夏小飛

（廣西電網(wǎng)公司電力科學(xué)研究院，南寧 530000）

表面金屬異物引起盆式絕緣子局部放電的研究

夏小飛

（廣西電網(wǎng)公司電力科學(xué)研究院，南寧 530000）

為探究盆式絕緣子表面積聚的金屬異物對(duì)其絕緣性能的影響，在正常盆式絕緣子表面沿電場(chǎng)方向附上細(xì)長(zhǎng)的金屬絲模擬缺陷，通過(guò)改變金屬絲的長(zhǎng)度、半徑和位置，模擬不同程度或不同位置的金屬顆粒積聚現(xiàn)象，同時(shí)進(jìn)行試驗(yàn)和電場(chǎng)仿真分析。研究結(jié)果表明：絕緣子表面金屬顆粒會(huì)使局部電場(chǎng)發(fā)生嚴(yán)重畸變，顯著降低絕緣子表面擊穿電壓，最終造成絕緣子沿面放電和絕緣破壞；仿真和試驗(yàn)得到的結(jié)果很接近，在試驗(yàn)條件不充分的情況下可以通過(guò)仿真計(jì)算預(yù)測(cè)盆式絕緣子的絕緣狀態(tài)；金屬異物積聚越多或位置越靠近高壓端導(dǎo)體，對(duì)絕緣子的危害越大。

盆式絕緣子；金屬異物；沿面放電；擊穿電壓；電場(chǎng)仿真

氣體絕緣金屬封閉開(kāi)關(guān)設(shè)備（Gas Insulated Switchgear，GIS），具有占地少、可靠性高、無(wú)污染、維護(hù)方便、使用周期長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)GIS設(shè)備故障事件時(shí)有發(fā)生，GIS設(shè)備的運(yùn)行可靠性問(wèn)題已經(jīng)引起了國(guó)內(nèi)外的廣泛關(guān)注［1］。因此，找出能夠評(píng)估GIS設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的方法是個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

根據(jù)運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)，在GIS設(shè)備故障事例中，盆式絕緣子故障占有很大的比例，主要原因是自由金屬異物在盆式絕緣子表面積聚，引起沿面放電故障。GIS設(shè)備在生產(chǎn)、裝備或運(yùn)輸過(guò)程中，可能由于質(zhì)量把控不嚴(yán)，或在運(yùn)行過(guò)程中由于開(kāi)關(guān)操作，都會(huì)不可避免地在內(nèi)部產(chǎn)生自由金屬顆粒異物。這些金屬顆粒游離到盆式絕緣子表面，會(huì)被固定吸附在絕緣子表面，使得絕緣子表面局部電場(chǎng)發(fā)生嚴(yán)重畸變，顯著降低絕緣子表面擊穿電壓，最終造成絕緣子沿面放電和絕緣破壞。

本文將通過(guò)模擬試驗(yàn)和有限元仿真相結(jié)合的方式，探討表面金屬異物對(duì)盆式絕緣子沿面放電的影響程度，為盆式絕緣子的狀態(tài)監(jiān)測(cè)提供重要參考和依據(jù)。

1 局部放電試驗(yàn)部分

1.1 試驗(yàn)電路

本文作者建立了一套220kV盆式絕緣子沿面放電試驗(yàn)平臺(tái)，試驗(yàn)在高壓與絕緣試驗(yàn)室進(jìn)行。試驗(yàn)裝置主要包括調(diào)壓器、無(wú)暈試驗(yàn)變壓器、220kV盆式絕緣子、分壓器及局部放電檢測(cè)儀等。試驗(yàn)回路電路如圖1所示。

圖1 試驗(yàn)回路電路示意圖

調(diào)壓器的電壓調(diào)制范圍為 0～400V。無(wú)暈試驗(yàn)變壓器指局放量很小（≤5pC），且不影響局放儀觀測(cè)電氣設(shè)備的局放量的試驗(yàn)變壓器。當(dāng)調(diào)壓器的輸出電壓達(dá)到 380V時(shí)，變壓器達(dá)到滿(mǎn)載，可在絕緣子兩端加上200kV高壓。分壓器并聯(lián)在變壓器輸出端，將變壓器的輸出電壓以1000∶1的比例分出來(lái)，從分壓器兩端接上的數(shù)顯多功能萬(wàn)用表可讀取變壓器的實(shí)時(shí)輸出電壓。從分壓器串聯(lián)局部放電檢測(cè)儀的傳感器，將高頻局放信號(hào)以信號(hào)波的方式傳遞到檢測(cè)設(shè)備。

1.2 放電缺陷模擬

盆式絕緣子表面附著的金屬顆粒在電場(chǎng)作用下會(huì)沿電場(chǎng)方向排列，引起局部電場(chǎng)集中。本文試驗(yàn)所用220kV盆式絕緣子本身無(wú)任何缺陷，通過(guò)人工在其凸面緊貼一根金屬絲來(lái)模擬金屬異物缺陷。模擬的放電缺陷為一根長(zhǎng)5cm、直徑0.8mm、平行于電場(chǎng)方向放置的銅絲，一端距離絕緣子中心導(dǎo)體3cm。制造缺陷后的盆式絕緣子實(shí)物圖如圖2所示。

圖2 盆式絕緣子缺陷模擬

1.3 試驗(yàn)過(guò)程

試驗(yàn)采用逐步升壓法。通過(guò)控制臺(tái)的點(diǎn)動(dòng)升壓按鈕緩慢調(diào)節(jié)調(diào)壓器輸出電壓，當(dāng)絕緣子表面剛開(kāi)始出現(xiàn)放電現(xiàn)象時(shí)，記下此時(shí)萬(wàn)用表上顯示的電壓值，即為絕緣子的起始放電電壓；當(dāng)絕緣子發(fā)生表面擊穿時(shí)，裝置的保護(hù)程序會(huì)動(dòng)作切斷電壓，記下此時(shí)的電壓值，即為絕緣子的擊穿電壓。絕緣子剛開(kāi)始放電時(shí)，記下局放檢測(cè)儀顯示的起始放電量和波形，并一直觀察其變化直至本次試驗(yàn)結(jié)束。

試驗(yàn)得到，1.2節(jié)所示的模型下的起始放電電壓為70.2kV，放電量為409pC，擊穿電壓為102.1kV。

2 盆式絕緣子電場(chǎng)仿真分析

2.1 有限元基本理論

有限元法的基本思想是:將偏微分方程描述的定解問(wèn)題轉(zhuǎn)化為變分問(wèn)題或加權(quán)余量方程，利用剖分插值，將變分問(wèn)題離散化為多元函數(shù)的極值問(wèn)題或直接展開(kāi)加權(quán)余量方程，構(gòu)成代數(shù)方程組，之后求解該方程組得出邊值問(wèn)題的近似解［3］。

本文對(duì)盆式絕緣子的三維立體模型進(jìn)行電場(chǎng)仿真求解，其邊值問(wèn)題如下:

本文對(duì)盆式絕緣子三維電場(chǎng)仿真，采用的是四面體剖分單元［4］，如圖3所示。

圖3 四面體剖分單元

四面體剖分單元有四個(gè)三角形側(cè)面，頂點(diǎn)分別標(biāo)注為i、j、m、l，如圖3所示，取4個(gè)頂點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)，求取單元e內(nèi)的電勢(shì)插值函數(shù)為

式中，Ve為四面體單元e的體積。

α1、α2、α3、α4分別為上面行列式中首行第1、2、3、4個(gè)元素的代數(shù)余子式。

將所求得的α1、α2、α3、α4代入插值函數(shù)中，得

將三維電場(chǎng)的邊值問(wèn)題轉(zhuǎn)化為等價(jià)的變分問(wèn)題，再將變分問(wèn)題離散化，得到能量泛函I為

2.2 盆式絕緣子有限元模型

本文采用西安西電高壓開(kāi)關(guān)有限公司提供的GIS112型號(hào)的220kV盆式絕緣子，側(cè)面尺寸圖如圖4所示。

圖4 220kV盆式絕緣子側(cè)面尺寸圖

建立盆式絕緣子的三維有限元模型，用 Ansys中的Solid122剖分單元進(jìn)行體剖分，得到的剖分圖如圖5所示。網(wǎng)格剖分后絕緣子三維有限元模型共有節(jié)點(diǎn)90146個(gè)，單元58925個(gè)。該計(jì)算模型中各電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)取為:SF6氣體εr=1.0024，用于澆注盆式絕緣子的環(huán)氧樹(shù)脂εr=6。

圖5 盆式絕緣子剖分圖

2.3 仿真結(jié)果

1）正常盆式絕緣子電場(chǎng)仿真

本文首先對(duì)正常盆式絕緣子（無(wú)任何缺陷）在工作時(shí)的電場(chǎng)進(jìn)行了仿真計(jì)算，計(jì)算模型的加壓方式為中心導(dǎo)體接高電位GIS外殼接零電位。

仿真得到正常盆式絕緣子工作狀態(tài)下的電場(chǎng)分布，圖6為盆式絕緣子凸面電場(chǎng)分布，圖7是盆式絕緣子凹面電場(chǎng)分布。

圖6 正常盆式絕緣子凸面電場(chǎng)分布

圖7 正常盆式絕緣子凹面電場(chǎng)分布

由圖6、圖7可見(jiàn)，盆式絕緣子正常工作時(shí)，其表面最大電場(chǎng)強(qiáng)度出現(xiàn)在靠近中心導(dǎo)體的邊緣處［5］，電場(chǎng)強(qiáng)度高達(dá)2210kV/m；且盆式絕緣子表面電場(chǎng)分布基本以導(dǎo)體中心向外擴(kuò)散呈現(xiàn)逐步降低的趨勢(shì)。

2）表面附金屬絲盆式絕緣子電場(chǎng)仿真

建立局部放電試驗(yàn)?zāi)Ｐ椭斜砻娓浇饘俳z的盆式絕緣子有限元模型，進(jìn)行仿真計(jì)算。計(jì)算過(guò)程中高壓端所加電壓為試驗(yàn)所得擊穿電壓102.1kV。

對(duì)金屬絲及其附近區(qū)域進(jìn)行精細(xì)剖分，剖分后的金屬絲有限元模型如圖8所示。

圖8 金屬絲剖分圖

圖9 附金屬絲盆式絕緣子凸面電場(chǎng)分布

仿真得到的盆式絕緣子凸面電場(chǎng)分布如圖9所示。將圖9與圖6對(duì)比可知，當(dāng)絕緣子表面附有金屬絲模擬的放電缺陷時(shí)，絕緣子表面電場(chǎng)整體分布趨勢(shì)沒(méi)有明顯變化，但是在金屬絲附近區(qū)域呈現(xiàn)場(chǎng)強(qiáng)局部高度集中。此時(shí)絕緣子表面最大場(chǎng)強(qiáng)在附金屬絲附近區(qū)域，最大場(chǎng)強(qiáng)值為 28700kV/m，為正常絕緣子表面最大場(chǎng)強(qiáng)的13倍。圖6中對(duì)應(yīng)的圖9中金屬絲所在區(qū)域最大場(chǎng)強(qiáng)為1320kV/m，附金屬絲后該區(qū)域場(chǎng)強(qiáng)值為正常時(shí)的21.74倍。

由仿真結(jié)果可得到結(jié)論:盆式絕緣子表面能承受的最大場(chǎng)強(qiáng)為Emax=28700kV/m，將其稱(chēng)為絕緣子的表面擊穿場(chǎng)強(qiáng)［6］。

3 試驗(yàn)與仿真結(jié)果分析

為了研究不同程度和形式的金屬異物缺陷對(duì)盆式絕緣子沿面放電的影響，本文通過(guò)改變模擬試驗(yàn)中金屬絲的半徑、長(zhǎng)度及位置觀察試驗(yàn)結(jié)果，并與仿真計(jì)算的結(jié)果進(jìn)行對(duì)比分析，從側(cè)面驗(yàn)證仿真模型的可靠性。

3.1 不同半徑金屬絲情況的試驗(yàn)與仿真

令金屬絲的長(zhǎng)度（5cm）和位置（一端距離高壓端導(dǎo)體 3cm）不變，通過(guò)改變其半徑大小，模擬不同程度的金屬異物缺陷，對(duì)比分析仿真與試驗(yàn)結(jié)果。

金屬絲半徑分別取0.4mm、0.5mm、0.8mm及1mm，仿真時(shí)通過(guò)調(diào)整加載的電壓值，使絕緣子表面最大場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到擊穿場(chǎng)強(qiáng) Emax，則此時(shí)的電壓值即為仿真得到的擊穿電壓，同時(shí)進(jìn)行沿面放電試驗(yàn)，測(cè)取擊穿電壓，所得到的數(shù)據(jù)見(jiàn)表1。

由表1可知，仿真與試驗(yàn)得出的擊穿電壓值相差很小，誤差在5%以?xún)?nèi)，可認(rèn)為由此仿真模型計(jì)算的結(jié)果是可靠的，基本可以預(yù)測(cè)帶缺陷樣品的擊穿電壓值［7］。

圖 10中顯示了試驗(yàn)和仿真所得的擊穿電壓隨金屬絲半徑變化的趨勢(shì)。由圖可見(jiàn)，隨著金屬絲半徑的增大，絕緣子的擊穿電壓值逐漸減小，即金屬絲半徑越大，絕緣子更容易被擊穿。從試驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)看，當(dāng)金屬絲半徑從0.4mm增大到1mm時(shí)，絕緣子表面擊穿電壓從102.1kV降低到95.6kV，下降幅度為6.37%。

圖10 擊穿電壓隨金屬絲半徑變化趨勢(shì)圖

圖10中仿真所得擊穿電壓值總是略高于試驗(yàn)得到的擊穿電壓值，主要原因有兩點(diǎn):①仿真軟件本身計(jì)算方法存在一定誤差；②由于盆式絕緣子在試驗(yàn)過(guò)程中可能除了人為布置的金屬絲外，周?chē)h(huán)境中的雜質(zhì)、灰塵等會(huì)進(jìn)一步降低絕緣子的絕緣性能［8］。

3.2 不同長(zhǎng)度金屬絲情況的試驗(yàn)與仿真

試驗(yàn)過(guò)程中保證金屬絲的半徑（0.4mm）和位置（一端距離高壓端導(dǎo)體 3cm）不變，改變金屬絲的長(zhǎng)度來(lái)模擬不同程度的金屬異物缺陷，取金屬絲的長(zhǎng)度分別為3cm、4cm、5cm和6cm，得到試驗(yàn)與仿真的擊穿電壓值見(jiàn)表2。

表2 金屬絲長(zhǎng)度變化的試驗(yàn)及仿真結(jié)果

由表2可得，仿真與試驗(yàn)得出的擊穿電壓值相差很小，誤差在允許范圍（5%）內(nèi)。金屬絲長(zhǎng)度變化時(shí)試驗(yàn)和仿真擊穿電壓變化趨勢(shì)如圖11所示。

由圖11可見(jiàn)，隨著金屬絲長(zhǎng)度的增大，絕緣子的擊穿電壓值逐漸減小，即金屬絲長(zhǎng)度越大，絕緣子更容易被擊穿。從試驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)看，當(dāng)金屬絲長(zhǎng)度從 3cm增大到 6cm時(shí)，絕緣子表面擊穿電壓從159.7kV降低到 96.3kV，下降幅度達(dá)到 39.7%。圖中仿真所得擊穿電壓值總是略高于試驗(yàn)得到的擊穿電壓值。

圖11 擊穿電壓隨金屬絲長(zhǎng)度變化趨勢(shì)圖

3.3 金屬絲不同位置情況的試驗(yàn)與仿真

試驗(yàn)中保持金屬絲半徑為0.4mm，長(zhǎng)度為5cm，調(diào)整金屬絲一端距離高壓端導(dǎo)體的距離為 2cm、3cm、4cm和5cm，得到試驗(yàn)與仿真的擊穿電壓值見(jiàn)表3。

表3 金屬絲位置變化的試驗(yàn)及仿真結(jié)果

由表2可得，仿真與試驗(yàn)得出的擊穿電壓值相差很小，誤差在允許范圍（5%）內(nèi)。金屬絲位置變化時(shí)試驗(yàn)和仿真擊穿電壓變化趨勢(shì)如圖12所示。

圖12 擊穿電壓隨金屬絲位置變化趨勢(shì)圖

圖 12中顯示，金屬絲位置距離高壓端導(dǎo)體越近，擊穿電壓值越小，即絕緣子越容易被擊穿?？梢?jiàn)，絕緣子表面金屬異物積聚的地方離高壓端越近，絕緣損害越嚴(yán)重。

4 結(jié)論

本文通過(guò)模擬試驗(yàn)和仿真分析的方法，研究了表面金屬異物缺陷下盆式絕緣子的表面放電現(xiàn)象，并通過(guò)改變金屬絲的大小和位置模擬不同的缺陷情況，將試驗(yàn)與仿真結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比，得到以下結(jié)論:

1）絕緣子表面金屬異物會(huì)使局部電場(chǎng)發(fā)生嚴(yán)重畸變，顯著降低絕緣子表面擊穿電壓，最終造成絕緣子沿面放電和絕緣破壞。在絕緣子表面沿電場(chǎng)方向附著細(xì)長(zhǎng)的金屬絲可以較好地模擬金屬異物積聚的現(xiàn)象。

2）當(dāng)絕緣子表面附有金屬絲模擬的放電缺陷時(shí)，絕緣子表面電場(chǎng)整體分布趨勢(shì)沒(méi)有明顯變化，但是在金屬絲附近區(qū)域呈現(xiàn)場(chǎng)強(qiáng)局部高度集中，大大高于正常絕緣子表面最大場(chǎng)強(qiáng)。

3）仿真計(jì)算的絕緣子表面擊穿電壓值與試驗(yàn)擊穿電壓值很接近，誤差在允許范圍（5%）內(nèi)，可認(rèn)為由此仿真模型計(jì)算的結(jié)果是可靠的。在試驗(yàn)條件不充分的情況下可用仿真計(jì)算預(yù)測(cè)絕緣子的絕緣狀態(tài)。

4）金屬絲越長(zhǎng)或半徑越大，則引起場(chǎng)強(qiáng)畸變?cè)絿?yán)重，絕緣子表面擊穿電壓越小，可模擬絕緣子表面積聚的金屬異物越多的情況。

5）金屬絲越靠近高壓端導(dǎo)體，絕緣子表面擊穿電壓越小，由此可知，金屬異物積聚的位置越靠近高壓端導(dǎo)體，對(duì)絕緣子的危害越大。

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Study on the Surface Partial Discharge of Basin-type Insulator Initiated by Metal Objects

Xia Xiaofei
（Electric Power Research Institute of Guangxi Electric Power Company，Nanning 530000）

To explore the influence of basin-type insulator surface of the metal particles to its insulating properties，On normal basin insulator surface along the field direction，attach the elongated metal wire analog defect.By changing the length，radius and position of the wire，simulate the metal particles accumulate phenomenon at different degrees or different locations while conducting a test and electric field simulation.The results show that：the metal particles of the insulator surface causes severe distortion of the local electric field reduce the breakdown insulator flashover voltage significantly，and leading to the insulator surface discharge and insulation damage eventually.Simulation and experiment results are very close.Under the insufficient experimental conditions，basin insulator insulated state can be predicted by simulation calculation.The more metalobjects accumulated or positions closer to the high-pressure side conductor，there are the greater harm to the insulator.

basin-type insulator；metal particles；surface discharge；breakdown voltage；electric field simulation

夏小飛（1981-），男，廣西南寧人，碩士，現(xiàn)于廣西電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院工作，從事開(kāi)關(guān)設(shè)備方面的試驗(yàn)和研究工作。

南方電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目（K-GX2014-018）