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        安放式角接接頭焊縫超聲波檢測用試塊的選擇

        2017-04-10 12:01:11趙曉華
        無損檢測 2017年3期
        關(guān)鍵詞:波幅試塊曲率

        趙曉華

        (哈電集團(tuán)(秦皇島)重型裝備有限公司,秦皇島 066206)

        安放式角接接頭焊縫超聲波檢測用試塊的選擇

        趙曉華

        (哈電集團(tuán)(秦皇島)重型裝備有限公司,秦皇島 066206)

        針對安放式角接接頭焊縫的超聲波檢測要求,制作了兩種不同形式的參考試塊(不帶焊縫的校準(zhǔn)試塊和帶焊縫的模擬試塊),利用幾種探頭對其進(jìn)行了靈敏度對比試驗(yàn),比較了這兩種試塊的靈敏度差異,為該類焊縫超聲波試塊的選擇及檢測工藝的制定提供參考。

        安放式角接接頭;校準(zhǔn)試塊;模擬試塊;靈敏度對比

        壓力容器中接管與筒體(或封頭)的角接接頭,主要是以插入式和安放式結(jié)構(gòu)為主。

        筆者以某電站壓力容器項(xiàng)目的安放式角接接頭為試驗(yàn)對象,研究此類焊縫超聲波檢測用試塊的選擇與應(yīng)用方法。

        圖1 某設(shè)備中接管焊縫示意(不同規(guī)格尺寸)

        圖1為某設(shè)備中的接管焊縫示意。該設(shè)備的文件及圖紙要求,對內(nèi)徑大于50 mm的管嘴與筒體或封頭全焊透焊縫進(jìn)行超聲波檢測。由于該設(shè)備中的小管嘴焊縫數(shù)量多、規(guī)格多,因此,對于此類焊縫超聲波檢測用試塊的選擇與應(yīng)用是無損檢測技術(shù)領(lǐng)域的重點(diǎn)和難點(diǎn)[1]。筆者制作了兩種不同形式的參考試塊(不帶焊縫的校準(zhǔn)試塊和帶焊縫的模擬試塊),利用幾種探頭對其進(jìn)行了靈敏度對比試驗(yàn),比較了這兩種試塊的靈敏度差異,為該類焊縫超聲波試塊的選擇及檢測工藝的制定提供參考。

        1 試塊的制作

        對同一設(shè)備的接管焊縫進(jìn)行超聲波檢測時(shí),不同檢測單位可能采用不同形式的試塊進(jìn)行檢測。而由于采用的試塊不同,常常會(huì)使檢測結(jié)果產(chǎn)生差異。

        筆者通過制作不同類型的超聲波檢測用試塊,進(jìn)行了靈敏度對比試驗(yàn)。通過對比試驗(yàn),了解了不同形式的超聲試塊引起靈敏度的差異。

        按照標(biāo)準(zhǔn)NB/T 47013.3-2015《承壓設(shè)備無損檢測 第3部分 超聲檢測》的要求,安放式角接接頭的斜探頭檢測以接管內(nèi)外壁為主,直探頭檢測從筒體或封頭內(nèi)壁進(jìn)行掃查。

        在此基礎(chǔ)上,筆者制作了兩種不同形式的對比試塊,進(jìn)行筒體內(nèi)壁直探頭和接管內(nèi)外壁斜探頭的距離波幅(DAC)曲線靈敏度對比試驗(yàn)。

        (1) 校準(zhǔn)試塊:斜探頭校準(zhǔn)試塊采用與接管材料相同、曲率接近(曲率半徑的0.9~1.5倍)的鍛管制作而成(見圖2);直探頭校準(zhǔn)試塊采用與筒體或封頭材料相同的鍛件制作而成(見圖3);

        圖2 斜探頭校準(zhǔn)試塊外觀(UT-1鍛管)

        圖3 直探頭校準(zhǔn)試塊外觀(UT-2鍛板)

        (2) 模擬試塊:試塊采用與某一接管與筒體(或封頭)焊縫同材料、同曲率、同焊接工藝及熱處理的、帶焊縫的試塊(見圖4)。

        圖4 直、斜探頭模擬試塊外觀(UT-3模擬試塊)

        兩類(校準(zhǔn)、模擬)試塊均設(shè)計(jì)有φ3 mm橫孔,且橫孔深度和長度相同或接近。

        2 靈敏度對比試驗(yàn)

        2.1 直探頭靈敏度對比試驗(yàn)

        2.1.1 試驗(yàn)用儀器、探頭、試塊

        儀器:Olympus EPOCH1000;探頭:直探頭(N2.5P20L/BKB016、2.5Pφ20/141538、2.5Pφ14/141504);試塊:直探頭校準(zhǔn)試塊UT-2與模擬試塊UT-3參數(shù)見表1。

        2.1.2 試驗(yàn)內(nèi)容

        采用三個(gè)不同編號的直探頭,在UT-2試塊上用深度90,110,150,210 mm橫孔調(diào)節(jié)靈敏度;并分別制作三條DAC曲線,記錄不同探頭對應(yīng)的基準(zhǔn)靈敏度。然后在UT-3試塊上分別測試深100,155,215 mm的橫孔,記錄基準(zhǔn)靈敏度下模擬試塊上三個(gè)橫孔與DAC曲線的dB差。三個(gè)直探頭的測試結(jié)果見表2。

        表1 直探頭校準(zhǔn)試塊與模擬試塊參數(shù)

        表2 直探頭測試結(jié)果

        三個(gè)直探頭檢測UT-3試塊155 mm深孔的波幅顯示見圖5。圖5(a)~(c)分別為表2中探頭1~3的檢測結(jié)果。

        2.2 斜探頭靈敏度對比試驗(yàn)

        2.2.1 試驗(yàn)用儀器、探頭、試塊

        儀器:Olympus EPOCH1000。探頭:① 2.25 MHz,13 mm×13 mm,45°,軸向掃查凹面曲率φ280 mm;② 2.25 MHz, 13 mm×13 mm,60°,軸向掃查凹面曲率φ280 mm;③ 2.25 MHz,13 mm×13 mm,45°,軸向掃查凸面曲率φ160 mm;④ 2.25 MHz,13 mm×13 mm,60°,軸向掃查凸面曲率φ160 mm。試塊:斜射波校準(zhǔn)試塊UT-1與模擬試塊UT-3參數(shù)見表3。

        圖5 三個(gè)直探頭檢測UT-3試塊155 mm深孔波幅顯示

        試塊編號狀態(tài)材料外內(nèi)徑尺寸/mm反射體/mm熱處理狀態(tài)反射體深度/mmUT-1鍛管SA-508-3-1339/187橫孔?3×38調(diào)質(zhì)熱處理19/38/57UT-3焊接件(SMAW)SA-508-3-1280/160橫孔?3×60消應(yīng)力熱處理15/30/45/60

        2.2.2 斜探頭對比試驗(yàn)的可行性論證

        (1) 校準(zhǔn)試塊UT-1的內(nèi)、外徑分別為187,339 mm;模擬試塊UT-3的內(nèi)、外徑分別為160,280 mm。均滿足標(biāo)準(zhǔn)NB/T47013.3-2015,試塊曲率可用于工件曲率范圍為基準(zhǔn)試塊直徑0.9~1.5倍的檢驗(yàn)要求。

        (2) 校準(zhǔn)試塊UT-1橫孔φ3 mm,孔長38 mm;模擬試塊UT-3橫孔φ3 mm,孔長60 mm,反射體的長度存在差別。但對于晶片尺寸(長×寬)為13 mm×13 mm的探頭來說,試塊UT-1和試塊UT-3的橫孔長度均大于探頭波束截面尺寸,因此該反射體長度對于測試用探頭來講是長橫孔,超聲波垂直入射是全反射,因此反射體長度的差異對檢測靈敏度幾乎沒有影響。

        (3) 檢測探頭采用同焊接件曲率一致的探頭,其耦合效果比在校準(zhǔn)試塊上耦合效果要好,在焊接件上的耦合情況更能代表實(shí)際焊縫的耦合情況。

        基于以上分析,認(rèn)為此對比試驗(yàn)是可行的。

        2.2.3 試驗(yàn)內(nèi)容

        斜探頭在UT-1試塊上利用深度19,38,57 mm橫孔繪制DAC曲線;然后在UT-3試塊上檢測各深度的橫孔;最后得出各探頭測得的各孔反射波幅與各DAC曲線的dB差。

        具體操作為:用表4中探頭13970和探頭13949在UT-1試塊外表面檢測并分別繪制DAC曲線,并從試塊UT-3外壁測得各孔與DAC曲線的dB差;用表4中探頭13969和探頭13946在UT-1試塊內(nèi)表面檢測并分別繪制DAC曲線,從試塊UT-3內(nèi)壁測得各孔與DAC曲線的dB差。接管內(nèi)、外壁檢測結(jié)果如表4所示。

        表4 接管內(nèi)、外壁檢測結(jié)果

        表4中橫孔深度均以內(nèi)壁為基準(zhǔn)測得深度。當(dāng)從接管外壁檢測時(shí),實(shí)際顯示的深度應(yīng)為接管壁厚減去表中數(shù)值,且當(dāng)從外壁調(diào)節(jié)孔深45,60 mm對應(yīng)的孔時(shí),探頭放置在焊縫R角處,因檢測面的曲率變化導(dǎo)致聲程等的變化,所以顯示值與理論值不一致。

        3 結(jié)論

        (1) 直探頭對比情況

        晶片尺寸φ20 mm的一個(gè)探頭測得的模擬試塊UT-3中的φ3 mm橫孔波幅,比試塊UT-2基準(zhǔn)波幅高0.8~0.9 dB;另一個(gè)晶片尺寸φ20 mm的探頭測得的波幅幾乎與基準(zhǔn)波幅一致。晶片尺寸φ14 mm的探頭測得的其中一個(gè)橫孔的波幅比基準(zhǔn)波幅低2.1 dB。

        從試驗(yàn)可以看出,在此檢測聲程范圍內(nèi),小晶片探頭比大晶片探頭在模擬試塊中受介質(zhì)衰減的影響略大;大晶片探頭在鍛板試塊中的介質(zhì)衰減反而比在模擬試塊中的衰減大。

        因此,在筒體或封頭側(cè)進(jìn)行直探頭檢測時(shí),盡量選擇晶片較大的探頭,試塊選擇鍛板或模擬試塊均可;從經(jīng)濟(jì)角度來看,選擇調(diào)質(zhì)熱處理后的鍛板制作即可。

        試驗(yàn)數(shù)據(jù)論證了ASME 2015版第V卷《無損檢測》非強(qiáng)制性附錄R,該附錄提及關(guān)于受限焊縫區(qū)域直探頭校準(zhǔn)試塊(除了有特殊規(guī)定外)可不需要焊接的要求。直射波試塊反射體設(shè)置也可參考附錄R的相關(guān)要求。

        (2) 斜探頭對比情況

        從單個(gè)測試數(shù)據(jù)來看,模擬試塊反射體波幅高度比鍛管試塊基準(zhǔn)DAC曲線低2 dB;但也有的反射體波幅比鍛管試塊基準(zhǔn)DAC曲線高1 dB。

        首先,從接管外壁的檢測情況來看,受焊接影響,模擬試塊的不平度小于鍛管試塊,從而影響了探頭與工件耦合;而且,從接管外壁掃查深45,60 mm的孔時(shí),探頭需放置在焊縫及R角處,探頭與工件的耦合影響較大。但探頭與模擬試塊的耦合情況更能代表探頭與實(shí)際待檢產(chǎn)品的耦合情況。從表4的數(shù)據(jù)來講,在模擬試塊上調(diào)節(jié)靈敏度應(yīng)比鍛管試塊靈敏度要高;其次,從接管內(nèi)壁的測試情況來看,模擬件的接管內(nèi)壁表面狀態(tài)接近鍛管內(nèi)壁的狀態(tài)。所以,從接管內(nèi)壁的檢測總體數(shù)據(jù)來看,鍛管試塊校準(zhǔn)靈敏度接近模擬件試塊靈敏度。

        (3) 無論接管內(nèi)壁還是接管外壁,從檢測結(jié)果來看靈敏度差在2 dB范圍內(nèi)。因此,在檢測該類安放式角接焊縫時(shí),若選用鍛管試塊,則校驗(yàn)靈敏度必須增加適當(dāng)?shù)谋砻骜詈涎a(bǔ)償;若選用模擬試塊,且模擬試塊與被檢件材料相同或相當(dāng)、外形尺寸接近一致、焊接方法相同、熱處理狀態(tài)一致、焊縫表面圓滑過渡的條件下,校驗(yàn)時(shí)可不增加靈敏度補(bǔ)償。

        [1] 徐金才.國內(nèi)外超聲檢測標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于對比試塊聲學(xué)性能規(guī)定的比較[J].無損檢測,2014,36(8):71-74.

        The Choice of the Reference Block of the Ultrasonic Examination of the Setting on Branch Connections

        ZHAO Xiao-hua

        (Harbin Electric Corporation (QHD) Heavy Equipment Co., Ltd., Qinhuangdao 066206, China)

        According to Ultrasonic examination of the setting on branch connections, we made two kinds of reference blocks (one is calibration block without welding, the other one is a nozzle simulated block with welding) were made. Compared to the calibration sensitivity on the two kinds of the blocks by different probes, this test offers some reference for the choice of the calibration blocks and making the examination procedure for the ultrasonic test of this kind of welding.

        The setting on branch connection; Calibration block; Simulated block; Sensitivity comparing

        2016-05-10

        趙曉華(1982-),女,本科,助理工程師,主要從事核島主設(shè)備的超聲波檢驗(yàn)、射線檢驗(yàn)、磁粉檢驗(yàn)和滲透檢驗(yàn)工作。

        趙曉華, E-mail: zhxh2808@126.com。

        10.11973/wsjc201703011

        TG115.28

        A

        1000-6656(2017)03-0044-03

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