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        基于同軸共焦的激光芯片開(kāi)封工藝技術(shù)研究

        2016-12-31 00:00:00張庸閆阿澤魏小彪李新貴
        科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2016年24期

        摘 要:介紹了基于同軸共焦的激光芯片開(kāi)封機(jī)的工作原理和總體結(jié)構(gòu)組成,分析了激光開(kāi)封工藝在開(kāi)封速度、適應(yīng)性和可控性等方面的特點(diǎn)相對(duì)。文章利用自主研制的LD-01型激光芯片開(kāi)封機(jī)開(kāi)展芯片開(kāi)封實(shí)驗(yàn)研究,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,激光功率5W~10W、重復(fù)頻率20kHz~30kHz和開(kāi)封速度500mm/s~600mm/s是較為理想開(kāi)封效果的工藝參數(shù)窗口。

        關(guān)鍵詞:激光開(kāi)封;同軸共焦;可視化操作

        引言

        芯片開(kāi)封(IC decap)是通過(guò)物理或化學(xué)的方法逐層剝離各類芯片的封裝材料,以實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的目檢和電氣測(cè)試[1]。芯片開(kāi)封是進(jìn)行芯片失效分析的重要手段?,F(xiàn)行的芯片開(kāi)封方法有機(jī)械開(kāi)封法、酸刻蝕開(kāi)封法和等離子體開(kāi)封法等。機(jī)械開(kāi)封法利用鉆頭或刀具去除芯片的封裝材料,這種開(kāi)封方法速度慢,可控性差,對(duì)結(jié)構(gòu)尺寸微小的芯片不適用;酸刻蝕開(kāi)封法的原理是以適量強(qiáng)酸腐蝕芯片的塑封層,酸刻蝕開(kāi)封法形成的廢液容易造成環(huán)境污染,且開(kāi)封過(guò)程也不可控;等離子體開(kāi)封也稱為化學(xué)干腐蝕法[2],是利用高電壓產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng),引起反應(yīng)室內(nèi)的氣體電離產(chǎn)生等離子體,利用等離子體將環(huán)氧樹(shù)脂裂變成粉末,這種方法對(duì)芯片性能的影響最小,但是開(kāi)封過(guò)程非常緩慢,一般用于高度集成的器件開(kāi)封或者進(jìn)行失效分析。

        激光開(kāi)封是隨著激光技術(shù)的發(fā)展而形成的一種新型芯片開(kāi)封技術(shù),具有開(kāi)封速度快、可控性好、無(wú)污染等一系列優(yōu)勢(shì),正在成為芯片開(kāi)封技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

        激光芯片開(kāi)封的基本原理是利用高峰值功率、高穩(wěn)定性的脈沖激光作用到芯片的塑封層上,激光作用點(diǎn)處的塑封層發(fā)生汽化而被逐層剝離。在實(shí)際的激光開(kāi)封系統(tǒng)中,激光束被聚焦成微米量級(jí)的光斑來(lái)完成精細(xì)化的開(kāi)封作業(yè),同時(shí)采用高速振鏡作為光束偏轉(zhuǎn)器實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)封。激光開(kāi)封機(jī)是綜合了光學(xué)、精密機(jī)械、電子和計(jì)算機(jī)等技術(shù)于一體的光機(jī)電系統(tǒng)。文章研究工作所依托的激光開(kāi)封系統(tǒng)集成了同軸影像系統(tǒng)、排煙除塵系統(tǒng)、升降工作臺(tái)等輔助系統(tǒng),在此基礎(chǔ)上對(duì)激光芯片開(kāi)封工藝進(jìn)行研究。

        1 激光開(kāi)封工作原理

        激光開(kāi)封的工作原理示意圖如圖1所示,一束經(jīng)過(guò)聚焦的脈沖激光作用到芯片的塑封材料上,當(dāng)激光束的功率密度達(dá)到108W/cm2,所產(chǎn)生的高溫使激光作用點(diǎn)處的塑封材料等離子體化[3],在表面形成一個(gè)“凹坑”。激光束通過(guò)振鏡的偏轉(zhuǎn)在芯片表面作面掃描,塑封材料就會(huì)被逐層等離子體化,直至露出鍵合絲或晶圓。開(kāi)封過(guò)程中產(chǎn)生的等離子體冷卻后形成的煙塵由排煙除塵系統(tǒng)實(shí)時(shí)排除。

        文章試驗(yàn)使用的LD-01型激光開(kāi)封機(jī)是一款自主研發(fā)主要應(yīng)用于塑封芯片開(kāi)封的專用設(shè)備,使用該設(shè)備對(duì)某芯片進(jìn)行開(kāi)封,前后效果如圖2(a)(b)所示。

        2 激光開(kāi)封系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)組成及工藝流程

        激光芯片開(kāi)封機(jī)主要由激光器、控制系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)、攝像系統(tǒng)和排煙除塵系統(tǒng)等部分構(gòu)成,分別實(shí)現(xiàn)激光加工功能、Z軸升降調(diào)節(jié)功能、同軸共焦攝像[4]功能(含輔助照明)和排煙除塵功能等。

        (1)激光器。激光器是激光開(kāi)封系統(tǒng)的核心部件之一,經(jīng)過(guò)不同波長(zhǎng)激光器開(kāi)封試驗(yàn),確認(rèn)實(shí)現(xiàn)塑封芯片開(kāi)封效果較好的激光波長(zhǎng)為1064nm。本試驗(yàn)使用的激光開(kāi)封系統(tǒng)采用了進(jìn)口高峰值功率、高光束質(zhì)量的固體調(diào)Q激光器,最高平均功率為20W,輸出重復(fù)頻率可達(dá)15kHz~200kHz。通過(guò)調(diào)節(jié)激光輸出的泵浦電流、重復(fù)頻率等參數(shù)實(shí)現(xiàn)不同材料、不同厚度的芯片開(kāi)封作業(yè)。

        (2)控制系統(tǒng)??刂葡到y(tǒng)主要包括工控機(jī)和相關(guān)控制板卡,通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的激光開(kāi)封軟件實(shí)現(xiàn)對(duì)激光器、掃描振鏡、變焦鏡頭以及升降工作臺(tái)等部件的智能控制和影像數(shù)據(jù)的采集。

        (3)光學(xué)系統(tǒng)。文章使用的激光開(kāi)封系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了激光光路與影像光路的同軸共焦設(shè)計(jì),即實(shí)現(xiàn)激光與相機(jī)鏡頭的主光軸重合,激光焦點(diǎn)與成像焦平面重合。光學(xué)系統(tǒng)是激光開(kāi)封機(jī)實(shí)現(xiàn)可視化開(kāi)封作業(yè)的關(guān)鍵部件。

        (4)攝像系統(tǒng)。攝像系統(tǒng)通過(guò)對(duì)工作臺(tái)面上的待開(kāi)封芯片高清成像來(lái)實(shí)現(xiàn)可視化開(kāi)封過(guò)程。文章采用的攝像機(jī)鏡頭可以實(shí)現(xiàn)最高十級(jí)光學(xué)放大,最大視場(chǎng)為50mm×50mm。因此,對(duì)不同大小的芯片設(shè)置不同的放大倍率,以獲得最佳的可視化效果。

        (5)排煙除塵系統(tǒng)。激光開(kāi)封過(guò)程中產(chǎn)生的大量煙塵、廢氣等會(huì)對(duì)設(shè)備和操作人員的人身安全造成一定的威脅,需要通過(guò)獨(dú)立的排煙除塵系統(tǒng)來(lái)排除煙塵、廢氣。

        使用該套自主研發(fā)的激光開(kāi)封系統(tǒng),其操作工藝流程:首先將待開(kāi)封芯片放置于工作臺(tái)上并夾緊,電動(dòng)調(diào)節(jié)工作臺(tái)的高度直至獲得芯片表面的清晰像,此時(shí)芯片也處于激光的焦平面上,調(diào)節(jié)相機(jī)的放大倍率以獲得最佳的視場(chǎng)。再在芯片的像面上直接繪制開(kāi)封區(qū)域圖形,也可以根據(jù)導(dǎo)入的待開(kāi)封芯片的X光圖選定開(kāi)封區(qū)域,這樣可以進(jìn)一步提高開(kāi)封效率。選定開(kāi)封區(qū)域后,根據(jù)芯片塑封層的材料、厚度等設(shè)置開(kāi)封速度、激光功率、重復(fù)頻率等參數(shù),啟動(dòng)開(kāi)封作業(yè),待芯片鍵合絲露出后停止開(kāi)封。具體流程圖如圖4所示。

        在進(jìn)行實(shí)際激光開(kāi)封時(shí),需要對(duì)樣品模塑料EMC芯片進(jìn)行不同開(kāi)封工藝參數(shù)的嘗試,即對(duì)圖4所示的設(shè)置開(kāi)封參數(shù)進(jìn)行不同的組合,以達(dá)到較好開(kāi)封的目的,但無(wú)論怎么設(shè)置,對(duì)于激光開(kāi)封而言,其開(kāi)封工藝參數(shù)基本在激光功率、重復(fù)頻率和開(kāi)封速度上,其他的參數(shù)可作為輔助參數(shù)進(jìn)一步提高開(kāi)封效率。

        3 激光開(kāi)封工藝研究

        激光開(kāi)封作為一種新型的芯片預(yù)開(kāi)封工藝,可以顯著提高芯片的開(kāi)封效率和和開(kāi)封速度,減輕環(huán)境污染。然而在實(shí)際的激光開(kāi)封作業(yè)中,高峰值功率的激光束不僅可以汽化塑封層,也有可能對(duì)芯片鍵合絲或晶圓造成損壞,這樣就會(huì)引入新的失效因素,因此,必須采用合理的開(kāi)封工藝參數(shù)來(lái)保證開(kāi)封效果。開(kāi)封工藝參數(shù)主要包括激光功率、激光重復(fù)頻率和開(kāi)封速度(振鏡掃描線速度)等。

        (1)激光功率。文章使用的激光器通過(guò)調(diào)節(jié)泵浦電流的大小,在重復(fù)頻率不變的條件下,激光輸出的平均功率和峰值功率都隨著電流的增加而增大。在激光開(kāi)封過(guò)程中,功率過(guò)小會(huì)導(dǎo)致開(kāi)封速度緩慢甚至無(wú)法實(shí)現(xiàn)“開(kāi)封”作用,功率過(guò)大容易造成芯片鍵合絲或晶圓的損傷,如圖5(a)、(b)所示。文章經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)研究,結(jié)果表明設(shè)置泵浦電流為4A~4.5A,對(duì)應(yīng)激光功率5W~10W時(shí),可以獲得較為理想的開(kāi)封效果,同時(shí)保證開(kāi)封速度和避免對(duì)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的損害。具體的激光功率參數(shù)還要依據(jù)待開(kāi)封芯片的厚度來(lái)確定。

        (2)重復(fù)頻率。重復(fù)頻率即單位時(shí)間內(nèi)激光器輸出的脈沖數(shù)目,文章采用的固體調(diào)Q激光器的峰值功率主要由重復(fù)頻率決定,在泵浦電流一定的條件下,激光的平均功率隨重復(fù)頻率的增加而上升,而峰值功率隨重復(fù)頻率的增加而下降。在激光開(kāi)封過(guò)程中,保持泵浦電流不變,在低頻條件下開(kāi)封效果較為理想,提高重復(fù)頻率,開(kāi)封速度減慢且開(kāi)封效果變差,芯片發(fā)熱量顯著增加。當(dāng)重復(fù)頻率超過(guò)50kHz時(shí),芯片表面呈現(xiàn)局部熔化現(xiàn)象,基本無(wú)法實(shí)現(xiàn)“開(kāi)封”作用,這是由于當(dāng)重復(fù)頻率提高到一定程度,激光脈沖的峰值功率不足以使塑封材料等離子體化而全部轉(zhuǎn)化為熱效應(yīng)。文章經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)研究,結(jié)果表明,當(dāng)激光重復(fù)頻率為20kHz~30kHz時(shí),開(kāi)封區(qū)域表層平整,芯片發(fā)熱量較小,具有較為理想的開(kāi)封效果如圖5(c)、(d)所示。

        (3)開(kāi)封速度。開(kāi)封速度即振鏡掃描線速度,激光開(kāi)封過(guò)程是通過(guò)激光束在開(kāi)封區(qū)域的逐行線掃描實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)全部開(kāi)封區(qū)域掃描完成即實(shí)現(xiàn)了“一層”的開(kāi)封。開(kāi)封速度決定了激光束在開(kāi)封區(qū)域單位面積上的作用時(shí)間,開(kāi)封速度越快,激光在開(kāi)封區(qū)域內(nèi)的作用時(shí)間越短,去除的塑封材料也越薄,但完成一層掃描的時(shí)間越快。在實(shí)際的開(kāi)封作業(yè)中,要根據(jù)芯片塑封層的厚度和開(kāi)封區(qū)域的大小來(lái)設(shè)置合適的開(kāi)封速度。對(duì)于塑封層較厚的芯片,要適當(dāng)減小開(kāi)封速度,以增加單層開(kāi)封的厚度;對(duì)于開(kāi)封區(qū)域較大的芯片,要適當(dāng)提高開(kāi)封速度,減小單層開(kāi)封的時(shí)間。文章的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,設(shè)置開(kāi)封速度為500mm/s~600mm/s,完成開(kāi)封的層數(shù)為10~15層時(shí),可以盡可能的減小激光對(duì)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的損傷,實(shí)現(xiàn)較為理想的開(kāi)封效果。

        通過(guò)以上工藝參數(shù)的對(duì)比研究,分別開(kāi)展了對(duì)金絲、銅絲、鋁絲鍵合的模塑料EMC芯片進(jìn)行開(kāi)封試驗(yàn),研究表明,以露出鍵合絲為停止開(kāi)封的判斷,可以有效保護(hù)好鍵合絲,且不受鍵合絲種類的影響。

        4 結(jié)束語(yǔ)

        激光開(kāi)封的目標(biāo)是對(duì)芯片塑封材料進(jìn)行分層精細(xì)化去除,同時(shí)避免激光對(duì)芯片內(nèi)部鍵合絲和晶圓的損害。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)開(kāi)封目標(biāo),需要對(duì)激光功率、重復(fù)頻率和開(kāi)封速度(振鏡掃描線速度)這三個(gè)工藝參數(shù)開(kāi)展廣泛的實(shí)驗(yàn)研究。LD-01型激光開(kāi)封機(jī)的開(kāi)封實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,激光功率5W~10W、重復(fù)頻率20kHz~30kHz和開(kāi)封速度500mm/s~600mm/s是實(shí)現(xiàn)較好開(kāi)封效果的工藝參數(shù)窗口。

        參考文獻(xiàn)

        [1]田民波.電子封裝工程[M].北京:清華大學(xué)出版社,2003.

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        [4]張素娟,李海岸.新型塑封器件開(kāi)封方法以及封裝缺陷[J].半導(dǎo)體技術(shù),2006,7:509,511.

        作者簡(jiǎn)介:張庸(1987-),男,工程師,湖北三江航天紅峰控制有限公司,主要從事光機(jī)電產(chǎn)品研究。

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