趙　恒,徐長(zhǎng)安,谷泉宏（南京郵電大學(xué)光電工程學(xué)院,南京210023）

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半導(dǎo)體光電信息功能材料的研究進(jìn)展

趙恒,徐長(zhǎng)安,谷泉宏
（南京郵電大學(xué)光電工程學(xué)院,南京210023）

摘 要：21世紀(jì)是高速發(fā)展的信息時(shí)代，在這個(gè)飛速發(fā)展的時(shí)代中，光電信息功能得到了前所未有的發(fā)展，它在信息的產(chǎn)生，信息的存儲(chǔ)以及信息的傳輸方面扮演著越來(lái)越不可或缺的角色。本文就半導(dǎo)體光電 信息功能的研究進(jìn)展做出了簡(jiǎn)要分析，希望能對(duì)半導(dǎo)體光電信息功能材料的普及發(fā)揮作用。

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；光電信息功能材料；研究與創(chuàng)新

0　前言

從遠(yuǎn)古到現(xiàn)代，從石器時(shí)代到如今的信息時(shí)代，歷史的發(fā)展表明信息科學(xué)技術(shù)發(fā)展的先導(dǎo)和基礎(chǔ)是半導(dǎo)體信息功能材料的進(jìn)步，伴隨著時(shí)代發(fā)展的特征，我們可以很容易的分析出，光電信息功能材料在方方面面深刻的影響著人類的生產(chǎn)和生活方式?，F(xiàn)如今，隨著光電信息功能材料的不斷普及以及各行各業(yè)的的綜合應(yīng)用，其技術(shù)得到了光速的更新，例如其信息的存儲(chǔ)已不再受低級(jí)別的限制，其存儲(chǔ)量已被提高到KT級(jí)別，當(dāng)然為了使之更好地適應(yīng)社會(huì)，發(fā)揮出更大的作用，生產(chǎn)商與使用者對(duì)光電信息功能材料的研究與創(chuàng)新從未停止。光電信息功能材料的發(fā)展，同樣也與國(guó)家生產(chǎn)力的發(fā)展有著密切的聯(lián)系，它是國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的根本保障之一。對(duì)于目前正處在快速發(fā)展中的我國(guó)來(lái)說(shuō)，大力發(fā)展半導(dǎo)體光電信息功能材料十分必要。

1　半導(dǎo)體光電信息材料簡(jiǎn)述

科學(xué)技術(shù)之所以得到不斷發(fā)展的原因之一，便是有著信息研究材料的支持，人類對(duì)不同材料的研究與創(chuàng)新，是科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展，科學(xué)規(guī)律不斷修正完善的基礎(chǔ)。20世紀(jì)60～70年代，光導(dǎo)纖維材料和以砷化鎵為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體激光器的發(fā)明，是人們進(jìn)入了光纖通信，高速、寬帶信息網(wǎng)絡(luò)的時(shí)代。半導(dǎo)體光電材料——半導(dǎo)體是一種介于絕緣體導(dǎo)體之間的材料，半導(dǎo)體光電材料可以將光能轉(zhuǎn)化為電能，同樣也可以將電能轉(zhuǎn)化為光能，并且可以處理加工和擴(kuò)大光電信號(hào)。在當(dāng)今社會(huì)，其應(yīng)用正在逐步得到普及。半導(dǎo)體信息光電材料，對(duì)于我們來(lái)說(shuō)并不陌生，其存在于我們的日常生活中，并且無(wú)時(shí)無(wú)刻的不在影響著我們，所以我們應(yīng)正確的認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體信息光電材料，并且可以為半導(dǎo)體光電信息材料的發(fā)展貢獻(xiàn)出自己的力量。

2　半導(dǎo)體光電信息材料研究的必要性

2.1電子材料研究的意義

量子論為人們研究電子在原子中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律提供了重要依據(jù)，其主要作用是揭示了原子最外層電子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律方面，正是由于此方面研究取得了初步的進(jìn)展，從而極大地促進(jìn)了有色合金，不銹鋼等金屬材料的發(fā)現(xiàn)于研究。此外，半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)，是得電子信息技術(shù)得大了極大地發(fā)展，并且逐步興盛起來(lái)，于是出現(xiàn)了我們現(xiàn)在正在普遍應(yīng)用的采用電子學(xué)器件小型化及電子回路集成化等科學(xué)技術(shù)制造而成的電器，極大地方便了我們的生活。

2.2光學(xué)材料研究的意義

70年代光纖技術(shù)的發(fā)展，又引起了一輪新的技術(shù)浪潮，光學(xué)材料的研究正是在此時(shí)得到了大力發(fā)展，光學(xué)材料的研究極大地促進(jìn)了光纖技術(shù)的進(jìn)步，進(jìn)而光纖技術(shù)的迅速發(fā)展，又帶動(dòng)了信息技術(shù)的革新，這使得研究材料的范圍逐步的被擴(kuò)大。于是，多媒體電能與光纖通信技術(shù)二者逐漸的結(jié)合起來(lái)，綜合應(yīng)用，從而極大地提高了網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展速度，大容量的存儲(chǔ)，大范圍的交流與傳輸通道，在很大程度上減少了時(shí)間與空間對(duì)多媒體信息交流的限制。

2.3技術(shù)興國(guó)的意義

在當(dāng)前信息高能時(shí)代，發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體光電信息的研究，在大的方面，能在很大的程度上，幫助我國(guó)提高科技水平，進(jìn)而提高國(guó)際地位，爭(zhēng)取在國(guó)際科技方面的話語(yǔ)權(quán)，在小的具體方面，它能幫助政府改善人民生活水平，提高人民生活質(zhì)量，因此不管于大于小，發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體光電信息功能材料的研究十分必要。

3　半導(dǎo)體光電信息材料研究研究進(jìn)展

雖然當(dāng)代國(guó)際信息技術(shù)水平在不斷的發(fā)展，各國(guó)的科技水平都在提高，但是相對(duì)于國(guó)際水平或者其他發(fā)達(dá)國(guó)家來(lái)說(shuō)，我國(guó)在半導(dǎo)體光電信息材料的研究方面還是相對(duì)落后的。我國(guó)在其功能材料的研究方面的問(wèn)題主要有以下幾個(gè)方面

3.1科技水平低技術(shù)發(fā)展受到阻礙

我國(guó)科技水平相對(duì)于國(guó)際科技水平來(lái)說(shuō)相對(duì)落后。我國(guó)科技發(fā)展方面存在的主要問(wèn)題是發(fā)展滯緩，與國(guó)際脫節(jié)，更新?lián)Q代慢。然而，科技水平的高低對(duì)于半導(dǎo)體光電信息材料的研究起著決定性的作用，所以要想更好地促進(jìn)半導(dǎo)體光電信息材料的發(fā)展，我國(guó)首先需要做的便是努力提高科技發(fā)展水平，緊跟國(guó)際科技發(fā)展的步伐。提高自身的科技水平，為半導(dǎo)體光電信息功能材料的研究提供強(qiáng)大的科技后盾。

3.2技術(shù)型人才需予以增加

受我國(guó)應(yīng)試教育的影響，我國(guó)高校培養(yǎng)出的人才過(guò)于依賴?yán)碚?，缺少?chuàng)新意識(shí)。然而，半導(dǎo)體光電信息功能材料的研究需要的不僅僅是擁有淵博理論知識(shí)的人，其更需要的是擁有靈活大腦，創(chuàng)新意識(shí)的人才。因此，我國(guó)應(yīng)改進(jìn)相關(guān)的教育政策制度，鼓勵(lì)高校培養(yǎng)出更多擁有創(chuàng)新精神、靈活頭腦的人。同時(shí)，我國(guó)在進(jìn)行技術(shù)型人才培養(yǎng)方面要注重其專業(yè)性的提高，注重專業(yè)素質(zhì)的培養(yǎng)。從而讓更多的具有專業(yè)型的人才滿足社會(huì)需要，滿足半導(dǎo)體光電信息材料研究的需要。

3.3政策缺失

現(xiàn)階段，處于發(fā)展中狀態(tài)的我國(guó)在半導(dǎo)體光電信息材料研究中，各方面政策制度還不夠完善，比如在半導(dǎo)體光電信息材料的研究方面，國(guó)家并沒(méi)有明確地提出相應(yīng)的鼓勵(lì)措施促進(jìn)此方面技術(shù)的發(fā)展。因此，現(xiàn)在國(guó)家需要作出努力的便是組織相關(guān)部門，制定相關(guān)獎(jiǎng)勵(lì)政策，來(lái)促進(jìn)半導(dǎo)體光電信息材料的研究。政策的制定需要立足于我國(guó)的現(xiàn)實(shí)和實(shí)際，相關(guān)部門要對(duì)半導(dǎo)體光電信息材料進(jìn)行仔細(xì)研究，通過(guò)政策的制定很好的指導(dǎo)其發(fā)展和拓新。

4　結(jié)語(yǔ)

從上文中可以我們可以看出，在當(dāng)代信息技術(shù)高速發(fā)展的時(shí)期，半導(dǎo)體光電信息功能資料的研究，對(duì)一國(guó)的生產(chǎn)力發(fā)展，經(jīng)濟(jì)進(jìn)步，起著重要的決定性作用，半導(dǎo)體光電信息功能材料普遍存在于一國(guó)人民的日常生活當(dāng)中，每一個(gè)人都應(yīng)當(dāng)成為半導(dǎo)體光電信息材料研究的推動(dòng)者，只有全民努力，其材料研究才能得到長(zhǎng)足發(fā)展。

參考文獻(xiàn)：

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DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.03.218