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        DHMS中摻雜Cu2+電子順磁共振參量及局部結(jié)構(gòu)

        2016-11-17 02:19:09李超英付金仙毛杰健
        關(guān)鍵詞:結(jié)構(gòu)

        李超英,付金仙,董 明,黃 瑛,毛杰健

        (1. 上饒師范學(xué)院物理與電子信息學(xué)院 江西 上饒 334000;2. 上饒師范學(xué)院圖書館 江西 上饒 334000)

        ·物理電子學(xué)·

        DHMS中摻雜Cu2+電子順磁共振參量及局部結(jié)構(gòu)

        李超英1,付金仙1,董 明2,黃 瑛1,毛杰健1

        (1. 上饒師范學(xué)院物理與電子信息學(xué)院 江西 上饒 334000;2. 上饒師范學(xué)院圖書館 江西 上饒 334000)

        基于晶體場模型,利用3d9離子斜方(C4v)伸長八面體對(duì)稱EPR參量的高階微擾公式,計(jì)算了(NH4)2Mg(SO4)2·6H2O:Cu2+的g因子gii和超精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)Aii。公式中晶場參量由重疊模型確定,計(jì)算中考慮了d軌道基態(tài)波函數(shù)的混合。研究結(jié)果表明,晶體(NH4)2Mg(SO4)2·6H2O中絡(luò)離子[Cu(H2O)6]2+的Cu2+-H2O鍵長Rx約為0.187 2 nm,Ry約為0.203 3 nm,Rz約為0.229 2 nm;中心金屬離子基態(tài)波函數(shù)混合系數(shù)α和β分別為0.995和0.099 9。所得EPR參量理論計(jì)算與實(shí)驗(yàn)符合很好,并對(duì)上述結(jié)果進(jìn)行了討論。

        晶體場理論; Cu2+離子; 缺陷結(jié)構(gòu); 晶體DHMS; 電子順磁共振

        晶體(NH4)2Mg(SO4)2·6H2O (DHMS)的空間結(jié)構(gòu)為P21/a,每單個(gè)晶胞中有2個(gè)二價(jià)Mg2+離子(即Z= 2),晶格常數(shù)a = 0.931 6 nm,b = 1.258 0 nm,c = 0.620 2 nm,β = 107.09°[1]。晶體DHMS中金屬M(fèi)g2+離子周圍有6個(gè)最鄰近H2O分子,形成的[Mg(H2O)6]2+基團(tuán)屬于斜方壓縮八面體(C4v)點(diǎn)群對(duì)稱結(jié)構(gòu)[1-3]。研究成果均表明,當(dāng)摻雜離子進(jìn)入基質(zhì)晶體后,摻雜離子與其所替換的母體離子所處的局域結(jié)構(gòu)往往不同。摻雜離子的電子順磁共振(electron paramagnetic resonance, EPR)譜對(duì)周圍環(huán)境極為敏感。因此,對(duì)順磁中心的EPR參量的研究可以用來確定摻雜過渡金屬離子在晶體中所處的局部結(jié)構(gòu)[4]。目前,對(duì)晶體DHMS中摻雜過渡金屬離子的EPR實(shí)驗(yàn)及其局域結(jié)構(gòu)的理論研究均有報(bào)道[5-6]。文獻(xiàn)[7]報(bào)道了DHMS:Cu2+的EPR參量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)(g因子gii和精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)Aii,i = x, y, z),并采用簡單二階微擾公式計(jì)算DHMS: Cu2+的EPR參量,計(jì)算中未能將雜質(zhì)中心的局域結(jié)構(gòu)與晶場參量相互聯(lián)系,因此未能獲得雜質(zhì)中心結(jié)構(gòu)信息。材料的光學(xué)、磁學(xué)性能與摻雜離子在晶體中所處的局域結(jié)構(gòu)密切相關(guān),所以研究材料中摻雜離子周圍的局域結(jié)構(gòu),對(duì)理解過渡金屬離子與基質(zhì)晶體的相互作用以及認(rèn)識(shí)材料的微觀機(jī)理都非常有意義。因此,對(duì)DHMS: Cu2+的EPR參量作進(jìn)一步的合理解釋并獲得雜質(zhì)中心的局域結(jié)構(gòu)是必要的。本文采用斜方伸長八面體(C4v)對(duì)稱下Cu2+離子的EPR參量高階(三階)微擾公式計(jì)算DHMS: Cu2+的g因子和精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)A因子,公式中涉及的晶場參量由重疊模型并聯(lián)系晶體中摻雜離子局域結(jié)構(gòu)參量確定,并考慮了基態(tài)波函數(shù)中能態(tài)2A1g(θ)和2A1g(ε)之間的混合對(duì)EPR參量的貢獻(xiàn)。

        1 理論模型與計(jì)算公式

        當(dāng)Cu2+摻入晶體DHMS后,它將占據(jù)母體Mg2+離子位置,形成[Cu(H2O)6]2+基團(tuán)并保留母體的斜方(C4v)對(duì)稱。由文獻(xiàn)[7]的EPR實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出的gzz> gxx,gyy>2可知,雜質(zhì)Cu2+離子與周圍的6個(gè)H2O分子構(gòu)成[Cu(H2O)6]2+基團(tuán)屬于斜方伸長八面體(C4v)對(duì)稱,不同于晶體DHMS中母體[Mg(H2O)6]2+基團(tuán)的斜方壓縮八面體對(duì)稱。Cu2+離子在斜方伸長八面體晶場,能級(jí)較低的軌道雙重態(tài)2Eg將分裂為兩個(gè)軌道單重態(tài)2A1g( )和2A1g( ),能級(jí)較高的軌道三重態(tài)2T2g將分裂成3個(gè)軌道單重態(tài)2B1g(ζ)、2B2g(ζ)和2B3g(η)[8-9]。斜方對(duì)稱下能態(tài)2A1g(θ)和2A1g(ε)具有相同的不可約表示,此時(shí),基態(tài)應(yīng)為2A1g(θ)和2A1g(ε)之間的混合,基態(tài)波函數(shù)為[10-11]:

        態(tài)混合系數(shù)α和β滿足歸一化關(guān)系[9]:

        由微擾理論可得,斜方對(duì)稱下3d9(Cu2+)離子的EPR參量(g因子gxx、gyy、gzz和精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)Axx、Ayy、Azz)的高階微擾公式分別為[11]:

        式中,gs≈ 2.002 3為自由電子對(duì)應(yīng)的g因子值;ζ = Nζd0為晶體中Cu2+離子的旋-軌耦合系數(shù);ζd0≈ 829 cm-1[12]為自由Cu2+離子的旋-軌耦合系數(shù);N為表征體系共價(jià)性的共價(jià)因子;κc為摻雜Cu2+離子的各項(xiàng)同性芯區(qū)極化常數(shù),κc′為來自斜方畸變使中心離子3d-3s(4s)軌道混合引起的各向異性芯區(qū)極化常數(shù);P0(P0≈ 388 ×10-4cm-1[13])為自由Cu2+離子的偶極超精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)。

        式(3)中能級(jí)差Ei(i = 1~4)可由晶場參量Dq、Ds、Dt、Dξ和Dη表示為:

        由重疊模型[14]聯(lián)系晶體DHMS: Cu2+的局域結(jié)構(gòu),晶場參量Dq、Ds、Dt、Dξ、Dη可分別表示為:

        式中,指數(shù)律系數(shù)t2≈ 3,t4≈ 5[3-4,8];A2(R0)與4(R0)為對(duì)應(yīng)參考距離R0的內(nèi)稟參量,R0== (Rx+ Ry+ Rz)/3;Rx和Ry表示垂直于C4軸平面上的Cu-H2O鍵長;Rz表示平行于C4軸的Cu-H2O鍵長。研究表明,對(duì)3dn離子在許多晶體中處在八面體晶場的情況下,比率2(R0)/A4(R0)約為9~12之間[3,8-9,16],則取A2(R0)/ A4(R0) = 12。這樣,雜質(zhì)中心[Cu(H2O)6]2+基團(tuán)的局域結(jié)構(gòu)參數(shù)Rx、Ry和Rz就與晶場參量相互關(guān)聯(lián),即與式(4)中能級(jí)Ei及與式(3)中的EPR參量相聯(lián)系。

        根據(jù)對(duì)類似晶體晶體(NH4)2Mg(SO4)2·6H2O中摻雜Cu2+離子形成的[Cu(H2O)6]2+基團(tuán)的光譜研究,光譜參量A4(R0) ≈ 620 cm-1[3]。對(duì)Cu2+離子摻雜情況,其各向同性芯區(qū)極化常數(shù)κc處于0.2~0.5之間[7-9,17-18],取κc≈ 0.26。由于Cu2+離子中心3d-3s(4s)軌道的混合對(duì)超精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)各項(xiàng)異性的貢獻(xiàn),各向異性芯區(qū)極化常數(shù)κc′取為0.04。

        擬合EPR參量理論和實(shí)驗(yàn)相符,DHMS晶體中Cu2+離子中心局域結(jié)構(gòu)參數(shù)Rx、Ry及Rz分別為Rx≈0.187 2 nm,Ry≈ 0.203 3 nm,Rz≈ 0.229 2 nm。基態(tài)軌道波函數(shù)為:

        相應(yīng)的EPR參量計(jì)算結(jié)果(Cal.c)如表1所示。為了便于對(duì)比,忽略基態(tài)2A1g(θ)和2A1g(ε)之間的混合(即α = 1,β = 0)的計(jì)算結(jié)果(Cal.b)及利用簡單二階微擾公式所得結(jié)果(Cal.a)也列于表1中。Cal.a為文獻(xiàn)[7]基于點(diǎn)電荷模型的簡單微擾公式計(jì)算結(jié)果;Cal.b為基于式(3),但忽略了基態(tài)波函數(shù)中能態(tài)2A1g(θ)和2A1g(ε)的混合對(duì)EPR參量的貢獻(xiàn)(即α = 1,β = 0)所得的計(jì)算結(jié)果;Cal.c為采用式(3),并考慮基態(tài)波函數(shù)中能態(tài)2A1g(θ)和2A1g(ε)的混合對(duì)EPR參量的貢獻(xiàn)所得結(jié)果。

        表1 (NH4)2Mg(SO4)2·6H2O: Cu2+的g因子和超精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)理論和實(shí)驗(yàn)值

        2 分析與討論

        由表1可知,計(jì)算所得EPR參量g因子和精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)A因子理論值與實(shí)驗(yàn)值符合很好,其結(jié)果相比文獻(xiàn)[7]也有很大的改進(jìn)。因此,本文采用的斜方對(duì)稱下Cu2+離子EPR參量計(jì)算式(1),及通過擬合EPR參量所得到的相關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù)是合理的。

        1) 在八面體晶場作用下,隨著雜質(zhì)中心對(duì)稱度降低,基態(tài)之間的混合和配體離子的旋-軌耦合作用都能影響最后的計(jì)算結(jié)果。從表1可以發(fā)現(xiàn),采用式(3)并考慮基態(tài)波函數(shù)中能態(tài)2A1g(θ)和2A1g(ε)的混合對(duì)EPR參量的貢獻(xiàn)所得結(jié)果(Cal.c),相比忽略基態(tài)波函數(shù)中能態(tài)2A1g(θ)和2A1g(ε)的混合計(jì)算(Cal.b)及前人采用簡單的二階微擾公式所得結(jié)果(Cal.a),與實(shí)驗(yàn)值符合更好,而且,通過擬合EPR參量所得能態(tài)混合系數(shù)α與文獻(xiàn)[10]通過分析晶體C6H7KO7:Cu2+的EPR參量所得混合系數(shù)α ≈ 0.995一致,進(jìn)一步說明本文所得基態(tài)波函數(shù)是合理的。此外,由于中心Cu2+離子的旋軌耦合系數(shù)(ζd0≈ 829 cm-1 [12])比配體O2-離子)大很多,因此,以上計(jì)算忽略了來自配體旋-軌耦合作用的貢獻(xiàn)。由于[Cu(H2O)6]2+基團(tuán)的共價(jià)性很弱,這種近似算法是可靠的,并被很多研究者采用[4,9,11,18]。

        2) 過渡金屬離子摻雜局域結(jié)構(gòu)往往很難被實(shí)驗(yàn)測定,本文通過分析晶體DHMS: Cu2+的EPR參量的方法,獲得中雜質(zhì)Cu2+離子周圍配體的Cu2+-H2O鍵長分別為Rx≈ 0.187 2 nm, Ry≈ 0.203 3 nm, Rz≈0.229 2 nm,這與純晶體(NH4)2Cu(SO4)2·6H2O中通過X衍射實(shí)驗(yàn)獲得的Cu2+-H2O鍵長(即Rx≈0.196 6nm,Ry≈ 0.207 2nm,Rz≈ 0.223 0 nm[3])非常接近,說明了本文所得晶體DHMS中[Cu(H2O)6]2+基團(tuán)的局域結(jié)構(gòu)是可靠的。

        3) 各向同性芯區(qū)極化常數(shù)κc,由對(duì)Cu2+離子、中心金屬離子未配對(duì)電子自旋密度χ ≈ -3.4 a.u.[13],3d軌道徑向波函數(shù)負(fù)3次方的期望值

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        編 輯 黃 莘

        TheoretiPcaarl aImnveetsetrisg aatniodn L oofc tahl eS E trluecctturorn es P foar r aDmHaMgnSe:t iCc uR2e+sonance

        LI Chao-ying1, FU Jin-xian1, DONG Ming2, HUANG Ying1, and MAO Jie-jian1
        (1.School of Physics and Electronic Information, Shangrao Normal University Shangrao Jiangxi 334000;2. Library of Shangrao Normal University Shangrao Jiangxi 334000)

        Based on the crystal field theory, the anisotropic g factors giiand the hyperfine structure constants Aiifor (NH4)2Mg(SO4)2·6H2O:Cu2+are theoretically investigated by using the high-order perturbation formulas of these electron paramagnetic resonance (EPR) parameters for a 3d9ion in rhombically (C4v) elongated octahedra. In the calculated formulas, the crystal field parameters are set up from the superposition model and the admixture of d-orbitals in the ground state wave function is taken into account. According to the calculations, the local structure values [Cu(H2O)6]2+clustering in (NH4)2Mg(SO4)2·6H2O crystal are: Rx≈ 0.1872 nm, Ry≈ 0.2033 nm, Rz≈ 0.2292 nm; and the mixing coefficients of the ground state wave function parameters α and β are 0.995 and 0.0999,respectively. The calculated results show good agreement with the experimental data, and the reasonableness of these results is discussed.

        crystal field theory; Cu2+ion; defect structure; DHMS crystal; electron paramagnetic resonance

        O737

        A

        10.3969/j.issn.1001-0548.2016.02.008

        2014 - 07 - 24;

        2014 - 12 - 19

        國家自然科學(xué)基金(11365017, 11465015);江西省教育廳項(xiàng)目(GJJ 151058)

        李超英(1958 - ),女,教授,主要從事光電信息材料方面的研究.

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