一種基于金屬電極的納米線陣列的生長方法
2016-11-15 10:47:09
科技資訊 2016年19期
授權(quán)公告號：CN104909336B
授權(quán)公告日：2016.07.13
專利權(quán)人：清華大學(xué)
地址：100084北京市海淀區(qū)北京市100084-82信箱
發(fā)明人：任大海；尤政；邊濰；魏福建；郭甜薇
Int.Cl.：B82B3/00（2006.01）I；B82Y40/00（2011.01）I
摘 要：該發(fā)明屬于微電子工藝領(lǐng)域和儀器儀表技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于金屬電極的納米線陣列的生長方法。該發(fā)明方法步驟包括：步驟1，在多孔模板兩側(cè)分別制作電極A和電極B，其中電極B需確保不會堵塞多孔模板的孔洞；所述電極A為濺射得到的金屬電極，所述電極B為濺射得到的金屬電極；步驟2，電極A和電極B分別與電源相連，并浸入裝有電解液的溶液槽中，直至生長出均勻的納米線陣列。相比于采用化學(xué)機(jī)械拋光來保證納米線長度的一致性的方法，該發(fā)明方法對于納米線的長度控制更加簡單易行，不再需要拋光工藝介入。同時，該發(fā)明所提供的工藝途徑避免了拋光過程對多孔模板的損傷，有利于良品率的提高。
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