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        雙極型集成電路可靠性技術(shù)

        2016-12-26 16:01:25袁昊煜李珂杜平川
        電子技術(shù)與軟件工程 2016年22期
        關(guān)鍵詞:集成電路技術(shù)應(yīng)用可靠性

        袁昊煜++李珂++杜平川

        摘 要

        為了更為準(zhǔn)確的探究雙極型集成電路的相關(guān)技術(shù),本文的立足于影響雙極型集成電路的主要因素基礎(chǔ)上,對(duì)的當(dāng)前國(guó)內(nèi)外廣泛應(yīng)用的雙極型集成電路運(yùn)用的相關(guān)可靠性技術(shù)進(jìn)行展開(kāi)討論。從而在設(shè)計(jì)方法、具體工藝以及元器件的諸多視角下來(lái)提出雙極型集成電路的技術(shù)應(yīng)對(duì)措施,從而來(lái)達(dá)到有效提高雙極型集成電路在實(shí)踐應(yīng)用中的可靠性與實(shí)用性。

        【關(guān)鍵詞】雙極型 集成電路 可靠性 技術(shù)應(yīng)用

        在現(xiàn)代化的發(fā)展以及現(xiàn)代化生產(chǎn)的過(guò)程中,雙極型集成電路作為應(yīng)用范圍非常廣、實(shí)用效果良好的電路類(lèi)型。當(dāng)前為了有效提高各個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)對(duì)電路的有效控制,雙極型集成電路可靠性技術(shù)是現(xiàn)代社會(huì)生產(chǎn)中的常見(jiàn)的電路加工技術(shù),其能夠?qū)⒎煮w的分極電路個(gè)體經(jīng)過(guò)雙極型集成電路可靠性工藝成為連結(jié)在同一個(gè)體上,從而為具體的生產(chǎn)需求提供不同頻率與電流量的電路部件。其中,在影響整體雙極型集成電路可靠性與應(yīng)用質(zhì)量的眾多因素中,雙極型集成電路接頭應(yīng)力作為影響雙極型集成電路接頭牢固性、穩(wěn)定性與持久性的重要指標(biāo),是對(duì)雙極型集成電路的可靠性產(chǎn)生直接作用的關(guān)鍵因素。

        1 影響雙極型集成電路可靠性的主要因素

        1.1 雙極型集成電路內(nèi)部芯片感熱力的形成

        由于在雙極型集成電路的作業(yè)行為中,芯片自身的受熱力度與受熱范圍都不盡相同,同范圍內(nèi)的雙極型集成電路承受外力的力度存在一定程度的差異。這樣由于膨脹與收縮的比例不協(xié)調(diào),造成了芯片自身在電流環(huán)繞狀態(tài)下的內(nèi)熱力,影響雙極型集成電路接頭的牢固性與穩(wěn)定性,從而對(duì)雙極型集成電路芯片的質(zhì)量產(chǎn)生消極影響。

        1.2 雙極型集成電路鋁膜殘余應(yīng)力的影響

        殘余應(yīng)力對(duì)雙極型集成電路結(jié)構(gòu)的剛度會(huì)產(chǎn)生阻礙影響,而當(dāng)電流傳輸達(dá)到一定程度即S點(diǎn)時(shí),會(huì)直接促進(jìn)雙極型集成電路的鋁膜材料產(chǎn)生局部形變,影響雙極型集成電路工作的良好開(kāi)展。從殘余應(yīng)力對(duì)受壓構(gòu)件的影響來(lái)說(shuō),在內(nèi)應(yīng)力與外壓力不對(duì)等的情況下,會(huì)使得鋁膜的分截面積產(chǎn)生形變,同時(shí)也可能改變有效橫截面積的分布狀態(tài),從而對(duì)雙極型集成電路自身的穩(wěn)定性產(chǎn)生威脅。

        2 雙極型集成電路可靠性技術(shù)的應(yīng)用探討

        2.1 留出熱載子流的余量

        在雙極型集成電路的應(yīng)用過(guò)程中,一定要突出具體雙極型集成電路方法的應(yīng)用重點(diǎn),而其中一個(gè)非常關(guān)鍵的要點(diǎn),便是要留出適當(dāng)?shù)臒彷d子流余量在雙極型集成電路作業(yè)中,從而來(lái)保證整體電路的可靠性。由于在不同材料、零部件以及設(shè)備的制造與修理過(guò)程中,經(jīng)常會(huì)存在對(duì)材料自身進(jìn)行原地“挖補(bǔ)”或者“堵孔”的情況。那么為了在該種作業(yè)要求下良好完成雙極型集成電路作業(yè),其關(guān)鍵便是對(duì)鋁條之間距離的掌握,從而實(shí)現(xiàn)整體雙極型集成電路的質(zhì)量?jī)?yōu)化。如果在高速傳遞電流的要求下開(kāi)展作業(yè),其模式是“環(huán)形的對(duì)接電路”,即在雙極型集成電路中無(wú)法形成存在余量的自由收縮空間,即要控制好雙極型集成電路內(nèi)部形成的熱載子流,并控制好電流感應(yīng)力的大小程度。那么可以事先將電路做成“凸型”的狀態(tài),適當(dāng)流出存有余量的熱載子流,這樣在進(jìn)行環(huán)形雙極型集成電路時(shí)做到恰到好處的“無(wú)縫對(duì)接”,以此來(lái)減少雙極型集成電路對(duì)熱載子流傳遞的阻礙。

        2.2 選擇科學(xué)的雙極型集成電路范圍

        選擇科學(xué)的雙極型集成電路范圍作為提高雙極型集成電路可靠性的重要步驟,應(yīng)該明確對(duì)雙極型集成電路范圍靈活運(yùn)用與科學(xué)衡量的思想與理念。為了在雙極型集成電路作業(yè)中盡可能的縮小鍵合絲的磨損程度、受熱程度與受熱范圍,要根據(jù)雙極型集成電路內(nèi)部鍵合絲自身的物理性質(zhì)與具體變形狀態(tài),采取不同規(guī)格的雙極型集成電路巡回方式。比如在必要情況下通過(guò)采取直徑相對(duì)較小的鍵合絲來(lái)進(jìn)行雙極型集成電路的可靠設(shè)計(jì),或者將電流的頻率調(diào)低來(lái)進(jìn)行低電流雙極型集成電路,都能夠合理并科學(xué)的控制雙極型集成電路范圍,從而達(dá)到有效控制鍵合絲受熱范圍的目的,來(lái)保證雙極型集成電路的應(yīng)用質(zhì)量。

        2.3 運(yùn)用電流“減應(yīng)區(qū)”法

        該方法作為減輕雙極型集成電路膜層抗應(yīng)力的方法之一,其是近幾年被廣泛普及并加入在相關(guān)理論研究成果中。在該種極力推行的實(shí)踐方法下,靈活并熟練運(yùn)用電流“減應(yīng)區(qū)”法:其原理與預(yù)留傳輸電流法類(lèi)似,對(duì)雙極型集成電路中的部分電線進(jìn)行分組式調(diào)節(jié)與測(cè)試,但是其不同點(diǎn)便是電流“減應(yīng)區(qū)”法會(huì)在高速作業(yè)后對(duì)膜層進(jìn)行均勻的冷卻。這樣通過(guò)均勻的冷卻之后,使得膜層自身的抗應(yīng)力得到釋放,使得膜層抗應(yīng)力的伸縮性與活動(dòng)的空間更為自由,從而減少雙極型集成電路作業(yè)中的誤差,保證雙極型集成電路應(yīng)用的可靠性與質(zhì)量。

        2.4 利用間斷式雙極型集成電路法

        為了在雙極型集成電路作業(yè)下有效減少雙極型集成電路的外在干擾力,間斷式雙極型集成電路法也是學(xué)生需要了解并掌握的基本方法之一。間斷式雙極型集成電路法是在加熱的基礎(chǔ)上,利用時(shí)間差的計(jì)算來(lái)對(duì)內(nèi)置芯片進(jìn)行間隔式雙極型集成電路,保證雙極型集成電路元器件的加熱程度與反應(yīng)性能在可控范圍之內(nèi),從而達(dá)到減小內(nèi)置芯片受到高壓作業(yè)下溫度上升影響芯片流速的目的。

        3 結(jié)論

        綜上所述,要想全面提高雙極型集成電路可靠性工藝的有效性、持久性與耐用性,其根本便需要科學(xué)控制雙極型集成電路的各個(gè)指標(biāo),比如熱載子流效應(yīng)、輻射效應(yīng)以及靜電效應(yīng)等,以此來(lái)有效提高雙極型集成電路在實(shí)踐應(yīng)用中的可靠性與穩(wěn)定性。通過(guò)以上相關(guān)分析,在日后雙極型集成電路的應(yīng)用過(guò)程中,要充分把握好整體電路組的可靠性,準(zhǔn)確確定雙極型集成電路的熱載子流力以及遷移力,從而來(lái)保護(hù)雙極型集成電路在更為均衡與可靠的環(huán)境下完成電流作業(yè)。

        參考文獻(xiàn)

        [1]王林,趙宇軍,等人.軍用雙極型數(shù)字集成電路的可靠性保證[J].電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn),2014(06):29-31.

        [2]張德勝,顧瑛,等人.雙極型集成電路表面質(zhì)量的監(jiān)測(cè)技術(shù)和系統(tǒng)[J].電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn),2014(06):53-59.

        [3]王林.雙極型半導(dǎo)體集成電路的可靠性設(shè)計(jì)[J].電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn),2014(05):32-37+60.

        [4]許斌.采用TEG技術(shù)的半導(dǎo)體集成電路可靠性評(píng)價(jià)方法[J].微電子學(xué),2015(06):855-859.

        作者單位

        成都信息工程大學(xué) 四川省成都市 610200

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