賽默飛發(fā)布三款用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的新品

近日，科學(xué)服務(wù)領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者賽默飛世爾科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)： 賽默飛)亮相成都第 24 屆國(guó)際集成電路物理與失效分析研討會(huì)(IPFA 2017)，并發(fā)布三款用于半導(dǎo)體失效分析工作流程的全新產(chǎn)品，旨在幫助半導(dǎo)體故障分析實(shí)驗(yàn)室提升處理試樣和獲取數(shù)據(jù)的效率，為尋求快速、高質(zhì)量的電性和物理失效分析的半導(dǎo)體制造商提供創(chuàng)新解決方案。

新型 Helios G4 等離子聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)可對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體器件進(jìn)行逆向剝層處理，并提供超高分辨率掃描電子顯微鏡(SEM)分析。新型 flexProber 納米探針量測(cè)系統(tǒng)可用于快速電性失效分析的應(yīng)用。它能對(duì)半導(dǎo)體晶片在互連導(dǎo)線(xiàn)和晶體管級(jí)別上的故障位置，做出準(zhǔn)確的定位。新型 Themis S 透射電子顯微鏡(TEM)用在最具挑戰(zhàn)性的半導(dǎo)體器件上，可提供原子級(jí)分辨率的成像和高產(chǎn)率的元素分析。

Helios G4 等離子聚焦離子束系統(tǒng)是賽默飛最新一代的雙束顯微鏡。它具有從快速剝層、掃描電子顯微鏡截面成像到透射電子顯微鏡樣品制備在內(nèi)的多種功能。半導(dǎo)體剝層技術(shù)在 14 nm 以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件上的缺陷定位應(yīng)用變得越來(lái)越重要。等離子聚焦離子束搭配Dx 化學(xué)氣體可用于均勻展露金屬層，使賽默飛的納米探針測(cè)量系統(tǒng)能夠進(jìn)行電性故障的定位與分析。

Helios G4 等離子聚焦離子束系統(tǒng)可支持 7 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下器件的逆向剝層處理并提供自動(dòng)終點(diǎn)檢測(cè)，以在指定的金屬層或通過(guò)層顯露時(shí)自動(dòng)停止蝕刻。它提供比傳統(tǒng)(Ga+)聚焦離子束系統(tǒng)快10～20倍的蝕刻速率，使客戶(hù)能夠?yàn)榧{米探針測(cè)量系統(tǒng)、透射電子顯微鏡以及掃描電子顯微鏡制備更大面積的試樣，并可廣泛地應(yīng)用于先進(jìn)(2.5D)封裝、發(fā)光二極管(LED)、顯示屏以及微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)。

新型 flexProber 系統(tǒng)旨在幫助客戶(hù)對(duì)電性失效做出快速定位，并利用低電壓掃描電子顯微鏡來(lái)引導(dǎo)精密機(jī)械探針到故障電路元件上。準(zhǔn)確定位有助于提高后續(xù)分析的效率和成本的效益，確保由此定位而制取的透射電鏡試樣包含了故障區(qū)域。專(zhuān)為探針設(shè)計(jì)的flexProber 系統(tǒng)的掃描電鏡，與其前代產(chǎn)品 nProber II 相比分辨率提升了 2 倍。它融入了賽默飛高端納米探針量測(cè)系統(tǒng)的許多功能，適用于廣泛的半導(dǎo)體器件類(lèi)型和不同的制程技術(shù)；提供了入門(mén)級(jí)配置，同時(shí)保留了未來(lái)升級(jí)到完整納米探針測(cè)量系統(tǒng)的可能性。

Themis S 系統(tǒng)是賽默飛行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) Themis 系列透射電鏡的最新成員。以為20 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下的半導(dǎo)體器件失效分析為目的，Themis S 系統(tǒng)旨在提供大規(guī)模的半導(dǎo)體圖像和分析數(shù)據(jù)，同時(shí)Themis S還包括了集成的隔振護(hù)罩和完整的遠(yuǎn)程操作功能。球差矯正器、80～200 kV 鏡筒、自動(dòng)對(duì)中、XFEG 電子槍和 DualX X 射線(xiàn)能譜儀提供了強(qiáng)大的亞埃級(jí)成像能力和快速、準(zhǔn)確的元素和應(yīng)力分析功能。(賽默飛世爾科技(中國(guó))有限公司)