Oxide TFT—LCD工藝中金屬鈍化層Via Hole存在SiO2殘留問(wèn)題研究
2017-05-30 10:48:04何方姚奇李燕龍趙輝
現(xiàn)代鹽化工 2017年4期
何方 姚奇 李燕龍 趙輝
摘要：文章以硅烷（SiH4）和笑氣（N2O）為反應(yīng)源氣體，采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）法沉積SiO2薄膜。文章闡述了TFT-LCD生產(chǎn)中由于SiO2膜質(zhì)問(wèn)題所造成的溝道鈍化層孔內(nèi)刻蝕殘留，并根據(jù)產(chǎn)線的情況對(duì)這些問(wèn)題進(jìn)行了分析，對(duì)實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題提出了相應(yīng)的解決方案。
關(guān)鍵詞：TFT-LCD；SiO2；PECVD；溝道鈍化層；SiO2殘留
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