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        淺談太陽電池電性能參數(shù)及影響因素

        2017-06-13 12:27:41代術(shù)華
        科學(xué)與財(cái)富 2017年16期
        關(guān)鍵詞:性能參數(shù)太陽電池漏電

        摘要: 太陽電池輸出特性是衡量太陽電池的一個(gè)重要參數(shù)。在不同負(fù)載和光強(qiáng)條件下,通過對(duì)特定型號(hào)的多晶硅太陽電池輸出實(shí)驗(yàn)研究,數(shù)據(jù)分析表明,硅太陽電池的伏安特性呈非線性;Voc、Isc等隨日照強(qiáng)度變化而變化。

        關(guān)鍵字:太陽電池、電性能參數(shù)、Rs、Rsh

        一、引言

        在20世紀(jì)的能源結(jié)構(gòu)中,人類主要利用的是一次能源。經(jīng)過長時(shí)間的消費(fèi),已消耗了相當(dāng)大的比例,且隨著人口的增長對(duì)能源的消費(fèi)將不斷增加。太陽能作為可再生能源已成為當(dāng)今主流,但目前晶體硅太陽電池所面臨的低效率已被全世界能源機(jī)構(gòu)研究討論。而影響太陽電池效率的因素除材料結(jié)構(gòu)、性質(zhì)外串聯(lián)電阻、并聯(lián)電阻、填充因子和環(huán)境因素都是影響太陽電池的轉(zhuǎn)換效率的主要因素。

        二、電性能參數(shù)介紹

        1. Rs、Rsh、Pmpp、FF各電性能參數(shù)之間的關(guān)系

        (1)在所有參數(shù)中,只有電壓和電流是測量值,其他參數(shù)均是計(jì)算值。

        (2)Pmpp為在I-V曲線上找一點(diǎn),使改點(diǎn)的電壓乘以電流所得最大,該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓就是最大功率點(diǎn)電壓Umpp,該點(diǎn)對(duì)應(yīng)得電流就是最大功率點(diǎn)電流Impp

        (3)Rs為在光強(qiáng)為1000W/M2和500W/M2下所得最大功率點(diǎn)的電壓差與電流差的比值,只是一個(gè)計(jì)算值,所以有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)負(fù)值的情況

        (4)Rsh為暗電流曲線下接近電流為0時(shí)曲線的斜率

        (5)Rs和Rsh決定FF

        (6)Rsh和Irev1、Irev2有對(duì)應(yīng)的關(guān)系

        2. Rs、Rsh組成及影響因素

        (1)Rs組成

        測試中的串聯(lián)電阻Rs主要由以下幾個(gè)方面組成:

        ①材料體電阻(可以認(rèn)為電阻率為ρ的均勻摻雜半導(dǎo)體)屬于固定電阻,也就是基本電阻;

        ②正面電極金屬柵線體電阻屬于固定電阻,也就是基本電阻;

        ③正面擴(kuò)散層電阻屬于固定電阻,也就是基本電阻;

        ④背面電極金屬層電阻屬于固定電阻,也就是基本電阻;

        ⑤正背面金屬半導(dǎo)體接觸電阻是變量電阻燒結(jié)效果的好壞直接影響Rs的最終值;

        ⑥外部因素影響,如探針和片子的接觸屬于外部測試因素,也會(huì)導(dǎo)致Rs變化

        燒結(jié)的關(guān)鍵就是歐姆接觸電阻,也就是金屬漿料與半導(dǎo)體材料接觸處的電阻。

        (2)Rsh組成

        測試中并聯(lián)電阻Rsh主要是由暗電流曲線推算出,主要由邊緣漏電和體內(nèi)漏電決定

        邊緣漏電主要由以下幾個(gè)方面決定:

        ①邊緣刻蝕不徹底

        ②硅片邊緣污染

        ③邊緣過刻

        體內(nèi)漏電主要幾個(gè)方面決定

        ①方阻和燒結(jié)的不匹配導(dǎo)致的燒穿

        ②由于鋁粉的沾污導(dǎo)致的燒穿

        ③片源本身金屬雜質(zhì)含量過高導(dǎo)致的體內(nèi)漏電

        ④工藝過程中的其他污染,如工作臺(tái)板污染、網(wǎng)帶污染、爐管污染、DI水質(zhì)不合格等

        (3) Rs、Rsh影響因素

        Rs、Rsh大小決定太陽電池輸出特性,理想太陽電池要求Rs越小越好,Rsh越大越好。Rs越小太陽電池輸出就越大,反之,Rs越大則影響太陽電池輸出效率。Rsh越大流過太陽電池并聯(lián)電阻的電流就越小,反之,Rsh越小流過太陽電池并聯(lián)電阻的電流就越大流過串聯(lián)電阻的電流就越小。

        Rs偏大原因

        ①擴(kuò)散方塊電阻是否存在偏大現(xiàn)象

        ②原始硅片電阻率是否偏大

        ③絲網(wǎng)印刷正面主副柵線虛印情況

        ④測試機(jī)探針是否正好壓到主柵線上

        ⑤印刷燒結(jié)設(shè)備及工藝問題

        Rsh偏低原因

        ①原材料因素-硅片中金屬雜質(zhì)含量過高、缺陷密度過大

        ②工藝因素-a、刻蝕時(shí)間過短、周邊N型層未全部除去或過刻

        b、SI3N4膜的致密性較差導(dǎo)致燒結(jié)易燒穿

        c、擴(kuò)散燒結(jié)溫度太高、方阻太高

        ③工藝工程污染-a、設(shè)備環(huán)境污染、爐管污染、工作臺(tái)

        b、 人為使用工具污染

        三、總結(jié)

        所以在電性能參數(shù)中,我們認(rèn)為,F(xiàn)F、Rs、Rsh這三個(gè)參數(shù)是緊密相連的一組??捎肦s、Rsh直觀地判斷FF的好壞。即Rs和Rsh主要影響FF,當(dāng)他們性能很差時(shí)對(duì)Voc和Isc的影響也是很顯著的。

        作者簡介:

        代術(shù)華 (1988.03),男,漢,四川安岳人,本科,助教,專業(yè):光伏材料應(yīng)用技術(shù),主要研究方向:光伏教育。

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