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        一種提高基于方程的電路優(yōu)化設(shè)計精度的方法

        2017-06-03 12:55:16吳世寶郭裕順
        物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 2017年5期

        吳世寶+郭裕順

        摘 要:文章意在建立一種提高基于方程的電路優(yōu)化設(shè)計精度的方法,可大幅減少仿真器的調(diào)用次數(shù),降低計算成本,同時又具備與基于仿真方法幾乎相同的精度。文中將方程的優(yōu)化結(jié)果作為出發(fā)點,通過構(gòu)造電路性能準確值與解析近似之間的差值增量模型,對一個誤差不斷減小的近似優(yōu)化問題迭代求解,逐步獲得問題的準確解,每一次迭代在上一次優(yōu)化解附近構(gòu)造新的差值增量模型。

        關(guān)鍵詞:模擬集成電路;基于方程的優(yōu)化方法;基于仿真的優(yōu)化方法;誤差增量模型

        中圖分類號:TP393 文獻標識碼:A 文章編號:2095-1302(2017)05-0-02

        0 引 言

        模擬集成電路設(shè)計通常分為三個步驟[1-3]:首先根據(jù)電路性能要求選擇合適的電路拓撲結(jié)構(gòu),然后設(shè)計電路參數(shù),最后設(shè)計版圖并驗證。而最為重要的是前兩步。在選好一個電路拓撲結(jié)構(gòu)后,如何完成電路的參數(shù)設(shè)計,即根據(jù)預(yù)期的電路性能參數(shù)來確定電路中器件尺寸、電阻、電容等參數(shù)的取值非常重要。傳統(tǒng)的設(shè)計方法首先根據(jù)電路設(shè)計指標列出方程,從方程中計算尺寸并進行仿真。如果所得結(jié)果不符合要求,則需更改方程得到新的器件尺寸繼續(xù)調(diào)試,不斷重復(fù)直至符合電路要求。這一過程繁瑣、冗長且難以保證結(jié)果,是模擬電路設(shè)計效率難以提高的主要原因。

        目前,電路領(lǐng)域提高電路設(shè)計效率的方法主要是基于優(yōu)化的方法?;趦?yōu)化的方法是將電路性能指標作為優(yōu)化的目標函數(shù),利用函數(shù)優(yōu)化的方法來完成電路設(shè)計。一般優(yōu)化設(shè)計方法有兩種,即基于方程的優(yōu)化和基于仿真的優(yōu)化。基于方程的優(yōu)化中目標函數(shù)由解析公式計算而得,雖然優(yōu)化速度快但精度低。基于仿真的優(yōu)化中目標函數(shù)通過電路仿真獲得,雖然精度高,但計算量大,優(yōu)化速度慢。

        如何獲得精度與基于仿真方法相當?shù)臏蚀_解,又使計算量不致過大,是近年來電路優(yōu)化研究領(lǐng)域備受關(guān)注的課題。人們雖采用多種方法嘗試,但最常見的是先構(gòu)造電路性能指標的宏模型,再進行優(yōu)化。宏模型的計算相當于一個解析式的計算,因此可較快完成,只要宏模型構(gòu)造得當,精度可達到與仿真接近的程度。需要研究的主要問題是宏模型的形式,如簡單多項式、統(tǒng)計回歸、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與模糊邏輯、SVM等,及宏模型的構(gòu)造算法。

        本文采取的方法是一種基于方程與誤差增量模型的混合優(yōu)化方法,可大幅減少仿真器的調(diào)用次數(shù),降低計算成本,同時又具備與基于仿真方法幾乎相同的精度。方法的主要思想是以基于方程的優(yōu)化結(jié)果作為出發(fā)點,通過構(gòu)造電路性能準確值與解析近似之間的差值增量模型,求解一系列誤差不斷減小的近似優(yōu)化問題,通過迭代逐步獲得問題的準確解;每一次迭代在上一次優(yōu)化解附近構(gòu)造新的差值增量模型再調(diào)用優(yōu)化算法,相當于采用基于方程的方法求解,因此速度很快;電路仿真只在構(gòu)建誤差增量模型時需要,而一次迭代解附近的誤差增量模型一般用二次多項式近似即可,因此所需仿真次數(shù)不多。整體上可達到既減少仿真次數(shù),又不影響精度的目的。我們稱這種方法為基于誤差增量模型的優(yōu)化方法。

        1 基于誤差增量模型的優(yōu)化

        電路性能指標的解析表達雖然存在誤差,但大致反映了性能隨設(shè)計變量的變化情況。將其準確值表達為:

        f(x)=fa(x)+fd(x) (1)

        其中,fa(x)是性能的近似解析表達,fd(x)=f(x)-fa(x)是誤差增量?;谶@一表達,本文提出的基于方程與基于仿真的混合優(yōu)化方法如下:

        (1)用基于方程的方法進行一次初始優(yōu)化,即求解:

        (2)

        獲得一個近似最優(yōu)解x0作為初始點;

        (2)在點xk附近構(gòu)造電路性能準確值與解析近似之間的誤差增量模型,包括目標函數(shù):

        (3)

        與約束函數(shù):

        (4)

        由于只需在一點附近的增量誤差近似,因此通常用二次插值即可構(gòu)造這一模型[4]。

        (3)求出如下問題的最優(yōu)解:

        (5)

        這一步的優(yōu)化目標與約束函數(shù)均是解析計算,因此可以很快完成。

        (4)重復(fù)步驟(2)、(3),直至該過程收斂。

        這種混合優(yōu)化方法的基本思想從基于方程的近似最優(yōu)解出發(fā),通過迭代逐步消除誤差,與一般非線性問題的迭代求解類似。該方法的特點在于充分利用了電路的性能解析表達式。解析表達雖有誤差,但包含了目標與約束函數(shù)的基本特性,反映了函數(shù)變化的總體趨勢,降低了每次迭代時誤差增量函數(shù)的復(fù)雜性,可用較簡單的函數(shù)形式近似,也有利于設(shè)計者更好地理解優(yōu)化過程。該方法既改善了電路性能解析表達式精度不高的問題,又可大幅減少仿真器調(diào)用次數(shù),提高優(yōu)化效率。

        2 兩級運放設(shè)計實例

        以一個帶米勒補償?shù)膬杉夁\放為例,說明利用該方法進行優(yōu)化設(shè)計的過程。電路采用TSMC 0.35 μm工藝,其中CL=3 pF,VDD=2.5 V,VSS=-2.5 V,電路要求的性能指標見表3所列,考慮到的性能指標有功耗(Power),單位增益(Av),單位增益帶寬(UGB),擺率(SR)以及相位裕度(PM)。CMOS兩級運算放大器電路如圖1所示。兩級運放性能指標見表1。

        圖1 CMOS兩級運算放大器電路

        表1 兩級運放性能指標

        性能

        指標 Av PM UGB Power SR Area

        設(shè)計

        要求 >70 dB >65° >10 MHz <0.5 mW >10 V/μs <1 000 μm2

        對該電路,性能的近似表達式為[5-8]:

        SR=I5/Cc

        Power=(VDD-VSS)·(I5+I7+IBias)

        AV=gM1·gM6/((gds1+gds3)·(gds6+gds7)) (6)

        Area=2·W1·L1+2·W3·L3+W5·L5+W6·L6+W7·L7+W8·L8

        UGB=ωc/2π

        PM=180°-tan-1(ωc/p1)-tan-1(ωc/p2)-tan-1(ωc/z1)

        f3db=p1/2π

        對該電路進行優(yōu)化設(shè)計,采用Matlab工具箱中的約束優(yōu)化工具fmincon,將功耗作為目標函數(shù),表1中的其他性能指標作為約束條件,做基于方程的優(yōu)化。為保證電路正常工作,需要對電路中的晶體管添加約束。對于NMOS管,有:

        Vds≥Vgs-VT>0 (7)

        對于PMOS管:

        -Vds>VT-Vgs>0 (8)

        除此之外晶體管需滿足工藝庫對器件尺寸的要求:

        Wi≥1 μm, i=1,2,…,8

        Wi≤195 μm, i=1,2,…,8

        之后,利用誤差增量模型進行優(yōu)化設(shè)計,并以一次基于仿真的優(yōu)化設(shè)計作為比較?;诜匠痰膬?yōu)化設(shè)計見表2所列,方程和誤差增量模型的混合優(yōu)化設(shè)計見表3所列,基于仿真的優(yōu)化設(shè)計見表4所列。

        表2 基于方程的優(yōu)化設(shè)計

        電路性能 參數(shù) 器件尺寸 參數(shù)(μm)

        UGB 9.66 MHz W1 2.94

        Power 0.40 mW W3 5.30

        PM 63.32° W5 5.52

        Av 72.58 dB W6 66.79

        SR 10.00 V/μs W7 46.59

        Area 146.40 μm2 W8 6.06

        表3 方程和誤差增量模型的混合優(yōu)化設(shè)計

        電路性能 參數(shù) 器件尺寸 參數(shù)(μm)

        UGB 10.00 MHz W1 2.81

        Power 0.43 mW W3 8.73

        PM 65.00° W5 5.53

        Av 72.89 dB W6 131.28

        SR 10.00 V/μs W7 57.12

        Area 223.10 μm2 W8 6.06

        表4 基于仿真的優(yōu)化設(shè)計

        電路性能 參數(shù) 器件尺寸 參數(shù)(μm)

        UGB 10.00 MHz W1 2.80

        Power 0.44 mW W3 8.84

        PM 65.00° W5 5.53

        Av 72.89 dB W6 132.73

        SR 10.00 V/μs W7 57.14

        Area 224.78 μm2 W8 6.06

        可見,利用基于仿真和方程的混合優(yōu)化方法可以得到和完全基于仿真方法相近的結(jié)果。且通過表5可以看出,混合優(yōu)化方法減少了仿真器的調(diào)用次數(shù),提高了優(yōu)化效率。

        表5 混合設(shè)計和基于仿真設(shè)計的F-count比較

        混合優(yōu)化設(shè)計方法 基于仿真優(yōu)化設(shè)計方法

        F-count 136 335

        3 結(jié) 語

        本文提出了一種基于方程和誤差增量模型的混合優(yōu)化方法,即通過對性能誤差建立二階模型來建立新的性能方程。再采用Matlab的優(yōu)化工具箱進行基于方程的優(yōu)化。本文通過運算放大電路優(yōu)化實例來驗證該方法的有效性,且相較于基于仿真的優(yōu)化方法減少了調(diào)用Hspice的次數(shù),節(jié)約了時間。

        參考文獻

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