馬 航， 李鄧化,*， 陳雯柏， 葉繼興

(1. 北京交通大學(xué) 電子信息工程學(xué)院， 北京 100044; 2. 北京信息科技大學(xué) 自動(dòng)化學(xué)院， 北京 100101)

氧化鋅作為電子傳輸層的量子點(diǎn)發(fā)光二極管

馬 航1， 李鄧化1,2*， 陳雯柏2， 葉繼興2

(1. 北京交通大學(xué) 電子信息工程學(xué)院， 北京 100044; 2. 北京信息科技大學(xué) 自動(dòng)化學(xué)院， 北京 100101)

為降低量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)的開啟電壓，提高器件性能，利用電子傳輸性能良好的氧化鋅(ZnO)作為電子傳輸層，制備了結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED樣品。在該器件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，采用隧穿注入和空間電荷限制電流模型仿真分析了載流子在量子點(diǎn)(QDs)層的電流密度。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)ZnO厚度為50 nm時(shí)，poly-TPD的理論最優(yōu)厚度為40 nm，載流子在QDs層的注入達(dá)到相對(duì)平衡。通過測試器件的電流密度-電壓-亮度-發(fā)光效率特性，研究了空穴傳輸層厚度對(duì)QLED器件性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，當(dāng)空穴傳輸層厚度為40 nm時(shí)，器件的開啟電壓為1.7 V，最大發(fā)光效率為1.18 cd/A。在9 V電壓下，器件最大亮度達(dá)到5 225 cd/m2，遠(yuǎn)優(yōu)于其他厚度的器件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果基本吻合。

量子點(diǎn)發(fā)光二極管； 隧穿注入； 空間電荷限制電流； 電流密度； 亮度； 電流效率

1 引 言

量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)相對(duì)于傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)來說，具有發(fā)光光譜窄、色純度和量子效率高以及發(fā)光波長可通過改變量子點(diǎn)的尺寸和合成來調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)，有潛力應(yīng)用于下一代顯示器件[1-4]。自從膠質(zhì)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管在1994年第一次被報(bào)道以來[5]，如何實(shí)現(xiàn)空穴和電子在量子點(diǎn)發(fā)光層的注入平衡，降低器件的開啟電壓，提高QLED的發(fā)光效率，成為人們的研究熱點(diǎn)。Sun等[6]調(diào)節(jié)量子點(diǎn)層的厚度，制備了不同顏色的QLED，并通過控制紅光QLED電子傳輸層的厚度來提高空穴和電子在量子點(diǎn)層的復(fù)合效率。但由于所采用電子傳輸層為遷移率低的有機(jī)材料Alq3，開啟電壓偏高，器件的穩(wěn)定性較差。為了提高電子在QDs層的的注入速率，Qian等[7]把具有較高電子遷移率的無機(jī)材料ZnO作為電子傳輸層，制備了亮度分別為4 200，68 000，31 000 cd/m2的藍(lán)光、綠光和橘紅色光的QLED，器件具有較高的穩(wěn)定性。Dai等[8]把絕緣材料PMMA嵌入到量子點(diǎn)層和無機(jī)電子傳輸層ZnO之間，進(jìn)一步平衡了空穴和電子在QD層的注入速率，制備了紅光QLED，器件的外量子效率達(dá)到20.5%。Vu等[9]利用CsN3來修飾Al電極，提高了電子的注入，制備的器件比采用LiF修飾的器件的開啟電壓降低了5.5 V。艾哲等[10]采用逐步熱注射法合成了用于白光LED的CIS/ZnS量子點(diǎn)，其量子點(diǎn)產(chǎn)率達(dá)到了78%，器件的顯色指數(shù)達(dá)到86.7。Ji等[11]采用倒置結(jié)構(gòu)，在量子點(diǎn)層和空穴傳輸層之間嵌入一層TPBI，使得電荷積累界面和激子復(fù)合區(qū)域相分離，減低了俄歇復(fù)合發(fā)生的概率，促進(jìn)了載流子的注入平衡，提高了器件的性能。Zhang等[12]把poly-TPD和TCTA以3∶1的比例混合作為空穴傳輸層，制備的器件比未加TCTA的器件亮度高了近2倍。Ding等[13]利用CIM修飾Al電極，減低了Al電極的功函數(shù)，促進(jìn)了電子的注入，使得QLED的外量子效率比未經(jīng)過修飾的高了25%。彭輝仁等[14]將QD摻入聚合物PVK和OXD-7中，使得電子和空穴的注入更加平衡，同時(shí)還有助于能量傳遞。

在QLED器件性能提高的研究中，器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和新型材料的引入報(bào)道較多，但對(duì)器件內(nèi)部載流子注入的理論研究報(bào)道較少，因此，本文對(duì)QLED器件內(nèi)部空穴和電子的注入機(jī)理進(jìn)行了仿真分析，然后采用電子傳輸性能良好的ZnO作為電子傳輸層，制備了不同空穴傳輸層厚度的結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED樣品，表征了不同器件的相關(guān)特性，驗(yàn)證了仿真分析的可行性。

2 器件結(jié)構(gòu)與注入機(jī)理

器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中，ITO作為陽極，PEDOT∶PSS作為空穴注入層，poly-TPD作為空穴傳輸層，CdSe/CdS/ZnS作為發(fā)光層，ZnO作為電子傳輸層，Al作為陰極。

圖1 QLED的器件結(jié)構(gòu)(a)和能級(jí)圖(b)

量子點(diǎn)發(fā)光二極管的金屬和有機(jī)層接觸界面可以分為歐姆接觸和肖特基接觸。當(dāng)界面勢壘低于0.4 eV時(shí)，接觸界面被認(rèn)為是歐姆接觸，反之為肖特基接觸。圖1(b)為量子點(diǎn)發(fā)光二級(jí)管的能級(jí)圖，陽極修飾層PEDOT∶PSS的嵌入使得來自ITO的空穴僅需克服0.2 eV的勢壘進(jìn)入到poly-TPD層。由于界面勢壘低于0.4 eV，故界面接觸為歐姆接觸。而poly-TPD中的空穴需要克服0.8 eV的勢壘才能進(jìn)入到量子點(diǎn)層，界面接觸為肖特基接觸，空穴難以進(jìn)入到量子點(diǎn)層。由陰極注入到ZnO的電子，由于界面勢壘為0.2 eV，故接觸界面同樣為歐姆接觸，電子較容易進(jìn)入到ZnO層。而QDs和ZnO的LUMO位置處形成能量陷阱，俘獲來自ZnO層的電子，ZnO層的電子能夠直接注入到量子點(diǎn)層，因此我們認(rèn)為，從ZnO層注入到量子點(diǎn)層的電子等于Al電極進(jìn)入到ZnO層的電子。

由于陽極和poly-TPD之間的接觸為歐姆接觸，載流子注入將不受注入限制，而是受限于poly-TPD內(nèi)空間電荷的增長。當(dāng)注入載流子密度大于材料本征載流子密度時(shí)，空間電荷將成為主導(dǎo)因素，因此，可以采用空間電荷電流密度模型來描述空穴在poly-TPD的注入。由于電荷傳輸層材料厚度較薄，載流子陷阱不明顯，因此可忽略陷阱的影響。如果材料中所有載流子沒有被陷阱所俘獲，則空間電荷限制電流(SCLC)[15]可表示為

(1)

對(duì)空間電荷限制電流模型進(jìn)行仿真，可得到不同厚度poly-TPD層的空穴電流密度，仿真結(jié)果如圖2所示。

圖2 空穴空間電荷限制電流密度-電壓曲線

Fig.2 Hole current density-voltage characteristics based on SCLC model

對(duì)肖特基接觸來說，載流子的注入分為熱電子注入和隧穿注入(FN)兩種方式。由于poly-TPD和QDs層接觸勢壘較大，因此只考慮隧穿注入模型來描述空穴在量子點(diǎn)層的注入，忽略熱電子注入的影響。隧穿注入電流密度JFN如式(2)所示[16]:

(2)

式中，meff為電極載流子的有效質(zhì)量,mdiel為介電材料載流子的有效質(zhì)量，q為電子的電荷量，h為普朗克常數(shù)，Ediel為平均電場強(qiáng)度，Φ1為勢壘高度。

對(duì)隧穿注入電流模型進(jìn)行仿真，得到poly-TPD層的空穴隧穿進(jìn)入到量子點(diǎn)層的電流密度，仿真結(jié)果如圖3所示。

圖3 空穴隧穿注入電流密度-電壓曲線

Fig.3 Hole current density-voltage characteristics based on FN

對(duì)比圖2和圖3可知，不同厚度的poly-TPD電流密度曲線和QDs電流密度曲線必有一交點(diǎn)。為了更直觀地比較這兩種電流模型，選取QDs厚度為30 nm，poly-TPD厚度為45 nm，仿真結(jié)果如圖4所示。

圖4 不同模型下的空穴電流密度-電壓曲線

Fig.4 Hole current density-voltage characteristics based on different model

由圖4可知，隧穿注入電流隨著電壓升高而迅速升高，而空間電荷限制電流的升高相對(duì)緩慢，且兩種電流曲線在4.3 V左右的電壓下有一交點(diǎn)，我們稱之為轉(zhuǎn)變電壓。當(dāng)電壓低于4.3 V時(shí)，隧穿注入電流小于空間電荷限制電流，即載流子在QDs層的注入速率小于poly-TPD內(nèi)部載流子遷移率，因此，隧穿注入模型在空穴的傳輸過程中占主導(dǎo)地位。當(dāng)poly-TPD層的空穴隧穿進(jìn)入到QDs層的速率大于poly-TPD內(nèi)部空穴遷移速率，即電壓高于4.3 V時(shí)，注入QDs層的空穴由于受到空穴傳輸材料本身載流子遷移率的影響，最終限制了空穴注入QDs層的速率，因此，進(jìn)入到QDs層的空穴電流為空間電荷限制電流，此時(shí)，空間電荷限制電流模型在空穴的傳輸過程中起主導(dǎo)作用。

當(dāng)外加電壓高于轉(zhuǎn)變電壓時(shí)，注入到QDs的空穴電流為空間電荷限制電流。而對(duì)于由陰極Al注入到QDs的電子電流來說，由于Al和ZnO之間的接觸同樣為歐姆接觸，由Al進(jìn)入到ZnO層進(jìn)而進(jìn)入到QDs層的電子電流密度同樣可以采用空間電荷電流模型來描述。在載流子傳輸層制備過程中，如果旋涂的薄膜厚度過薄，表面粗糙度會(huì)增大，從而導(dǎo)致漏電流的產(chǎn)生；當(dāng)厚度過厚時(shí)，器件開啟電壓升高，載流子陷阱明顯。本文采用的是理想狀態(tài)下的空間電荷限制電流模型，為了降低陷阱的影響，優(yōu)選ZnO厚度為50 nm，仿真結(jié)果如圖5所示。

圖5 空穴和電子空間電荷限制電流密度-電壓曲線

Fig.5 Hole and electron current density-voltage characteristics based on SCLC model

由圖5可知，隨著poly-TPD厚度的增加，注入到QDs層的空穴電流密度隨之減小。當(dāng)poly-TPD的厚度為40 nm時(shí)，空穴和電子的電流密度曲線比較接近，此時(shí)，空穴和電子在量子點(diǎn)層的比例接近于1∶1，空穴和電子在量子點(diǎn)層的輻射復(fù)合效率最高。

當(dāng)外加電壓低于轉(zhuǎn)變電壓時(shí)，注入到QDs層的空穴電流為隧穿電流，而注入到QDs層的電子電流依然為空間電荷限制電流。此時(shí)，空穴電流的大小與QDs的厚度有關(guān)，不同QDs厚度具有不同的隧穿電流。在由空間電荷限制電流所確定的poly-TPD厚度為40 nm、ZnO厚度為50 nm的基礎(chǔ)上，假定QDs厚度為30 nm，綜合考慮器件在整個(gè)工作電壓下的電流密度，其仿真結(jié)果如圖6所示。

圖6 空穴和電子的電流密度曲線

Fig.6 Hole and electron current density-voltage characteristics

由圖6可知，當(dāng)電壓低于轉(zhuǎn)變電壓4.5 V時(shí)，隧穿注入到QDs層的空穴電流密度小于由ZnO層進(jìn)入到QDs層的電子電流密度。由圖3不同QDs層厚度的空穴隧穿電流密度曲線可知，QDs層厚度越薄，隧穿注入空穴電流越大，器件的轉(zhuǎn)變電壓越低，且隨著電壓的升高，注入空穴和電子在QDs層越容易達(dá)到平衡。

與仿真相關(guān)的材料參數(shù)列于表1中。

表1 相關(guān)的材料參數(shù)

3 實(shí)驗(yàn)方法

3.1 器件的制備

所制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)參數(shù)為ITO/PEDOT∶PSS(35 nm)/poly-TPD(35/40/45/50 nm)/CdSe/CdS/ZnS(30 nm)/ZnO(50 nm)/Al(100 nm)。在制備過程中，首先用脫脂棉蘸取洗滌劑清洗掉ITO基片表面的雜質(zhì)顆粒，再用清水沖洗。然后將基片依次浸沒到去離子水、酒精中各超聲處理20 min，重復(fù)2次，用氮?dú)鈱⒒砻娲蹈?。最后將清洗干凈的ITO基片用紫外臭氧處理20 min，以提高其表面功函數(shù)，降低ITO和有機(jī)層之間的注入勢壘。在室溫大氣環(huán)境下，以4 000 r/min的轉(zhuǎn)速將空穴注入層PEDOT∶PSS旋涂在ITO基片表面，勻膠時(shí)間為40 s，并在140 ℃的加熱平臺(tái)上烘烤10 min。然后把基片放入充滿氮?dú)獾氖痔紫渲?，在烘干的PEDOT∶PSS表面旋涂溶于氯苯溶液的空穴傳輸層poly-TPD(8 mg/mL)，轉(zhuǎn)速依次為1 000，1 500，2 000，2 500 r/min，勻膠時(shí)間為40 s，并將其在110 ℃的加熱平臺(tái)上烘烤20 min。接下來在poly-TPD表面旋涂溶于甲苯溶液的CdSe/CdS/ZnS(8 mg/mL)量子點(diǎn)，轉(zhuǎn)速為2 000 r/min，勻膠時(shí)間為40 s，并在80 ℃的加熱平臺(tái)上烘烤20 min。隨后在量子點(diǎn)層表面旋涂溶于酒精的ZnO(25 mg/mL)溶液,勻膠時(shí)間為40 s，轉(zhuǎn)速為2 000 r/min，并在145 ℃的加熱平臺(tái)上烘烤30 min。最后把基片放入到真空度為2×10-4Pa的蒸鍍腔中，采用熱蒸發(fā)的方式蒸鍍金屬Al電極，薄膜的厚度和蒸發(fā)速率由石英晶振膜厚儀監(jiān)控。

3.2 器件特性的測試

器件的電流-電壓特性曲線由Keithely2410電源進(jìn)行測量，通過計(jì)算機(jī)控制Keithely電源獲得電壓，在提供電壓的同時(shí)，對(duì)器件電流進(jìn)行測量，并將輸出的電壓和電流值存儲(chǔ)到計(jì)算機(jī)中。器件的電致發(fā)光光譜和亮度通過日本Topcon 公司的SR-3AR 型分光輻射度計(jì)進(jìn)行測量。

4 結(jié)果與討論

4.1 器件的電流-電壓特性

圖7(a)為不同厚度電子傳輸層QLED的電流密度-電壓特性曲線，圖中器件A、B、C、D的空穴傳輸層poly-TPD厚度為35，40，45，50 nm。由圖可知，所有器件的電流密度均隨著電壓的增大而平穩(wěn)增加。當(dāng)電壓低于2 V時(shí)，電流密度的變化并不明顯；當(dāng)電壓高于2 V時(shí)，器件的電流迅速增加。原因可能在于poly-TPD和QDs之間存在高的界面勢壘，勢壘形狀好似一三角形。由于勢壘寬度正比于界面之間的勢壘高度，反比于外加電場，隨著電壓的升高，電場變大，poly-TPD的能帶傾斜變大，能帶寬度變小。當(dāng)空穴波長大于或等于勢壘寬度時(shí)，空穴可以無需克服勢壘高度而直接進(jìn)入到poly-TPD層內(nèi)部。因此，當(dāng)電壓高于2 V時(shí)，器件的電流迅速增加。同時(shí)，對(duì)比不同厚度poly-TPD的QLED發(fā)現(xiàn)，隨著厚度的增加，器件的電流密度逐漸減小。原因在于 poly-TPD厚度的增加加大了器件的串聯(lián)電阻。

圖7 QLED的電流密度-電壓曲線

4.2 器件的亮度-電壓特性

圖8為QLED的亮度-電壓特性曲線。由圖可知，器件A、B、C、D的開啟電壓依次為1.5，1.7，1.9，2.3 V左右。隨著電壓的升高，所有器件的亮度均逐漸增大。當(dāng)poly-TPD的厚度為40 nm時(shí)，器件的亮度整體高于其他器件，即器件B的亮度大于器件A、C、D，且在9 V時(shí)亮度達(dá)到最大值5 225 cd/m2。當(dāng)電壓繼續(xù)升高時(shí)，器件的亮度開始下降。

圖8 QLED的亮度-電壓曲線

對(duì)器件B來說，低的啟亮電壓意味著空穴和電子在低的外加電壓下，能夠有效進(jìn)入到QDs發(fā)光層。由圖6可知，當(dāng)外加電壓低于轉(zhuǎn)變電壓4.5 V時(shí)，空穴為隧穿注入電流，電子為空間電荷注入電流，電子的電流密度大于空穴的電流密度。由圖1(b)可知，在低的外加電壓下，空穴和電子在poly-TPD和QDs界面集聚，由于電子的密度大于空穴的密度，空穴和電子很容易在界面處發(fā)生復(fù)合，導(dǎo)致俄歇輔助過程的發(fā)生。此時(shí)，由于空穴吸收了界面處的空穴-電子對(duì)無輻射復(fù)合所釋放出的能量而具有較高的能量，從而能夠克服界面勢壘進(jìn)入到QDs層，與QDs中的電子輻射復(fù)合發(fā)光。

當(dāng)外加電壓高于9 V時(shí)，器件的亮度開始降低。原因在于隨著電壓的增大，空穴和電子的注入速率都得到提升，從能級(jí)圖的角度分析，電子的注入數(shù)量會(huì)大于空穴在QDs層的注入。高的未成對(duì)的載流子濃度很容易導(dǎo)致俄歇復(fù)合現(xiàn)象的發(fā)生，且俄歇復(fù)合速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于激子輻射復(fù)合速率，因此，電壓升高到一定值時(shí)，器件的亮度開始迅速降低。

4.3 器件的電流效率-電壓特性

圖9為不同厚度poly-TPD層器件的電流效率和電壓曲線。由圖可知，40 nm為poly-TPD的臨界厚度，大于或小于40 nm時(shí)，器件的電流效率都會(huì)降低。此時(shí)，器件的電流效率最高，且在8 V時(shí)達(dá)到最大值1.18 cd/A。相對(duì)于其他poly-TPD厚度來說，空穴和電子在量子點(diǎn)層的注入速率比值更接近于1∶1，輻射復(fù)合發(fā)光效率最高。根據(jù)圖5的仿真分析結(jié)果：當(dāng)poly-TPD厚度為40 nm時(shí)，空穴的電流密度和電子的電流密度曲線接近于重合，空穴和電子的輻射復(fù)合效率最高，40 nm為最優(yōu)的poly-TPD層厚度。當(dāng)poly-TPD厚度大于40 nm時(shí)，空穴的電流密度大于電子的電流密度；當(dāng)poly-TPD厚度小于40 nm時(shí)，空穴的電流密度小于電子的電流密度，這兩種情況都會(huì)導(dǎo)致空穴和電子在QDs層注入不平衡，從而使得器件的電流效率低下。由此可以看出，實(shí)驗(yàn)與仿真結(jié)果基本吻合。實(shí)驗(yàn)中器件的亮度在9 V時(shí)開始降低，而仿真分析得到空穴和電子依然處于相對(duì)平衡的狀態(tài)，器件亮度不會(huì)降低。誤差產(chǎn)生的原因可能在于選取的模型為理想狀態(tài)下的電流密度模型，且在旋涂的過程中，環(huán)境和人為因素也有可能使得厚度出現(xiàn)偏差。同時(shí)，得到的結(jié)論前提是QDs層厚度選定為30 nm時(shí)的情形，不同的QDs層厚度會(huì)得到不同的轉(zhuǎn)變電壓，器件在發(fā)光的過程中也會(huì)出現(xiàn)些許的差別，但器件的整體規(guī)律特性不會(huì)出現(xiàn)較大的出入。

圖9 QLED的電流效率-電壓曲線

Fig.9 Current efficiency-voltage characteristics of QLED

4.4 器件的電致發(fā)光光譜

圖10為器件B在不同電壓下的電致發(fā)光光譜，內(nèi)嵌圖為實(shí)驗(yàn)所制備的樣品照片。由樣品圖可以看到，器件發(fā)出明亮的量子點(diǎn)的紅光，當(dāng)外加電壓為9 V時(shí)，器件的最高亮度值為5 225 cd/m2。由光譜圖可知，器件的峰值波長位于628 nm左右，未觀測到其他傳輸層所發(fā)出的雜光現(xiàn)象，由此說明載流子主要在量子點(diǎn)層輻射復(fù)合發(fā)光。隨著電壓的升高，器件的光譜峰值逐漸紅移，這是電場誘導(dǎo)的Stark效應(yīng)引起的[17]。

圖10 QLED的電致發(fā)光光譜

5 結(jié) 論

本文利用隧穿注入和空間電荷限制電流模型對(duì)載流子在QDs層的注入機(jī)理進(jìn)行了研究。仿真得到器件在工作時(shí)，存在一轉(zhuǎn)變電壓。當(dāng)外加電壓低于轉(zhuǎn)變電壓時(shí)，空穴電流為隧穿注入電流，電子電流為空間電荷限制電流；當(dāng)外加電壓高于轉(zhuǎn)變電壓時(shí)，空穴和電子電流均為空間電荷限制電流。通過仿真分析載流子在QDs層的電流密度得知，在ZnO厚度選定為50 nm時(shí)，其對(duì)應(yīng)的 poly-TPD理論最優(yōu)厚度為40 nm。最后制備了不同厚度poly-TPD的QLED樣片，得到poly-TPD厚度為40 nm時(shí)，器件亮度和效率最高，驗(yàn)證了仿真分析的可行性。

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馬航(1985-)，男，河南鄧州人，博士研究生，2011年于中北大學(xué)獲得碩士學(xué)位，主要從事量子點(diǎn)發(fā)光二極管方面的研究。

E-mail: 12111004@bjtu.edu.cn李鄧化(1956-)，女，河南鄧州人，教授，博士生導(dǎo)師，1999年于西安交通大學(xué)獲得博士學(xué)位，主要從事功能材料與器件、自動(dòng)檢測技術(shù)等方面的研究。

E-mail: ldh@bistu.edu.cn

Quantum Dot Light Emitting Diodes with ZnO Electron Transport Layer

MA Hang1*, LI Deng-hua1,2*, CHEN Wen-bai2, YE Ji-xing2

(1.SchoolofElectronic&InformationEngineering,BeijingJiaotongUniversity,Beijing100044，China；2.SchoolofAutomation,BeijingInformationScienceandTechnologyUniversity,Beijing100101,China)*CorrespondingAuthor,E-mail:ldh@bistu.edu.cn

In order to reduce the turn on voltage and improve the performance of QLED, ZnO film with good electronic transmission property was used as electron transport layer. The structure of the sample was ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/ZnO. The models of Folwer-Nordheim tunneling injection and space-charge limited current were employed to analyze the injection current density in QDs layer. The results show that the optimal thickness of poly-TPD is confirmed to 40 nm when ZnO thickness is fixed of 50 nm, and the injection carriers in QDs layer can reach a certain balance. By measuring the current density-voltage-luminance-luminous efficiency of QLED, the influences of hole transport layer thickness on the device performance were studied. Experiment results show that the device with a hole transport layer of 40 nm has the best performances than the other devices, of which the turn on voltage is 1.7 V, the maximum lumious efficiency is 1.18 cd/A, and the maximum brightness can reach 5 225 cd/m2under the voltage of 9 V.

quantum dot light emitting diode; tunneling injection; space-charge limited current; current density; luminance; current efficiency

1000-7032(2017)04-0507-07

2016-10-08；

2016-12-02

國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973)(2015CB654605)資助項(xiàng)目 Supported by National Basic Research Program of China(973)(2015CB654605)

TN383+.1

A

10.3788/fgxb20173804.0507