宋艷彤

天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司

半導(dǎo)體硅片的品質(zhì)工藝與產(chǎn)品質(zhì)量

宋艷彤

天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司

半導(dǎo)體技術(shù)是一個國家科研、生產(chǎn)能力的集中代表，是未來社會與建設(shè)自動化和智能化的基礎(chǔ)型技術(shù)。由于國家政策上和經(jīng)濟上的大力支持，一段期間內(nèi)國內(nèi)成立了大量的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)，但隨著市場的逐漸飽和，半導(dǎo)體材料產(chǎn)品逐漸出現(xiàn)過剩，企業(yè)間的競爭變得空前的激烈，不少企業(yè)的生存遇到了困難，因此進一步加強對其的研究非常有必要。在發(fā)展過程中要把握當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)的核心和關(guān)鍵，在重點技術(shù)環(huán)節(jié)取得關(guān)鍵性突破，這樣，才能將半導(dǎo)體技術(shù)更好地推向新的水平，進而適應(yīng)科學(xué)、制造、生產(chǎn)的趨勢需要。

半導(dǎo)體硅片；品質(zhì)工藝；產(chǎn)品質(zhì)量

1 半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程

半導(dǎo)體技術(shù)起源于1948年蕭克立、巴定、布萊坦發(fā)明的雙極晶體管，這標(biāo)志著半導(dǎo)體制造技術(shù)的開端，也是人類電子時代到來的標(biāo)志。1961年，貝爾實驗室發(fā)明了硒晶管和鍺晶管，這代表著半導(dǎo)體制造技術(shù)進入了成熟階段。由于晶體管具有可集成的特性，在平面加工工藝應(yīng)用的基礎(chǔ)上，半導(dǎo)體實現(xiàn)了量產(chǎn)化。進入到20世紀(jì)70年代，砷化鎵作為新一代半導(dǎo)體制造的新材料取代了第一代半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體產(chǎn)品在工業(yè)、軍事、通信方面，實現(xiàn)了大范圍應(yīng)用。特別是砷化鎵在頻率、噪音、功率、性能上的優(yōu)勢，使半導(dǎo)體制造的產(chǎn)品得到了廣泛地認(rèn)可。半導(dǎo)體制造技術(shù)已經(jīng)成為工業(yè)生產(chǎn)的基礎(chǔ)性技術(shù)。近20年來，氮化鎵為代表的半導(dǎo)體得到了世人的矚目。氮化鎵具有處理效率、光電效能、耐腐蝕、高強度等優(yōu)良特性，特別在軍事、衛(wèi)星、通信、計算等方面，有著種種的優(yōu)勢。相信，隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)應(yīng)用的進一步深入，半導(dǎo)體制造技術(shù)的優(yōu)勢將得到進一步展現(xiàn)，半導(dǎo)體制造技術(shù)對工業(yè)生產(chǎn)和社會發(fā)展的效能也將會大幅度提升。

2 半導(dǎo)體生產(chǎn)的特點

2.1 數(shù)據(jù)采集

首先，要對工序進行失效模式及影響的分析，以便確定測試參數(shù)及測試點，以完成原始的數(shù)據(jù)測量及采集。以某擴散工藝為例，過程受多種因數(shù)(如工藝溫度、工藝時間、顆粒、氣體濃度、設(shè)備真空度等)的影響，但是過程輸出的主要指標(biāo)是擴散后氧化層的厚度，所以，應(yīng)該選擇該膜厚作為關(guān)鍵參數(shù)進行SPC監(jiān)控，一旦數(shù)據(jù)異常即可停機檢查各項過程輸入因數(shù)是否出現(xiàn)異常。半導(dǎo)體制造廠都是由MES系統(tǒng)控制整個制造過程，并通過MES控制測試點的設(shè)置，抽樣頻率和數(shù)量，一般是一個Lot抽測1片Wafer。對于六寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線，一般每個Wafer測量5個點(上、中、下、左、右)，位置關(guān)系如圖1所示。

圖1 Wafer測量位置示意圖

2.2 數(shù)據(jù)整理

仍然以某擴散工藝為例，收集到的原始數(shù)據(jù)一般包括很多采集信息，如工藝時間、批號、生產(chǎn)設(shè)備、測試設(shè)備、作業(yè)員信息等。一般是以生產(chǎn)設(shè)備進行分類，將測試的數(shù)據(jù)按時間前后進行排序，見表1。

表1 某擴散工藝膜厚

2.3 數(shù)據(jù)分析

半導(dǎo)體制造廠和大多數(shù)其他傳統(tǒng)制造行業(yè)一樣，采用得最廣泛的是均值—極差圖(X-R)來監(jiān)控過程狀態(tài)，如圖2所示。圖2就是根據(jù)表1數(shù)據(jù)用Minitab作出的均值—極差圖。

圖2 均值一極差控制圖

根據(jù)圖2可以看出，有10個點超控制線，說明該工序很不穩(wěn)定，但這與實際非常不吻合。究其原因，是控制限的計算方法不合理。剛剛我們運用的Minitab，是根據(jù)基本的均值—極差控制圖(X-R)的計算方法算的控制限。該技術(shù)方法的前提，是所有數(shù)據(jù)點(25組，每組5個數(shù)據(jù)，總共125個數(shù)據(jù))均是隨機采集的，在這個前提下，可以認(rèn)為經(jīng)過每組取平均值后，組間差異是很小的，而組內(nèi)差異是主要差異。而半導(dǎo)體制造行業(yè)因為其數(shù)據(jù)采集的特殊性，上面章節(jié)已經(jīng)說明過，半導(dǎo)體制造中的一組數(shù)據(jù)其實就是一個Wafer中5個點的數(shù)值，與一般質(zhì)量管理學(xué)意義上的分組原則有所不同，而且所測的位置是固定的并非隨機抽測，這勢必造成位置差異，所以極差代表的是片內(nèi)均勻性，組平均值之間的差異代表的Lot與Lot之間的差異，選用這樣的平均極差來計算平均值控制限毫無意義。

圖3 單晶檢驗流程

3 半導(dǎo)體硅片的品質(zhì)工藝

3.1 材料檢驗的分類

由于質(zhì)量的實時跟蹤，質(zhì)檢在半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的各個工序中都在進行，根據(jù)半導(dǎo)體材料在加工中的形態(tài)可將檢驗分為晶體檢驗、晶片檢驗。

其中單晶檢驗就屬于晶體檢驗，切片檢驗、磨片檢驗就屬于晶片檢驗。

以單晶檢驗為例，檢驗流程如圖3所示。

3.2 檢驗項目、檢驗設(shè)備及方法

3.2.1 硅片的直徑。儀器：卡尺方法：使用前必須對卡尺進行校準(zhǔn)。把卡尺推緊，使卡尺長腳一端的兩個內(nèi)平面對齊貼緊，不要有縫隙，讀出卡尺準(zhǔn)確數(shù)值。如卡尺有誤差，在測量時一定要把誤差計算在內(nèi)。

3.2.2 硅片的型號。儀器：導(dǎo)電類型測試儀方法：打開導(dǎo)電類型測試儀預(yù)熱10分鐘后，用N/P型號樣塊進行校對。用冷熱探針輕點硅片表面，所顯示的N或P即為該硅片的型號。

3.2.3 硅片的晶向。儀器：X射線定向儀方法：首先對儀器進行校準(zhǔn)，之后可根據(jù)作業(yè)指導(dǎo)書進行操作，測試過程中，X射線不要對著任何人。

[1]楊海平.半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光電化學(xué)與拋光速率研究[D].中南大學(xué)，2007.

[2]程璇，林昌健.半導(dǎo)體硅片的p-n結(jié)和銅沉積行為的電化學(xué)研究[J].半導(dǎo)體學(xué)報，2000，05：509-516.

[3]林曉杰，劉麗君，王維升.半導(dǎo)體硅片清洗設(shè)備研究進展[J].微處理機，2012，04：25-27+36.

[4]王孝，王玉花，周善波，謝行，沈傳兵.基于半導(dǎo)體硅片的容柵千分傳感器的設(shè)計[J].傳感器與微系統(tǒng)，2011，08：95-96+103.

[5]鄭宣，程璇.半導(dǎo)體硅片金屬微觀污染機理研究進展[J].半導(dǎo)體技術(shù)，2004，08：53-56.

[6]王凌云，王申，陳丹兒，梁楚尉，周如海，蔡建法，杜曉輝.基于干濕法活化相結(jié)合的硅-硅低溫鍵合[J].廈門大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)，2013，02：165-171.

[7]曹馨升，胡凡，張雪梅.半導(dǎo)體級硅片彎曲強度測試方法[J].科技展望，2015，04：153.

[8]張厥宗.硅單晶拋光片的加工技術(shù)[M].化學(xué)工業(yè)出版社，2005.