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        ZnO/CdS納米異質(zhì)節(jié)的特性及有機(jī)太陽能的應(yīng)用展望

        2017-07-10 22:51:53王楠孫超劉玉鵬孫瑜周麗宋連鵬
        科學(xué)與財富 2017年20期
        關(guān)鍵詞:納米線異質(zhì)納米材料

        王楠+孫超+劉玉鵬+孫瑜+周麗+宋連鵬+艾娉婷

        (1.海軍大連艦艇學(xué)院基礎(chǔ)部 大連 116018; 2.海軍大連艦艇學(xué)院海洋測繪系 大連 116018)

        摘要:由于能源緊缺,開發(fā)利用新能源成為全球聚焦點。一直以來單晶Si電池一直占太陽能電池主導(dǎo)地位,為使太陽能電池的轉(zhuǎn)換率提高,節(jié)約制作成本,我們在不斷研究新型材料。因此ZnO和CdS兩種材料研究熱點。本論文主要研究納米微觀下的ZnO,CdS材料,介紹ZnO/CdS納米異質(zhì)結(jié)的特性。對其針對太陽能的應(yīng)用進(jìn)行展望。

        1. 引言

        ZnO作為一種II-VI族半導(dǎo)體材料,無毒無害,易于制備,在太陽能電池及其它光電器件領(lǐng)域是一種很好的半導(dǎo)體材料。CdS是一種Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體由ⅡB族元素Cd和ⅥA族元素S組成。自然存在的CdS晶體有纖鋅礦和閃鋅礦兩種結(jié)構(gòu),一種極性半導(dǎo)體。CdS作為最早被人們認(rèn)知的半導(dǎo)體材料之一,太陽能器件的研究制造中得到了廣泛的應(yīng)用。本論文將ZnO、CdS兩種納米材料作為研究對象。

        2.太陽能電池及其應(yīng)用展望

        太陽能發(fā)電是一種可再生的環(huán)保發(fā)電方式,被廣泛推廣。太陽能電池一般由硅制成,但其成本高,轉(zhuǎn)換效率低,材料緊缺且含有有毒物質(zhì)。如何提高太陽光線利用率,采用成本低廉無污染材料,成為主要研究課題。當(dāng)前的太陽能電池,包括了晶體硅電池、薄膜電池以及其他材料電池。其中硅電池又分為單晶電池、多晶電池和無定形硅薄膜電池等。薄膜電池又分薄膜太陽能電池和柔性沉底薄膜太陽能電池。其中硅基太陽能電池應(yīng)用較為廣泛,但薄膜太陽能電池具有質(zhì)量輕、價格低廉、性能良好、工藝制作簡單易于大規(guī)模生產(chǎn)等特點。因此現(xiàn)如今越來越多的科學(xué)家開始研究柔性襯底薄膜太陽能電池。

        對于太陽能電池,由于光生載流子將在整個器件內(nèi)產(chǎn)生,因此要盡量增加太陽光的接觸面積,使電子空穴對的分離和收集更有效,從而增加材料的光吸收效率。因此設(shè)計了納米線陣列結(jié)構(gòu),通過包覆不同的納米材料。這樣使單位面積上的接觸面積增大,可以把每一根納米棒都想象成一個獨立的器件,在原基片上直接制成太陽電池,保留電池優(yōu)秀的光伏效率,提高光電轉(zhuǎn)換效率。如果器件厚度與入射光透射深度相當(dāng),并且體相少數(shù)載流子壽命足夠短的情況下,納米線結(jié)構(gòu)的太陽能電池的優(yōu)勢就更加的明顯。

        3.ZnO/CdS納米異質(zhì)節(jié)的特性

        ZnO是II-VI族的一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,室溫下其禁帶寬度為3.37eV。對紫外光具有強(qiáng)烈的吸收特性,并兼有壓電特性和熱電特性。ZnO納米材料在光電轉(zhuǎn)換、傳感器、納米機(jī)電系統(tǒng)、場發(fā)射器件、納米激光器等領(lǐng)域均有廣闊的應(yīng)用前景。可利用于紫外光探測器、發(fā)光二極管和激光二極管、氣敏傳感器、制作太陽能電池。

        CdS是一種Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體,早在1925年,Huggins就對其價電子分布做了系統(tǒng)的研究。

        其制備較為成熟,應(yīng)用廣泛,具有良好的可見光吸收,因此本文選用ZnO和CdS制備納米異質(zhì)結(jié)。

        首先,以FTO薄膜作為襯底,通過磁控濺射濺射一層種晶層,利用水熱合成法生長出ZnO均勻分布的納米線陣列。接著利用三電極沉積法在ZnO納米線陣列上均勻包覆了一層CdS薄膜,構(gòu)筑了ZnO/CdS異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜材料,如圖2可見,CdS分布較為均勻。可以進(jìn)行異質(zhì)結(jié)陣列的研究。

        在研究的過程當(dāng)中,一般評定光電能量轉(zhuǎn)換效率有三條標(biāo)準(zhǔn):①高的光吸收性②有效的電荷分離③充分的電荷遷移。

        本實驗設(shè)計了ZnO/CdS納米核鞘異質(zhì)結(jié)陣列光電器件的實驗裝置,如圖3。分別在FTO和ZnO/CdS納米異質(zhì)結(jié)表面上引出兩個電極,制備原器件。為下一步柔性襯底太陽能電池的實驗研究,奠定了基礎(chǔ)。

        參考文獻(xiàn):

        [1] 倪興元,姚蘭芳,沈軍等.納米材料制備技術(shù).北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2007.

        [2] 周裁民,楊雄波,許瑞珍.納米材料的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J].科技信息,2008,(17):17-18.

        [3] 鄭春蕊.太陽能電池吸收層和窗口層材料的制備研究:(碩士學(xué)位論文).西安:西安理工大學(xué),2005.

        [4] 張喜田,肖芝燕,張偉力.高質(zhì)量納米ZnO薄膜的光致發(fā)光特性研究.物理學(xué)報.2003,52(3):740-744.

        [5] 楊少鵬,李占峰.ZnO薄層對體異質(zhì)結(jié)有機(jī)太陽能電池性能的影響[J].人工晶體學(xué)報.2011.589-593

        海軍大連艦艇學(xué)院資助立項課題

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