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        一種基于金屬電極的納米線陣列的生長方法

        2016-11-15 10:47:09
        科技資訊 2016年19期
        關(guān)鍵詞:納米線北京市電極

        授權(quán)公告號:CN104909336B

        授權(quán)公告日:2016.07.13

        專利權(quán)人:清華大學(xué)

        地址:100084北京市海淀區(qū)北京市100084-82信箱

        發(fā)明人:任大海;尤政;邊濰;魏福建;郭甜薇

        Int.Cl.:B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I

        摘 要:該發(fā)明屬于微電子工藝領(lǐng)域和儀器儀表技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于金屬電極的納米線陣列的生長方法。該發(fā)明方法步驟包括:步驟1,在多孔模板兩側(cè)分別制作電極A和電極B,其中電極B需確保不會堵塞多孔模板的孔洞;所述電極A為濺射得到的金屬電極,所述電極B為濺射得到的金屬電極;步驟2,電極A和電極B分別與電源相連,并浸入裝有電解液的溶液槽中,直至生長出均勻的納米線陣列。相比于采用化學(xué)機(jī)械拋光來保證納米線長度的一致性的方法,該發(fā)明方法對于納米線的長度控制更加簡單易行,不再需要拋光工藝介入。同時,該發(fā)明所提供的工藝途徑避免了拋光過程對多孔模板的損傷,有利于良品率的提高。

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