單向透過(guò)性、易于大規(guī)模集成的全光二極管器件.

感謝亞利桑那州立大學(xué)潘光文(George W.Pan)教授的討論.

[1]Barnes W L,Dereux A,Ebbesen T W 2003 Nature 424 824

[2]Ebbesen T W,Lezec H J,Ghaemi H F,Thio T,Wol ffP A 1998 Nature 391 667

[3]Treacy M M J 2002 Phys.Rev.B 66 195105

[4]Porto J A,Garcia-Vidal F J,Pendry J B 1999 Phys.Rev.Lett.83 2845

[5]Went H E,Hibbins A P,Sambels J R,Lawrence C R,Crick A P 2000 Appl.Phys.Lett.77 2789

[6]Gay G,Alloschery O,Viarisde Lesegno B,O’Dwyer C,Weiner J,Lezec H J 2006 Nat.Phys.2 262

[7]Lezec H J,Thio T 2004 Opt.Express 12 3629

[8]Lalanne P,Hugonin J P 2006 Nat.Phys.2 551

[9]Lopez-Tejeira F,Rodrigo S G,Martin-Moreno L,Garcia-Vidal F J,Devaux E,Ebbesen T W,Krenn J R,Radko I P,Bozhevolnyi S I,Gonzalez M U,Weeber J C,Dereux A 2007 Nat.Phys.3 324

[10]Garcia-Vidal F J,Martin-Moreno L,Ebbesen T W,Kuipers L 2010 Rev.Mod.Phys.82 729

[11]Crouse D,Keshavareddy P 2005 Opt.Express 13 7760

[12]Lalanne P,Hugonin J P,Rodier J C 2005 Phys.Rev.Lett.95 263902

[13]Garcia-Vidal F J,Lezec H J,Ebbesen T W,Martin-Moreno L 2003 Phys.Rev.Lett.90 21

[14]Bravo-Abad,Martin-Moreno L,Garcia-Vidal F J 2004 Phys.Rev.E 69 026601

[15]Zhou Y S,Gu B Y,Wang H Y,Lan S 2009 Eur.Phys.Lett.85 24005

[16]Lu Y Q,ChengXY,Xu M,Xu J,Wang J 2016 Acta Phys.Sin.65 204207(in Chinese)[陸云清,成心怡,許敏,許吉,王瑾2016物理學(xué)報(bào)65 204207]

[17]Lezec H J,Degiron A,Devaux E,Linke R A,Martinmoreno L,Garciavidal F J,Ebbesen T W 2002 Science 297 820

[18]Chen J,Li Z,Zhang X,Xiao J,Gong Q 2013 Sci.Rep.3 1451

[19]Li H,Deng Z,Huang J,Li Y 2015 Opt.Lett.40 2572

[20]Xue C,Jiang H,Chen H 2010 Opt.Express 18 7479

[21]Liu Y F,Liu B,He X D,Li S J 2016 Acta Phys.Sin.65 064207(in Chinese)[劉云鳳,劉彬,何興道,李淑靜2016物理學(xué)報(bào)65 064207]

[22]Lu C,Hu X,Yang H,Gong Q 2011 Opt.Lett.36 4668

[23]Wang C,Zhou C Z,Li Z Y 2011 Opt.Express 19 26948

[24]LuC,Hu X,Zhang Y,Li Z,Xu X,Yang H,Gong Q 2011 Appl.Phys.Lett.99 051107

[25]Feng S,Ren C,Wang W,Wang Y 2013 Opt.Commun.289 144

[26]Amin K,Mohsen R,Ali P F,Khashayar M 2013 J.Opt.15 075501

[27]Kang M S,Butsch A,Russell P S 2011 Nat.Photo.5 549

[28]Liu L,Ding Y,Cai X,Zhang X 2016 Front.Optoelectron.9 489

[29]Zhu H B,Jiang C 2011 Opt.Lett.36 1308

[30]Bi L,Hu J,Jiang P,Kim D H,Dionne G F,Kimerling L C,Ross C A 2011 Nat.Photon.5 758

[31]Fan L,Wang J,Varghese L T,Shen H,Niu B,Xuan Y,Weiner A M,Qi M H 2011 Science 22 1214383

[32]Zhang X Z,Feng M,Zhang X Z 2013 Acta Phys.Sin.62 024201(in Chinese)[張學(xué)智,馮鳴,張心正2013物理學(xué)報(bào)62 024201]

[33]Bulgakov E N,Sadreev A F 2014 Opt.Lett.39 1787

[34]Haripadman P C,John H,Philip R,Gopinath P 2014 Appl.Phys.Lett.105 221102

[35]Sun Y,Tong Y,Xue C,Chen H 2013 Appl.Phys.Lett.103 091904

[36]Peng B,Ozdemir S K,Lei F,Moni fiF,Gianfreda M,Long G,Fan S,Nori F,Bender C M,Yang L 2014 Nat.Phys.10 394

[37]Min C J,Wang P,Jiao X J,Ming H 2007 Chin.Phys.Lett.24 2922

[38]Cao Q,Lalanne P 2002 Phys.Rev.Lett.88 057403

[39]Johnson P B,Christy R W 1975 Phys.Rev.B 11 1315

[40]Palik E D 1985 Handbook of Optical Constants of Solids(New York:Academic Press)p350

[41]Qi Y P,Miao J G,Hong S,Tentzeris M M 2010 IEEE Trans.Microw.Theory Tech.58 3657

[42]Vial A,Grimault A S,Macias D,Barchiesi D,Lamy D L C M 2005 Phys.Rev.B 71 085416

PACS:71.36.+c,73.20.Mf,42.25.Bs,78.67.PtDOI:10.7498/aps.66.117102

All-optical diode of subwavelength single slit with multi-pair groove structure based on SPPs-CDEW hybrid model?

Qi Yun-Ping1)?Nan Xiang-Hong1)Bai Yu-Long1)Wang Xiang-Xian2)
1)(College of Physics and Electronic Engineering,Northwest Normal University,Lanzhou 730070,China)
2)(School of Science,Lanzhou University of Technology,Lanzhou 730050,China)

27 December 2016;revised manuscript

22 March 2017)

All-optical diode is the most basic photonic device in integrated optical circuits.It is of great signi fi cance to develop a modulated optical diode for preparing complex optical circuits in the near future.However,there are few studies on constructing all-optical diodes in subwavelength metal micro-nano structured devices based on the hybrid model of surface plasmon polaritons(SPPs)and composite di ff racted evanescent wave(CDEW).In fact,most of the researches have been focusing on how to e ff ectively enhance the unidirectional nonreciprocal transmission of the optical diode and improve the extinction ratio.According to SPPs-CDEW hybrid states,in this paper we put forward a novel method of designing an optical diode and its structure.The structure consists of a subwavelength single micro-nano slit surrounded by symmetric multi-pair grooves on a silver fi lm.First of all,on the basis of the single slit structure of the silver fi lm,the pairs of the groove structures are etched on both sides of the silver fi lm:the positions and quantities of the grooves on the top and bottom surfaces are asymmetric.Then combining with an e ff ect similar to Fabry-Perot resonance e ff ect inside the micro-nano slit,the function of beam unidirectional transmission is achieved by controlling SPPs through changing the geometric parameters of the structure.Furthermore,in order to realize unidirectional nonreciprocal transmission,by means of theoretical derivation and the fi nite element method(FEM),in this paper we analyze the transmission enhancement phenomenon of single slit-symmetric pair of groove micro-nano structure,discuss the physical mechanisms of transmission enhancement and weakening,and also give the far fi eld transmission spectrum of the normalized transmission changing with the distance between slit and pair grooves.The results obtained from the rigorous theoretical formula are in excellent agreement with the numerical results obtained by using FEM.Finally,as the position and number of the pair grooves are precisely determined by this transmission spectrum,the optimized all-optical diode structure,of which the unidirectional transmission is e ff ectively enhanced and the extinction ratio of the optical diode is improved,is achieved with fi ve pairs of enhanced transmission grooves formed on the top surface of the Ag fi lm and six pairs of weakened transmission grooves formed on the bottom surface.The maximum extinction ratio reaches 38.3 dB,which means that the forward transmittance is 6761 times the reverse transmittance,i.e.,it increases 14.6 dB over the result from previous theoretical work.And there appears a 70 nm wavelength band width(>20 dB)in the operating wavelength 850 nm.The proposed optical diode has the advantages of simple structure,wide working bandwidth,easy integration,and high coupling efficiency.The research of the optical diode is valuable for the potential applications in optical signal transmission,optical integrated optical circuit,super-resolution lithography and other related fi elds.

optical diode,surface plasmon polaritons,nonreciprocal transmission,extinction ratio

10.7498/aps.66.117102

?國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61367005,41461078)資助的課題.

?通信作者.E-mail:yunpqi@126.com

?2017中國(guó)物理學(xué)會(huì)Chinese Physical Society

http://wulixb.iphy.ac.cn

*Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61367005,41461078).

?Corresponding author.E-mail:yunpqi@126.com