國家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB/Z 299D《電子設(shè)備可靠性預(yù)計手冊》（送審稿）順利通過審查

國家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB/Z 299系列《電子設(shè)備可靠性預(yù)計手冊》是當(dāng)前電子設(shè)備可靠性指標(biāo)論證、指標(biāo)分配、方案優(yōu)選和設(shè)計改進(jìn)必不可少的依據(jù)，是開展可靠性試驗和研制轉(zhuǎn)階段評審的支撐性、基礎(chǔ)性標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前的有效版本是2006年發(fā)布的GJB/Z 299C，該標(biāo)準(zhǔn)的及時修訂更新對電子設(shè)備開展相關(guān)可靠性工作至關(guān)重要。從2013年起，標(biāo)準(zhǔn)編制組承擔(dān)GJB/Z 299C的修訂工作，開展了卓有成效的工作。在大量收集信息和廣泛征求意見的基礎(chǔ)上修訂形成的GJB/Z 299D標(biāo)準(zhǔn)送審稿于2016年9月通過了技術(shù)基礎(chǔ)管理中心組織的審查，在完成報批程序后即可正式發(fā)布。

修訂后的GJB/Z 299D將合并代替GJB/Z 299C-2006和GJB/Z 108A-2006《電子設(shè)備非工作狀態(tài)可靠性預(yù)計手冊》，將滿足武器裝備現(xiàn)代化建設(shè)中采用大量的新型元器件而產(chǎn)生的對可靠性預(yù)計適用性、覆蓋面、實用性和準(zhǔn)確性等方面的需要，將為維修性、保障性、測試性和安全性等領(lǐng)域的工作開展提供更加扎實的基礎(chǔ)。

修訂的主要內(nèi)容有:

1）將原僅適用于工作狀態(tài)可靠性預(yù)計的指導(dǎo)性技術(shù)文件，通過增加資料性附錄調(diào)整為適用于全壽命狀態(tài)的可靠性預(yù)計指導(dǎo)性技術(shù)文件，同時給出了裝備對國產(chǎn)電子元器件工作、非工作狀態(tài)，以及進(jìn)口電子元器件的可靠性預(yù)計模型和方法；

2）細(xì)化了可靠性預(yù)計質(zhì)量等級的劃分，更新了可靠性預(yù)計質(zhì)量等級引用的生產(chǎn)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)，并適當(dāng)?shù)卣{(diào)整了部分元器件類別的質(zhì)量系數(shù)；

3）調(diào)整了各類別元器件的基本失效率數(shù)值和π系數(shù)值，更新了T-S曲線圖；

4）更新了各類別元器件的通用失效率；

5）增加了箔式電阻器、非線繞精密電位器、氧化鈮電解電容器、雪崩二極管、功率晶體管、達(dá)林頓晶體管、GaN微波集成電路、GaN微波場效應(yīng)晶體管、激光二極管、光電晶體管探測器和砷化鎵太陽能電池等30類元器件的可靠性預(yù)計模型或參數(shù)；

6）刪除了合成電阻器、3類瓷介電容器、玻璃釉電容器、功率線繞電位器、微波鍺檢波和微波鍺混頻二極管的可靠性預(yù)計模型；

7）修改和完善了片式膜電阻、電連接器、繼電器、電感器、變壓器、振蕩器、普通二極管、雙極型晶體管、硅場效應(yīng)晶體管、微電路、光電子器件、激光器和光纖連接器的預(yù)計模型或系數(shù)；

8）擴展了微電路和行波管的預(yù)計范圍（產(chǎn)品規(guī)模）；

9）給出了“電子元器件全壽命狀態(tài)的可靠性預(yù)計（資料性附錄）”“電子元器件非工作狀態(tài)可靠性預(yù)計（規(guī)范性附錄）”“采用進(jìn)口電子元器件的電子設(shè)備可靠性預(yù)計（規(guī)范性附錄）”“基于失效物理的電子設(shè)備可靠性預(yù)計方法（資料性附錄）”“電子元器件失效模式及頻數(shù)比（資料性附錄）”和“工作失效率計算示例（資料性附錄）”等相關(guān)附錄。

（工信部電子五所數(shù)據(jù)中心周軍連供稿）