羅慶紅，劉怡俊，葉劍科，陶永耀，陽(yáng)昕，李邵川

（1.廣東工業(yè)大學(xué)，廣州 510006；2.炬芯(珠海)科技有限公司，珠海 519000；3.熠芯（珠海）微電子研究院有限公司，珠海 519000）

基于28nm工藝下的LVDS發(fā)送器設(shè)計(jì)

羅慶紅1，劉怡俊1，葉劍科1，陶永耀2，陽(yáng)昕2，李邵川3

（1.廣東工業(yè)大學(xué)，廣州 510006；2.炬芯(珠海)科技有限公司，珠海 519000；3.熠芯（珠海）微電子研究院有限公司，珠海 519000）

在對(duì)LVDS發(fā)送器電路的基本原理與結(jié)構(gòu)研究的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)一種高速低電壓差分信號(hào)(LVDS)發(fā)送器電路。電路采用臺(tái)灣積體電路制造公司（TSMC）的28nm HKMG工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，采用一種新型的數(shù)據(jù)同步采樣設(shè)計(jì)。仿真結(jié)果表明，該發(fā)送器電路在電源電壓為3.1V的工作條件下，有發(fā)送端匹配電阻存在的情況下，發(fā)送器在單端輸出擺幅400mV的情況下消耗平均功率為39mW。

廣東省和廣州市科技項(xiàng)目（No.2016B090904001、No.2016B090918126、No.2014B090901061、N2015B090901060、No.2015-B090908001、No.2014Y2-00211）

0 引言

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展以及社會(huì)信息化的程度越來(lái)越高，芯片之間的通信頻率要求越來(lái)越高，傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量也越來(lái)越大。此時(shí)傳統(tǒng)的傳輸技術(shù)遇到了挑戰(zhàn)，芯片通信速度成為了一個(gè)瓶頸問題。20世紀(jì)90年代，LVDS接口技術(shù)的出現(xiàn)，為解決當(dāng)前這一瓶頸問題提供了可能。LVDS（Low Voltage Differential Signaling）即低壓差分信號(hào)接口，具有傳輸速度高、抗噪聲能力強(qiáng)、功耗低、成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。目前，LVDS技術(shù)已得到廣泛的應(yīng)用。

本文給出的LVDS發(fā)送電路是在 TSMC 28nm HKMG工藝下設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。首先介紹了發(fā)送器的規(guī)格方案，然后對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了闡述和仿真，隨后給出了發(fā)送器的仿真結(jié)果及分析。

1 LVDS發(fā)送系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)格

圖1所示為L(zhǎng)VDS發(fā)送和接收基本架構(gòu)，包括奇偶兩個(gè)通道，每個(gè)通道包括4組data lane和1組clock lane，其中data率和clock頻率的關(guān)系為7:1，且clock的占空比為57.6%。這里，clock表征像素時(shí)鐘，data為一個(gè)像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的所有數(shù)據(jù)，包括色深以及 DE、VSYNC、HSYNC等，色深支持6bit和8bit。

下面給出單通道LVDS發(fā)送數(shù)據(jù)與RGB數(shù)據(jù)的映射關(guān)系，分為6位和8位色深兩種情況。對(duì)于6位色深，RGB數(shù)據(jù)為 3×6=18bit，再加同步信號(hào)（VSYNC、HSYNC）以及數(shù)據(jù)使能DE，一共21bit數(shù)據(jù)，所以只需要3個(gè)發(fā)送數(shù)據(jù)通道：TX0+/TX0-，TX1+/TX1-，TX2+/ TX2-，以及時(shí)鐘通道：TXCLK+/TXCLK-。對(duì)于8位色深，RGB數(shù)據(jù)為3×8=24bit，再加同步信號(hào)（VSYNC、HSYNC）以及數(shù)據(jù)使能DE，一共27bit數(shù)據(jù)，所以需要4個(gè)發(fā)送數(shù)據(jù)通道：TX0+/TX0-，TX1+/TX1-，TX2+/ TX2-，TX3+/TX3-，以及時(shí)鐘通道：TXCLK+/TXCLK-。

此外，還可以給出各種數(shù)據(jù)的映射功能，我們可以以此實(shí)現(xiàn)PCB的靈活走線。如果PCB走線連接到接收端的端口順序和發(fā)送端輸出的端口順序相反，那么不需要更改 PCB走線，只需要調(diào)整發(fā)送端發(fā)送數(shù)據(jù)的順序即可。

LVDS發(fā)送器電路由鎖相環(huán)、基準(zhǔn)電壓源、并串轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)器這幾大模塊組成。如圖2所示，PLL模塊為電路提供精準(zhǔn)時(shí)鐘，保證數(shù)據(jù)同步性，基準(zhǔn)電壓源為驅(qū)動(dòng)電路提供基準(zhǔn)偏置電壓。

2 LVDS發(fā)送系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)

LCD控制器會(huì)同時(shí)向LVDS發(fā)送端送出輸入數(shù)據(jù)LVDSIN<34:0>和輸入時(shí)鐘信號(hào)CK_LVDS。為了能夠準(zhǔn)確地對(duì)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行采樣，實(shí)現(xiàn)后續(xù)的模數(shù)接口轉(zhuǎn)換，需要合理安排采樣時(shí)序。

本設(shè)計(jì)中采用的方法如下：CK_LVDS用作內(nèi)部同步鎖相環(huán)PLL的參考輸入，PLL輸出和它同步的時(shí)鐘信號(hào)CK1X和CK7X，用作發(fā)送電路的并串轉(zhuǎn)換時(shí)鐘。在數(shù)據(jù)同步設(shè)計(jì)中，具體做法是：采用CK7X對(duì)CK1X進(jìn)行采樣，抓取三排之后輸出時(shí)鐘信號(hào)CKIN，然后用CKIN去采樣輸入數(shù)據(jù)LVDSIN<34:0>，由此可以實(shí)現(xiàn)安全采樣。

此外，考慮到輸入數(shù)據(jù)和輸入時(shí)鐘的時(shí)序關(guān)系，系統(tǒng)要求數(shù)據(jù)和時(shí)鐘在模數(shù)界面上要對(duì)齊，即時(shí)鐘偏移skew要小。本設(shè)計(jì)中給出skew約束，即data相比時(shí)鐘的skew為+-1ns范圍內(nèi)。

鎖相環(huán)（Phase Locked Loop，PLL）是LVDS接口系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊。在LVDS接口系統(tǒng)中，它為整個(gè)系統(tǒng)提供穩(wěn)定、精確的片內(nèi)時(shí)鐘。PLL的鎖定過程仿真及相位誤差仿真如圖3、圖4所示，TC、BC、WC分別為芯片的三種工作環(huán)境。

圖2 發(fā)送器電路結(jié)構(gòu)圖

圖3 PLL鎖定過程仿真

圖1 LVDS收發(fā)系統(tǒng)基本架構(gòu)

圖4 PLL相位誤差仿真

圖6 LVDS發(fā)送電路仿真

PLL整體仿真結(jié)果如表1所示,三種工作環(huán)境下，PLL電壓最終都達(dá)到穩(wěn)定，說明鎖相環(huán)可以正常進(jìn)入鎖定狀態(tài)，鎖定時(shí)間都小于8us，相位誤差小于20ps。此設(shè)計(jì)滿足最初的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。

表1 PLL整體仿真結(jié)果

圖5 發(fā)送器仿真模型

3 發(fā)送器電路仿真及功耗分析

發(fā)送器的仿真采用Agilent示波器和邏輯分析儀，仿真模型如圖5所示，輸出差分信號(hào)間跨接100歐姆的電阻 ，并分別接2pF的電容。

當(dāng)數(shù)據(jù)頻率為700MHz，共電極電壓V_COM= 1.05V時(shí)，發(fā)送器仿真結(jié)果如圖6所示。圖6為輸出低壓差分信號(hào)瞬態(tài)波形圖，發(fā)送器在700MHz數(shù)字信號(hào)的輸入頻率下，完成數(shù)字信號(hào)到低壓差分信號(hào)的轉(zhuǎn)化，其電壓幅度為372mV，共模電壓為1.28V，符合 LVDS標(biāo)準(zhǔn)輸出。輸出信號(hào)眼圖張開大，輸出穩(wěn)定。

當(dāng)設(shè)置芯片內(nèi)部電壓1.8V，電源電壓3.1V時(shí)，計(jì)算得到平均功耗為39mW。

4 結(jié)語(yǔ)

本文介紹了一種基于HKMG 28nm工藝的LVDS發(fā)送器。該發(fā)送器電路采用新型的數(shù)據(jù)同步采樣設(shè)計(jì)，使數(shù)據(jù)采樣更準(zhǔn)確，時(shí)序安排更合理。在電源電壓3.1V,芯片內(nèi)電壓1.8V的條件下，平均功耗為39mW。本設(shè)計(jì)已經(jīng)投入實(shí)際應(yīng)用，其性能可靠、穩(wěn)定，可廣泛集成于28nm工藝的數(shù)據(jù)通信及信號(hào)處理等芯片內(nèi)。

[1]Huang Xing-fa,Liang Li,Xu Kai-kai.A 0.35um CMOS 2.4 G b/s LVDS for High-Speed DAC.2009 IEEE 8th International Conference on ASIC

[2]Electrical Characteristics of Low-Voltage Differential-Signaling(LVDS)Interface Circuits,TIA/EIA-644.National Semiconductor Corp, ANSI/TIA/EIA,1996.

[3]莫遲，應(yīng)建華，鄒望輝.LVDS高速數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)與研究.華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版），2003，10，31（10）：13-15.

[4]Xu Jian,Wang Zhi-gong,Niu Xiao-kang.Design of High Speed LVDSTransceiver ICs[J].Journal of Semiconductors July，2010.

[5]矯逸書，周玉梅.千兆比特?cái)?shù)據(jù)率LVDS接口電路設(shè)計(jì)[J].固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2010，03.

Design of LVDS Transm itter Circuit Based on the 28nm Process

LUOQing-hong1，LIU Yi-jun1，YE Jian-ke1，TAO Yong-yao2，YANG Xin2，LIShao-chuan3
(1.Guangdong University of Technology，Guangzhou 51000；2.Actions(Zhuhai)Technology Co.Ltd.，Zhuhai 519000；3.Actions(Zhuhai)Microelectronics Research Institute Co.Ltd.，Zhuhai 519000)

Based on the research on the basic principle and structure of the LVDS transmitter circuit,designs a high-speed low voltage differential signal(LVDS)transmitter circuit.Designs the circuit by using 28nm HKMG process of Taiwan integrated circuitmanufacturing company (TSMC),uses a new type of data synchronization sampling design.The simulation results show that,in the power supply voltage is 3.1V working conditions,with the output swing of 400mV,the average power consumption of the transmitter circuit is 39mW.

羅慶紅（1988-），男，湖北襄陽(yáng)人，碩士，研究方向?yàn)樾l(wèi)星導(dǎo)航

2017-03-06

2017-05-02

1007-1423（2017）13-0038-04

10.3969/j.issn.1007-1423.2017.13.009

LVDS；數(shù)據(jù)傳輸；發(fā)送器；采樣；鎖相環(huán)（PLL）

LVDS;Data Transmission;Transmitter;Sampling;Phase-Locked Loop