全球首款基于二硫化鉬二維材料的微處理器芯片誕生

奧地利維也納工業(yè)大學(xué)（TU Wien）光子學(xué)研究所的托馬斯·穆勒博士和他的研究團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，二維材料最有希望替代硅成為未來(lái)生產(chǎn)微處理器及其他集成電路所使用的材料。

近日，托馬斯·穆勒和他的研究團(tuán)隊(duì)在這一研究領(lǐng)域獲得了突破性的進(jìn)展，制作出了全球首個(gè)基于二維材料的微處理器。該處理器芯片表面積僅為0.6mm2，集成有115個(gè)以二硫化鉬作為溝道材料、鈦/金作柵極、氧化鋁為柵氧化層的晶體管，其數(shù)據(jù)寄存器及程序計(jì)數(shù)器總?cè)萘繛?個(gè)bit，可執(zhí)行外部存儲(chǔ)器中的自定義程序、完成邏輯運(yùn)算以及與外界進(jìn)行通信。該處理器具有截至目前最為復(fù)雜的基于二維材料的電路結(jié)構(gòu)，1個(gè)bit的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)也能很容易得到擴(kuò)展。

研究團(tuán)隊(duì)的Stefan Wachter博士說(shuō)：“雖然按照傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)此研究成果看上去并不是很突出，但在二維材料微處理器研究領(lǐng)域，該研究的成功仍然是一個(gè)非常重大的突破。因?yàn)槲覀儗?shí)現(xiàn)了對(duì)這一概念的驗(yàn)證，并十分確定它會(huì)有進(jìn)一步的發(fā)展?！比欢撗芯宽?xiàng)目得以成功的原因也不單單在材料選擇上?！拔覀円沧屑?xì)考慮過(guò)單個(gè)晶體管的尺寸問(wèn)題?；倦娐吩骷芯w管的幾何尺寸是決定能否實(shí)現(xiàn)制造、級(jí)聯(lián)更多復(fù)雜單元的關(guān)鍵因素?！蹦吕战忉尩馈＃üI(yè)和信息化部電子第一研究所）

俄羅斯“貝加爾”芯片實(shí)現(xiàn)大批量產(chǎn)

近日，俄羅斯“貝加爾電子”公司依托臺(tái)灣臺(tái)積電公司應(yīng)用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)完成了CPU集成芯片的封裝，在完成幾個(gè)測(cè)試之后將會(huì)正式啟動(dòng)了“貝加爾-T1”芯片大批量產(chǎn)，產(chǎn)量規(guī)模高達(dá)10萬(wàn)個(gè)。目前，該公司已經(jīng)接受了來(lái)自150個(gè)國(guó)內(nèi)外公司的提前預(yù)定。

俄羅斯軟件協(xié)會(huì)專家對(duì)“貝加爾”電子公司及“貝加爾-T1”芯片做出了評(píng)價(jià)?！柏惣訝枴彪娮庸臼嵌砹_斯國(guó)內(nèi)第1家基于微電子處理器系統(tǒng)的生產(chǎn)商。該公司在工程樣本發(fā)布后1年時(shí)間里就實(shí)現(xiàn)了“貝加爾-T1”芯片的量產(chǎn)，并且芯片性能絲毫不遜于外國(guó)類(lèi)似產(chǎn)品。（工業(yè)和信息化部國(guó)際經(jīng)濟(jì)技術(shù)合作中心）

美國(guó)科學(xué)家發(fā)明自修復(fù)手機(jī)屏幕材料

美國(guó)加州大學(xué)里弗賽德分校的化學(xué)家發(fā)明一種可導(dǎo)電的自修復(fù)材料，計(jì)劃將其用于手機(jī)屏幕生產(chǎn)。

這種材料是由可拉伸聚合物和離子鹽組成。帶電離子和極性分子通過(guò)所謂的離子偶極作用相互吸引，從而達(dá)到修復(fù)屏幕的目的。

這種“玻璃”可延展至原始尺寸的50倍，具有修復(fù)劃痕的功能。此外，如果它斷成2半，還可在24h內(nèi)自我“縫合”。發(fā)明者表示，這種具有自我修復(fù)功能的手機(jī)屏幕將在3年內(nèi)進(jìn)入市場(chǎng)。（中國(guó)新聞網(wǎng)）

德國(guó)開(kāi)發(fā)可3D打印的電阻式存儲(chǔ)器件

德國(guó)和加拿大的研究人員使用3D打印技術(shù)開(kāi)發(fā)新的電阻式存儲(chǔ)器件（ReRAM）。該設(shè)備使用其電阻狀態(tài)來(lái)表示二進(jìn)制信息。現(xiàn)在，德國(guó)慕尼黑應(yīng)用科技大學(xué)和加拿大INRSEMT的一組研究人員開(kāi)發(fā)了一種3D打印和噴墨打印技術(shù)，可用于制造緊湊、靈活的電阻式記憶裝置，用于批量生產(chǎn)可打印的電子產(chǎn)品。

研究人員使用了一種稱為導(dǎo)電橋隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（CB-RAM）設(shè)備。對(duì)于它們的3D打印配置，據(jù)解釋說(shuō)，0是“絕緣旋涂玻璃的高電阻表示的高電阻狀態(tài)，其將導(dǎo)電聚合物電極與銀電極分離”，而1是“電阻狀態(tài)由金屬絲制成，其生長(zhǎng)到旋涂玻璃上并在2個(gè)電極之間提供可逆的短路”。

在類(lèi)似于辦公室噴墨打印的過(guò)程中，只有使用不同的打印材料，研究人員才打印了功能性油墨來(lái)創(chuàng)建電容器結(jié)構(gòu)（導(dǎo)體—絕緣體—導(dǎo)體）。但是盡管打印過(guò)程相對(duì)熟悉，研究人員仍表示，他們的工作可能會(huì)有很大的影響，潛在地證明在低性能存儲(chǔ)器件領(lǐng)域是有用的。

慕尼黑應(yīng)用科技大學(xué)的克里斯蒂娜·辛德勒表示說(shuō)，“最大的技術(shù)吸引力是我們的記憶瓷磚的機(jī)械靈活性，并且所有加工所需的材料都可以在市場(chǎng)上銷(xiāo)售。從我們的概念證明講，我們正在為優(yōu)化鋪平道路?！?/p>

研究人員認(rèn)為，他們用于創(chuàng)建電阻式存儲(chǔ)器件的新型3D打印方法可能具有某些實(shí)際應(yīng)用。這包括生產(chǎn)用于信用卡的計(jì)算機(jī)芯片和可穿戴電子產(chǎn)品的組件，如智能手表。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

新型超快柔性非易損多級(jí)存儲(chǔ)器將開(kāi)辟電子業(yè)新紀(jì)元

英國(guó)?？巳卮髮W(xué)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)宣布他們研制出了目前速度最快、尺寸最小、性能最強(qiáng)柔性非易損多級(jí)存儲(chǔ)器，有望為未來(lái)電子工業(yè)的黃金時(shí)代鋪平道路。

該存儲(chǔ)器采用氧化石墨烯與氧化鈦的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其生產(chǎn)成本低且制造工藝對(duì)生態(tài)環(huán)境友好，非常適合應(yīng)用于柔性電子設(shè)備，如可彎曲智能手機(jī)、電腦及電視屏幕以及“智能”衣服。此外，特別要指出的是，從成本和性能2方面考慮，該存儲(chǔ)器完全有可能替代當(dāng)前在內(nèi)存卡、圖形卡和U盤(pán)等常見(jiàn)電子存儲(chǔ)設(shè)備中廣泛應(yīng)用的閃存（flash memory）。

該研究團(tuán)隊(duì)的研究人員表示，該新型存儲(chǔ)器不僅使數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式發(fā)生了徹底改變，而且將柔性電子業(yè)帶入了快速、高效的新時(shí)代。

研究人員指出，雖然以前也有用氧化石墨烯制作存儲(chǔ)器的報(bào)道，但這些存儲(chǔ)器一般都以所謂的“價(jià)廉物美”為宗旨來(lái)滿足市場(chǎng)的需求，不僅尺寸很大，速度也非常慢。該技術(shù)的出現(xiàn)極大地提升了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的綜合性能將對(duì)未來(lái)知識(shí)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展帶來(lái)顛覆性的影響。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

美國(guó)研究人員開(kāi)發(fā)了新一代光電子材料

美國(guó)南加州大學(xué)（USC）維特比工程學(xué)院的研究人員率先推出了一類(lèi)新的半導(dǎo)體材料，可以增強(qiáng)光電器件和太陽(yáng)能電池板的功能，甚至可以使用比常用硅材料少100倍的材料。

由USC維特比工程學(xué)院化學(xué)工程與材料科學(xué)部莫克家族系助理教授Jayakanth Ravichandran等多位研究人員共同開(kāi)發(fā)了一類(lèi)新型的材料，性能優(yōu)越，毒副反應(yīng)降低。

研究人員開(kāi)發(fā)了一類(lèi)稱為“過(guò)渡金屬鈣鈦礦硫族化物”的半導(dǎo)體。目前，最有用的半導(dǎo)體對(duì)于給定體積的材料并沒(méi)有足夠的載流子（一種稱為“狀態(tài)密度”的屬性），而是快速傳輸電子，即已知的高遷移率?？茖W(xué)家面臨的真正挑戰(zhàn)是增加材料中的狀態(tài)密度，同時(shí)保持高遷移率。

研究人員研究了其吸收和發(fā)光的能力，作為展示其應(yīng)用潛力的第一步。Ravichandran在光學(xué)和光子學(xué)領(lǐng)域的對(duì)話中說(shuō)，“有一種說(shuō)法，一個(gè)非常好的LED也是一個(gè)非常好的太陽(yáng)電池?！庇捎赗avichandran和他的同事們開(kāi)發(fā)的材料能夠有效吸收和發(fā)光，因此太陽(yáng)電池是該材料的一種可能應(yīng)用。（工信部電子科技情報(bào)所）

IBM發(fā)表新型絕緣體 助力先進(jìn)制程芯片良率

IBM在近日于美國(guó)硅谷舉行的年度IEEE國(guó)際可靠度物理研討會(huì)上發(fā)表了新型絕緣體，該種材料有2種型態(tài)──氮碳化硅硼（SiBCN）以及氮碳氧化硅（SiOCN），號(hào)稱2者都能讓芯片性能與良率有所提升。

此外IBM還展示了如何在線路之間填充SiBCN或SiOCN，來(lái)建立線邊緣粗糙度（lineedgeroughness，LER）變異的模型，以及透過(guò)預(yù)先篩選芯片測(cè)試達(dá)到更有效量測(cè)故障率、讓芯片性能優(yōu)化的新技術(shù)。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

中科芯為“天舟一號(hào)”貢獻(xiàn)2核心芯片

4月20日，我國(guó)首艘貨運(yùn)飛船“天舟一號(hào)”在文昌航天發(fā)射場(chǎng)發(fā)射成功。在“天舟一號(hào)”電子控制系統(tǒng)中，位于無(wú)錫市濱湖區(qū)蠡園開(kāi)發(fā)區(qū)的中科芯（58所）貢獻(xiàn)2款核心芯片。

“我們研制的這2款芯片，主要用于‘天舟一號(hào)’內(nèi)的電子控制系統(tǒng)，用來(lái)控制飛船的動(dòng)作，無(wú)論捕獲、緩沖還是拉近，可以做到毫厘不差?！敝锌菩竟こ處熃榻B，“天舟一號(hào)”電子控制系統(tǒng)猶如飛船的大腦和神經(jīng)，而這2款芯片就像“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”，發(fā)出無(wú)數(shù)條支線數(shù)據(jù)命令，連接飛船各個(gè)“器官”間的數(shù)據(jù)通信，控制飛船完成各種高難度的動(dòng)作。

抗輻射是科研人員在芯片設(shè)計(jì)中遇到的一大難題。研發(fā)人員蔡潔明介紹，高軌太空的輻射環(huán)境十分惡劣，芯片如果不能抵御輻射，就會(huì)發(fā)出錯(cuò)誤命令和數(shù)據(jù)，可能造成飛船功能失常或運(yùn)行失誤。研發(fā)期間，蔡潔明和同事每周加班二三十個(gè)小時(shí)，2年艱苦攻關(guān)，前后四易方案，終于使芯片抗輻射數(shù)據(jù)達(dá)到設(shè)計(jì)要求。經(jīng)過(guò)抗輻射加固的芯片就像肌肉發(fā)達(dá)的“拳擊手”，能承受來(lái)自各個(gè)方向、各種距離的帶電粒子、質(zhì)子的打擊而屹立不倒。

這2款型號(hào)芯片除用于“天舟一號(hào)”，還用于“天宮二號(hào)”“神舟十一號(hào)”以及部分民用產(chǎn)品，顯示出出眾的穩(wěn)定性和可靠性。研發(fā)團(tuán)隊(duì)?wèi){此申請(qǐng)了20多項(xiàng)專利。（新華日?qǐng)?bào)）

中科院宣布自研5G基帶等關(guān)鍵芯片：替代進(jìn)口產(chǎn)品

中科院計(jì)劃今年斥資3 000萬(wàn)元，用18個(gè)月的時(shí)間，部署面向新一代移動(dòng)通信的5G芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，以建成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的5G芯片和網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新鏈。具體到可細(xì)化的目標(biāo)上，是完成5～6款射頻前端和基帶芯片和網(wǎng)絡(luò)核心技術(shù)產(chǎn)品化開(kāi)發(fā)與應(yīng)用驗(yàn)證。

中科院科技促進(jìn)發(fā)展局局長(zhǎng)嚴(yán)慶表示，作為整個(gè)5G網(wǎng)絡(luò)的核心技術(shù)，5G芯片必須是自己的，否則5G時(shí)代來(lái)了，仍有可能受制于人。嚴(yán)慶指出，ADC、DAC、基帶芯片等5G核心芯片有著廣闊的產(chǎn)業(yè)需求，但面臨禁運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)，由此凸顯自主產(chǎn)品的意義。（中國(guó)科學(xué)院）

北京大學(xué)高性能二維半導(dǎo)體新材料展現(xiàn)出優(yōu)異性能

近日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授課題組與合作者首次發(fā)現(xiàn)一類(lèi)同時(shí)具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se），在場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件和量子輸運(yùn)方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。

彭海琳課題組基于前期對(duì)拓?fù)浣^緣體（Bi2Se3，Bi2Te3）等二維量子材料的系統(tǒng)研究，提出用輕元素部分取代拓?fù)浣^緣體中的重元素，以降低重元素的自旋-軌道耦合等相對(duì)論效應(yīng)，進(jìn)而調(diào)控其能帶結(jié)構(gòu)，消除金屬性拓?fù)浔砻鎽B(tài)，獲得高遷移率二維半導(dǎo)體。

經(jīng)過(guò)材料的理論設(shè)計(jì)和數(shù)年的實(shí)驗(yàn)探索，該課題組發(fā)現(xiàn)了一類(lèi)全新的超高遷移率半導(dǎo)體型層狀氧化物材料Bi2O2Se，并利用化學(xué)氣相沉積（CVD）法制備了高穩(wěn)定性的二維Bi2O2Se晶體。基于理論計(jì)算和電學(xué)輸運(yùn)實(shí)驗(yàn)測(cè)量，證明Bi2O2Se材料具有合適帶隙、極小的電子有效質(zhì)量和超高的電子遷移率。

二維Bi2O2Se這些優(yōu)異性能和綜合指標(biāo)已經(jīng)超過(guò)了已有的一維和二維材料體系。結(jié)合其出色的環(huán)境穩(wěn)定性和易于規(guī)模制備的特點(diǎn)，超高遷移率二維半導(dǎo)體BOX材料體系在構(gòu)筑超高速和低功耗電子器件方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，有望解決摩爾定律進(jìn)一步向前發(fā)展的瓶頸問(wèn)題，給微納電子器件帶來(lái)新的技術(shù)變革，具有重要的基礎(chǔ)科學(xué)意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。（北京大學(xué)）

合肥工業(yè)大學(xué)研發(fā)新材料可讓圖像傳感器CCD變?nèi)彳?/p>

近日，合肥工業(yè)大學(xué)首次制備出大晶粒非層狀結(jié)構(gòu)的硒化鎳薄膜，并成功將其構(gòu)筑為光探測(cè)器陣列，為新一代柔性圖像傳感器的研發(fā)提供了新的方法。相關(guān)成果日前發(fā)表在國(guó)際材料領(lǐng)域權(quán)威期刊《先進(jìn)材料》上。

該校材料科學(xué)與工程學(xué)院王敏教授和陳翌慶教授團(tuán)隊(duì)與韓國(guó)成均館大學(xué)科研人員合作，提出了一種新的界面限域外延生長(zhǎng)方法，成功制備出高質(zhì)量大晶粒非層狀結(jié)構(gòu)硒化鎳薄膜。課題組通過(guò)硒化鎳微米帶陣列的圖形化生長(zhǎng)，構(gòu)筑高性能且均勻性好的光探測(cè)器陣列，為柔性圖像傳感器的實(shí)現(xiàn)奠定了基礎(chǔ)。

據(jù)介紹，由于這種新型材料薄膜的晶粒達(dá)到微米尺度，晶粒間的晶界減少，顯著降低了晶界對(duì)載流子的散射，從而大幅提高了光探測(cè)器的響應(yīng)度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，基于微米尺度晶粒的高質(zhì)量硒化鎳薄膜所制備的光探測(cè)器，每瓦光照可以獲得150A的電流，其響應(yīng)度比納米尺度晶粒的薄膜提高了4個(gè)量級(jí)。

“非層狀結(jié)構(gòu)材料在自然界廣泛存在，但由于其缺乏內(nèi)在各向異性生長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力，這一結(jié)構(gòu)材料的薄膜生長(zhǎng)很難實(shí)現(xiàn)?！蓖趺艚淌诮榻B說(shuō)，這一成果攻克了非層狀結(jié)構(gòu)材料薄膜生長(zhǎng)難題，可以應(yīng)用于更多種類(lèi)的相關(guān)材料。同時(shí)，這種材料在光探測(cè)器陣列的構(gòu)筑方法、制備和加工工藝方面與目前廣泛采用的傳統(tǒng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體電子學(xué)相兼容，更加有利于其實(shí)際應(yīng)用。（科技日?qǐng)?bào)）

我國(guó)首個(gè)半導(dǎo)體薄膜設(shè)備生產(chǎn)基地在沈投產(chǎn)

4月14日，由沈陽(yáng)拓荊科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“拓荊科技”）建設(shè)的我國(guó)首個(gè)半導(dǎo)體薄膜設(shè)備生產(chǎn)基地在沈陽(yáng)市渾南區(qū)落成投產(chǎn)。該基地一期可容納1000人規(guī)模的研發(fā)制造團(tuán)隊(duì)，年產(chǎn)能可達(dá)100臺(tái)（套），實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值15億元。全部達(dá)產(chǎn)后，年產(chǎn)能可達(dá)350臺(tái)（套）。

此前，該技術(shù)一直被發(fā)達(dá)國(guó)家壟斷，設(shè)備進(jìn)口嚴(yán)重受限，極大地制約了國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。作為IC裝備核心裝備之一，該項(xiàng)目的建成一舉填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，顯著提升了我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力。拓荊科技的產(chǎn)品性能、指標(biāo)達(dá)到國(guó)際一流設(shè)備水平，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%，產(chǎn)能是進(jìn)口設(shè)備的1.1倍，成本卻比進(jìn)口設(shè)備低了30%。截至目前，拓荊科技已申請(qǐng)專利316項(xiàng)、授權(quán)專利103項(xiàng)，公司年產(chǎn)值始終保持100%以上的增速，現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)唯一能夠生產(chǎn)適用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線的半導(dǎo)體薄膜設(shè)備供應(yīng)商。（遼寧日?qǐng)?bào)）

上海復(fù)旦擬與復(fù)控華龍共同研發(fā)電子標(biāo)識(shí)芯片

上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“上海復(fù)旦”）日前公布，上海復(fù)旦與上海復(fù)控華龍微系統(tǒng)技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“復(fù)控華龍”）訂立協(xié)議，共同研發(fā)電子標(biāo)識(shí)芯片，由簽訂協(xié)議起生效至項(xiàng)目試點(diǎn)完成為止，估計(jì)為期2年。根據(jù)協(xié)議，復(fù)控華龍負(fù)責(zé)利用其于片上系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案的技術(shù)資源，協(xié)助上海復(fù)旦完成電子標(biāo)識(shí)芯片的研發(fā)，以達(dá)致相關(guān)項(xiàng)目的入圍及試點(diǎn)。

上海復(fù)旦將分別于獲得完整技術(shù)文件及簽署試點(diǎn)項(xiàng)目合同的60日內(nèi)，向復(fù)控華龍支付20萬(wàn)元及30萬(wàn)元的技術(shù)服務(wù)費(fèi)用。復(fù)控華龍主要于中國(guó)從事芯片應(yīng)用及微系統(tǒng)集成，累積達(dá)15年片上系統(tǒng)及微系統(tǒng)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及擁有多項(xiàng)登記專利，現(xiàn)時(shí)的業(yè)務(wù)涉及信息通訊、導(dǎo)航、電力及多媒體信息終端等領(lǐng)域。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

華映科技第6代TFT-LCD生產(chǎn)線首片5.2寸產(chǎn)品點(diǎn)亮成功

福建華佳彩有限公司（下稱“華佳彩”）第6代TFT-LCD生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)順利，項(xiàng)目首片5.2寸產(chǎn)品已于近期點(diǎn)亮成功，標(biāo)志著產(chǎn)品順利試產(chǎn)。后續(xù)產(chǎn)品將陸續(xù)提供給客戶認(rèn)證，待客戶認(rèn)證通過(guò)后量產(chǎn)。

華佳彩第6代TFT-LCD生產(chǎn)線項(xiàng)目是華映科技2016年度百億定增募投項(xiàng)目之一，總投資120億元，主要生產(chǎn)以金屬氧化物（IGZO） TFT-LCD為主的中小尺寸顯示器件。金屬氧化物技術(shù)面板具有電子遷移率高、功耗低、高良率等諸多優(yōu)點(diǎn)，更容易實(shí)現(xiàn)高分辨率、柔性顯示等市場(chǎng)新需求，是未來(lái)高端顯示最主要的面板技術(shù)之一。

華佳彩擁有一批成熟的管理團(tuán)隊(duì)和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，掌握有大規(guī)模TFT-LCD產(chǎn)品生產(chǎn)的系統(tǒng)技術(shù)，擁有320項(xiàng)以上的面板專利；在生產(chǎn)線組線、設(shè)備安裝調(diào)試、項(xiàng)目驗(yàn)收、生產(chǎn)工藝調(diào)試、批量生產(chǎn)、質(zhì)量控制、設(shè)備和原材料采購(gòu)等技術(shù)運(yùn)行及管理方面具有相當(dāng)豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

華映科技目前已形成以液晶模組為基礎(chǔ)，兼有觸控組件材料及觸控一條龍產(chǎn)品的戰(zhàn)略布局。公司方面表示，未來(lái)將繼續(xù)努力提高產(chǎn)品合格率、優(yōu)化工藝流程及降低成本，通過(guò)培訓(xùn)形成華映自身的技術(shù)力量和技術(shù)創(chuàng)新體系，以推動(dòng)產(chǎn)品自主研發(fā)設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品更加符合客戶的規(guī)格需求及品質(zhì)保障。（中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)）

觸摸屏用超薄高鋁蓋板玻璃生產(chǎn)線在安徽蚌埠投產(chǎn)

由中建材（蚌埠）光電材料有限公司投資的觸摸屏用超薄高鋁蓋板玻璃生產(chǎn)線項(xiàng)目，采用蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院自主研發(fā)的超薄浮法工藝，可以生產(chǎn)0.4mm、0.5mm、0.7mm、1.1mm的超薄基板，主要應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、銀行觸控一體機(jī)等領(lǐng)域，建成后將打破我國(guó)觸摸屏用超薄高鋁蓋板玻璃長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面，再次填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。（蚌埠政府網(wǎng)）

聚積攜臺(tái)工研院攻超小間距LED

發(fā)光二極體（LED）驅(qū)動(dòng)IC廠聚積科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“聚積”）公告，與工研院簽訂超小間距LED數(shù)位顯示技術(shù)合作開(kāi)發(fā)契約，契約至2020年4月10日止，合計(jì)共36個(gè)月。

為因應(yīng)市場(chǎng)需求、提升競(jìng)爭(zhēng)力，聚積指出，與工研院簽訂超小間距LED數(shù)位顯示技術(shù)合作開(kāi)發(fā)契約，共同開(kāi)發(fā)高生產(chǎn)效率、超小間距LED數(shù)位顯示技術(shù)的巨量移轉(zhuǎn)開(kāi)發(fā)計(jì)劃。小間距顯示螢?zāi)皇袌?chǎng)可望持續(xù)高度成長(zhǎng)，法人預(yù)期聚積將可受惠，今年?duì)I收及獲利應(yīng)可同步成長(zhǎng)，今年?duì)I收預(yù)估可增長(zhǎng)約10%～12%，每股純益有機(jī)會(huì)突破7元（新臺(tái)幣）水準(zhǔn)。聚積今年3月自結(jié)合并營(yíng)收2.31億元（新臺(tái)幣），較2016年2.02億元（新臺(tái)幣）增長(zhǎng)13.94%，累計(jì)今年前3月自結(jié)合并營(yíng)收6.1億元（新臺(tái)幣），較2016年同期5.38億元（新臺(tái)幣）增長(zhǎng)13.3%。（工商時(shí)報(bào)-臺(tái)）