李天一,朱曉斐
(長春工業(yè)大學(xué),長春 130012)
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低碳鋼表面復(fù)合硅烷膜的制備與防腐蝕性能
李天一,朱曉斐
(長春工業(yè)大學(xué),長春 130012)
在碳鋼表面制備了BTSPA、BTSE、γ-APS復(fù)合硅烷膜,采用電化學(xué)方法和紅外吸收光譜法研究了水解時間和固化溫度對復(fù)合硅烷膜耐蝕性的影響。結(jié)果表明:水解時間為9 h,固化溫度為90 ℃時所制備的硅烷膜的耐蝕性最優(yōu)。
復(fù)合硅烷膜;水解時間;固化溫度;低碳鋼
硅烷偶聯(lián)劑處理技術(shù)是一種新型金屬防腐蝕處理技術(shù),具有清潔無污染、耐蝕性好及與基材和漆膜粘結(jié)牢固等特點,是最有希望取代傳統(tǒng)處理工藝的方法之一[1-4]。與單功能型硅烷(X3Si(CH2)nY)相比,采用雙功能型硅烷[(X3Si(CH2)nY(CH2)nSiX3,X表示烷氧基,Y代表有機官能團,例如,-Cl、-NH2、-NH-、-CH=CH2等]處理金屬表面能呈現(xiàn)更好的耐蝕性,特別是與單功能型硅烷共同應(yīng)用于粘結(jié)有機涂層中,效果更佳[5-8]。本工作探討了BTSPA[雙(3-(三甲氧基硅基)丙基)胺]、BTSE[雙-(三乙氧基硅烷基)乙烷]、γ-APS[3-氨丙基三乙氧基硅烷]三種混合硅烷在不同水解時間、固化溫度下所制備復(fù)合膜對于低碳鋼表面的耐蝕性。
1.1試樣
試驗材料為低碳鋼試片,尺寸為10 mm×10 mm×2 mm,前處理工藝如下:金剛砂紙打磨→絨布拋光→丙酮中超聲清洗→堿液清洗→清水沖洗→壓縮空氣吹干→干燥條件下保存待用。之后向90 mL無水乙醇與5 mL H2O的混合液中滴加氨水/醋酸調(diào)節(jié)pH在8~9,向該混合溶液中加入BTSPA(2 mL)、BTSE(2 mL)、γ-APS(1 mL)三種硅烷,在25 ℃下水解1.4(A),4.5(B),9(C),21(D),28 h(E)后,在低碳鋼試片表面經(jīng)浸涂固化得硅烷復(fù)合膜,浸涂時間為15 s,浸涂次數(shù)為3次。硅烷膜固化時間為1 h,固化溫度為125,145,105,90 ℃。
1.2試驗方法
采用紅外吸收光譜分析混合硅烷水解液有效基團的存在狀態(tài),Nicolet is10紅外光譜儀掃描范圍為400~4 000 cm-1。采用動電位極化曲線測試水解時間對復(fù)合硅烷膜耐蝕性的影響。采用電化學(xué)阻抗譜(EIS)測試固化溫度對混合硅烷膜耐蝕性的影響。其中,極化曲線測試采用CHI852C型電化學(xué)工作站,掃描速率為0.01 V/s,靜止時間為2 s,試驗溶液為5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)NaCl溶液。電化學(xué)阻抗譜測試采用Parstat2273型電化學(xué)工作站,幅值為10 mV,掃描頻率為10-1~105Hz,以0.5 mol/L K2SO4溶液為電解質(zhì)。極化曲線與EIS測試均以直徑2 mm鉑盤電極為輔助電極,Ag/AgCl(飽和KCl)電極為參比電極,工作電極為試樣,室溫條件下進行測試。
2.1紅外吸收光譜
由圖1可見,5組平行水解試驗條件下的混合硅烷溶液都存在硅羥基(SiOH)中的Si-O鍵吸收峰(880 cm-1)[9-12],說明在本試驗的水解時間內(nèi)混合硅烷水解液中存在游離狀態(tài)的SiOH基團。
需指出,水解時間為1.4 h的A組混合硅烷溶液沒有1 104 cm-1處的Si-O-Si面內(nèi)彎曲振動特征吸收峰[13],其他4組混合硅烷溶液均有1 104 cm-1特征峰。這表明,有機硅烷的水解初期形成的SiOH能夠穩(wěn)定存在,隨著水解過程的繼續(xù)SiOH的含量不斷增加,水解溶液中的有機溶劑不能使之很好地分散,SiOH之間發(fā)生縮聚反應(yīng)形成穩(wěn)定的Si-O-Si結(jié)構(gòu)。隨時間的延長,SiOH之間的縮聚、交聯(lián)使溶液渾濁,失效。根據(jù)金屬表面硅烷膜形成機理的化學(xué)鍵理論[14],SiOH是硅烷分子與金屬羥基反應(yīng)的最主要活性基團,所以合理控制硅烷水解時間是十分必要的。
2.2極化曲線
由圖2可見,空白組的試片的腐蝕電流密度最大,A,D,E三組試片的腐蝕電流密度接近,且比C,D組試片高出一個數(shù)量級。這表明,固化時間為4.5,9 h的復(fù)合硅烷膜試片的耐蝕性更好。由圖2還可見,5組樣片的腐蝕電位由高到低依次為:E組 2.3電化學(xué)阻抗譜 本試驗是采用EIS測試低碳鋼表面的硅烷膜膜層電化學(xué)性能,而非簡單地監(jiān)測硅烷膜在腐蝕介質(zhì)中的破壞過程,因此選擇導(dǎo)電性能強且非腐蝕性的K2SO4溶液作為電解質(zhì),NaCl溶液具有腐蝕性,在測試過程中會對膜-碳鋼體系產(chǎn)生腐蝕破壞作用[15-16]。 由圖3可見,空白樣的容抗弧半徑最小,固化溫度為90 ℃時,容抗弧半徑最大。從本質(zhì)上講,試樣極化電阻是由樣片表面硅烷膜的抗?jié)B性所決定的[17-18],硅烷膜抗?jié)B性越好則極化電阻越大,復(fù)平面圖與實部交點間的半徑越大。隨著硅烷膜固化溫度的升高,阻抗復(fù)平面圖的半徑逐漸減小,這表明溫度對硅烷膜的抗?jié)B性有明顯影響,最適宜的固化溫度為90 ℃。 低頻模值是評價涂層對電解質(zhì)抗?jié)B性的常用指標(biāo)[19],由圖4(a)可見,低頻段在90 ℃溫度下得到硅烷膜的阻抗模值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他試樣的,并且隨溫度的升高試樣阻抗模值不斷減小,空白樣最低,這與由圖3低頻阻抗弧分析得到的結(jié)果一致。 由圖4(b)可以明顯看出,在90 ℃、105 ℃條件下固化的試樣均呈現(xiàn)兩個時間常數(shù)。據(jù)文獻[20],高頻區(qū)的相位峰與膜層電容(QPE1)和膜層電阻(Rp1)的貢獻有關(guān),而低頻區(qū)的相位峰大致與雙電層電容(QPE2)和電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rp2)有關(guān)。低頻區(qū)90 ℃下的相位角要遠(yuǎn)高于其他組,這表明該試樣的容抗很大,電容小,不易被極化。而在高頻區(qū)105 ℃下的試樣相位角明顯比90 ℃要高,表明105 ℃下的試樣膜層容性成分比90 ℃時要高,這意味著105 ℃時制得的硅烷膜致密性比90 ℃時的稍高[20-21],但膜與金屬基材的附著力比90 ℃時的略差,這就是90 ℃下的低頻相位角比105 ℃時高的原因。在相同的固化時間內(nèi)溫度稍高有利于膜層溶劑的揮發(fā),形成的膜內(nèi)硅烷分子間交聯(lián)效果更好。綜上所述,105 ℃時制得的硅烷膜致密性優(yōu)于90 ℃,而后者與金屬基材的附著力更高。 圖5中Rs為溶液電阻、QPE1為膜層電容常相位角元件、Rp1為膜層電阻、QPE2為雙電層電容常相位角元件、Rp2為電荷轉(zhuǎn)移電阻、W0為開路Warburg擴散阻抗元件。由圖4(b)可以明顯看出,固化溫度為90,105 ℃時,試樣呈現(xiàn)兩個時間常數(shù),在等效電路中則表現(xiàn)為兩個串聯(lián)的并聯(lián)電容電阻元件。固化溫度90 ℃時,試樣存在Warburg擴散阻抗Wo。各條件下擬合電路參數(shù)結(jié)果見表1,可以看出90 ℃條件下的硅烷膜膜層電阻(Rp1)、電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rp2)均明顯高于其他固化溫度下的,其他參數(shù)與上述圖3、圖4的定性分析亦吻合。綜上所述,固化溫度為90 ℃時的復(fù)合硅烷膜的性能最優(yōu)。 (1) 混合硅烷溶液的紅外吸收光譜分析表明,硅烷水解形成的SiOH基團能在水解液中較為穩(wěn)定地存在。 表1 主要參數(shù)擬合結(jié)果Tab. 1 The fitted results of main parameters (2) 通過對硅烷膜極化測試分析得出混合硅烷最佳水解時間為9 h。對不同固化溫度下復(fù)合硅烷膜的電化學(xué)阻抗譜分析得出90 ℃下的復(fù)合硅烷膜極化電阻最高,在金屬表面的附著性更強。 [1]RAPSA D,HACKA T,WEHRA J, et al. 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The results showed that anti-permeability of the hybrid silane coating was excellent while the curing temperature was 90 ℃ and the hydrolysis time was 9 h. hybrid silane coating; hydrolysis time; curing temperature; mild steel 10.11973/fsyfh-201609004 2015-10-29 李天一(1970-),副教授,從事金屬表面防護方面的研究,15526639537,litianyi@mail.ccut.edu.cn TG174.4 A 1005-748X(2016)09-0711-043 結(jié)論