李啟斌 陶領鋼 石順治 劉 訓

中國.廣西桂林市精神衛(wèi)生中心,桂林醫(yī)學院精神心理衛(wèi)生學教研室 541001 E-mail:1960894523@qq.com

精神分裂癥患者短時和瞬時記憶因子與精神癥狀嚴重性的關系*

李啟斌 陶領鋼 石順治 劉 訓

中國.廣西桂林市精神衛(wèi)生中心,桂林醫(yī)學院精神心理衛(wèi)生學教研室 541001 E-mail:1960894523@qq.com

目的:探究精神分裂癥患者精神癥狀嚴重程度對其記憶測試得分的影響。方法:對80例符合DSM-Ⅳ診斷標準的精神分裂癥住院患者進行陽性與陰性癥狀量表(PANSS)、韋氏記憶力測試(Wechsler Memory Scale, WMS)的短時和瞬時記憶(再認、圖片、聯(lián)想、背數(shù)4項因子)測評,比較其間是否具有相關性。結果:通過雙變量相關分析,精神分裂癥患者PANSS陽性癥狀得分與WMS短時和瞬時記憶總得分具有顯著負相關(r=-0.293,P= 0.008),精神分裂癥患者PANSS總得分與WMS短時和瞬時記憶總得分具有顯著負相關(r=-0.285,P=0.010),精神分裂癥患者PANSS一般精神癥狀得分與WMS短時和瞬時記憶總得分具有顯著負相關(r=-0.230,P= 0.040)。結論:精神分裂癥患者精神癥狀嚴重程度(尤其是陽性癥狀得分)對其WMS短時和瞬時記憶測試得分產生顯著的影響。

精神分裂癥;陽性與陰性癥狀量表;陽性癥狀;陰性癥狀;精神癥狀;韋氏記憶測試;短時記憶;瞬時記憶

精神分裂癥是一組病因未明的疾病,缺乏客觀的實驗室檢驗和檢查設備可以確定,目前為止,在排除了軀體疾病所致精神障礙之后,都是以患者的主觀癥狀是否符合相應診斷標準(如ICD和DSM或CCMD)為診斷的依據(jù)。與此同時為量化指標,不得不借用一些信度和效度比較好的量表工具,對患者的癥狀嚴重程度進行分類和評估,陽性與陰性癥狀量表(PANSS)即是一個具有較高信度和效度的工具[1]。而在筆者所進行的“無抽搐電休克治療對精神分裂癥患者記憶損害的臨床及腦功能研究”項目研究中,需要對精神分裂癥患者進行記憶功能的測試,在此過程中,不得不提出疑問,精神分裂癥患者精神癥狀的嚴重程度與其記憶測試得分具有怎樣的關系?為此本研究將選擇入組的80名患者進行的PANSS總得分及各因子(包括:陽性、陰性、一般精神病性、攻擊)與韋氏記憶(WMS)得分進行相關性分析。

1 對象與方法

1.1 對象

選取2013年6月至2014年12月期間在桂林市精神衛(wèi)生中心住院治療并符合精神分裂癥發(fā)作期美國精神疾病的診斷和統(tǒng)計手冊第4版(DSM-Ⅳ)診斷標準的80例,年齡18～55歲之間,男女比例均衡。并排除存在重大軀體疾病、妊娠、腦器質性疾病、物質濫用、骨折或其他電抽搐治療禁忌者;入組患者及家屬同意入組,同時簽訂知情同意書。

1.2 方法

1.2.1 實驗工具 ①PANSS;②韋氏記憶測試(WMS)的再認、圖片、聯(lián)想、背數(shù)4項因子測評。

1.2.2 實驗步驟 入組病例均需PANSS評分和進行韋氏記憶測試(WMS)中再認、圖片、聯(lián)想、背熟的因子測試。

1.3 統(tǒng)計處理

所有的數(shù)據(jù)采用SPSS 17.0統(tǒng)計軟件進行數(shù)據(jù)整理和分析,計量資料以()表示,兩組間相關性分析采用雙變量相關分析,P＜0.05為差異有統(tǒng)計學意義。

2 結 果

2.1 精神分裂癥患者PANSS得分對韋氏記憶測試總分的影響

見表1。精神分裂癥患者PANSS陽性癥狀得分與WMS短時和瞬時記憶總得分具有顯著負相關(r=-0.293,P=0.008),精神分裂癥患者PANSS總得分與WMS短時和瞬時記憶總得分具有顯著負相關(r=-0.285,P=0.010),精神分裂癥患者PANSS一般精神癥狀得分與WMS短時和瞬時記憶總得分具有顯著負相關(r=-0.230,P=0.040);在本研究中,精神分裂癥患者PANSS陰性癥狀得分和攻擊癥狀得分與WMS短時和瞬時記憶總得分無相關性(P＞0.05)。

表1 PANSS得分與韋氏記憶總分之間的相關(n=80)

3 討 論

在國內目前研究文獻中,我們能找到較多關于精神分裂癥患者認知功能的研究文獻。一般認為認知功能障礙為精神分裂癥的核心癥狀之一,認知功能的損害同時涉及注意、記憶、執(zhí)行功能等多方面[2-3]。有研究顯示,精神分裂癥患者的認知功能與正常對照組相比顯著下降,而智力測驗中的加工速度指數(shù)和工作記憶指數(shù)受損最重,而同時記憶功能和持續(xù)注意功能的受損尤其明顯。而記憶功能獨立影響患者的執(zhí)行和判斷能力[4-5]。且相關研究結果顯示,精神分裂癥患者當中,持續(xù)注意功能損害對患者的智力測試成績影響最大,其次是記憶[6]。

記憶是人腦對外界輸入的信息進行編碼、儲存和提取的過程,設計眾多的腦區(qū),構成認知功能的一部分[7]。但卻很少發(fā)現(xiàn)其精神癥狀對患者認知功能中記憶能力的影響的文章,也未對其相關因子進行更詳細的分析。且因在本立項課題中,研究主要問題是改良無抽搐電休克治療(MECT)是否對精神分裂癥患者造成進一步的記憶損害,所以在研究中,首先要考慮精神分裂癥患者在急性期已經(jīng)存在了的記憶力損害,和記憶力損害的嚴重程度如何,重點在于考量精神病患者癥狀嚴重程度與記憶力損害的相關關系。本研究發(fā)現(xiàn),精神分裂癥患者的PANSS總得分與WMS短時和瞬時記憶得分呈現(xiàn)顯著的負相關,即精神分裂癥患者的病情越嚴重,其記憶力損害也越加嚴重。故此可以得知,通過治療后,隨著精神分裂癥患者精神癥狀的緩解,記憶功能和認知水平也將逐步恢復。而問題的關鍵取決于治療的效果如何,查閱相關文獻發(fā)現(xiàn),無抽搐電休克治療能快速改善精神病性癥狀,包括躁狂和抑郁的患者,但對于精神分裂癥患者認知功能的影響,其結論是不一致的[8-10]。而且,相關研究也支持相比于大劑量使用抗精神病性藥物所帶來的風險(包括長期和短期),無抽搐電休克治療是更為安全的[11-13]。故此,本研究得出,精神分裂癥患者的病情不僅僅反應在PANSS中的癥狀條目中,更多的也體現(xiàn)在認知功能的損害,通過快速有效的治療(如無抽搐電休克治療),能顯著改善患者的認知水平(同時也包括記憶力測試得分)。

而本研究也存在諸多不足之處,其一本研究選取的精神分裂癥患者,多數(shù)為陽性癥狀明顯的偏執(zhí)型精神分裂癥患者,對于其它類型的如以陰性癥狀為主的患者并未予入組,完全是考慮到他們存在更為嚴重的認知功能損害,甚至無法完成測試內容。故在結論中只得出精神分裂癥陽性癥狀與短時和瞬時激勵總得分存在顯著的負相關關系,而無法證實陰性癥狀得分和短時和瞬時記憶總分是否具有相關關系。

在將來的研究中,需要更多的病例樣本,以加深對于精神分裂癥各個類型認知障礙的理解和評估。

[1]司天梅,楊建中,舒良,等.陽性和陰性癥狀量表(PANSS)中文版的信、效度研究[J].中國心理衛(wèi)生雜志,2004,18(1):45-47

[2]譚莉,曹麗,劉建新,等.精神分裂癥患者認知功能障礙[J].中國健康心理學雜志,2013,21(2):172-174

[3]何宗嶺,黃吉林,李濤,等.首發(fā)精神分裂癥患者治療前后認知功能損害的比較[J].中國神經(jīng)精神疾病雜志,2013,39(7):411-415

[4]譚西英,甘景梨,高存友,等.精神分裂癥患者的認知功能損害[J].國際精神病學雜志,2011,38(1):33-36

[5]李成,孫金榮,沙維偉,等.首發(fā)精神分裂癥患者認知功能研究[J].臨床精神醫(yī)學雜志,2011,21(3):156-158

[6]鄭文靜,鄒義壯,陳楠,等.老年精神分裂癥患者前瞻性記憶的損傷階段初探[J].中國心理衛(wèi)生雜志,2014,28(7):499-505

[7]王娟.首發(fā)未用藥精神分裂癥認知癥狀的治療及認知癥狀與腦灰質體積關系的研究[D].長沙:中南大學,2013

[8]錢衛(wèi)娟,范儉雄,周群,等.無抽搐電休克治療對認知功能的影響[J].四川精神衛(wèi)生,2009,22(2):78-80

[9]孫錄,徐秀梅,黃海鋒,等.無抽搐電休克治療對精神分裂癥患者認知功能的影響[J].中國健康心理學雜志,2010,18(8):918-919

[10]黃興東,彭紅星.無抽搐電休克治療對患者認知功能的影響[J].中國醫(yī)學創(chuàng)新,2014,11(5):35-36

[11]吳強,李艷紅.無抽搐電休克治療精神障礙療效分析[J].臨床精神醫(yī)學雜志,2006,16(2):105-106

[12]吳樹躍,吳民吉,陳惜如,等.無抽搐電休克對急性期精神病干預的療效分析[J].神經(jīng)疾病與精神衛(wèi)生,2005,5(1):49-51

[13]范儉雄,高小寧,徐敏.無抽搐電休克治療精神病的療效總結[J].中國民政醫(yī)學雜志,2000,12(6):329-331

The Relationship between the Severity of Mental Symptoms of Schizophrenic Patients and Instantaneous Memory and Short-term Memory

LI Qibin,TAO Linggang,SHI Shunzhi,et al
Guilin Mental Health Center,Guilin Medical College Mental Hygiene Department,Guilin 541001,China

Objective:To explore the effect of severity of the mental symptoms of schizophrenic patients on their memory.Methods:80 cases according to the DSM-Ⅳdiagnostic criteria of schizophrenic inpatients completed PANSS,Wechsler Memory test'(Wechsler Memory Scale,WMS)short-term and instantaneous memory test(recognition,picture,association,back number,four factors).Results:Through the double variable correlation analysis, PANSS positive symptom scores of the schizophrenic patients and the total scores of short time and instantaneous memory had significantly negative correlation(r=0.293,P=0.008);The total score of PANSS scale of the schizophrenic patients and total scores of short time and instantaneous memory had significantly negative correlation(r= -0.285,P=0.010);The general mental symptoms score of PANSS scale of the schizophrenic patients and total scores of short time and instantaneous memory had significantly negative correlation(r=-0.230,P=0.010).Conclusion:Severity of mental symptom(especially positive symptom score)of the schizophrenic patients has a significant impact on the WMS short-term and instantaneous memory scores.

Schizophrenic;PANSS;Positive symptoms;Negative symptoms;Mental symptoms;Wechsler memory test;Short-term memory;The instantaneous memory

R749.3

A

1005-1252(2017)03-0334-03

10.13342/j.cnki.cjhp.2017.03.005

2016-11-16)

http://www.cjhp.com.cn/

廣西衛(wèi)生廳自籌課題科研項目“無抽搐電休克治療對精神分裂癥患者記憶損害的臨床及腦功能研究”(編號:Z2010207)