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        MAPS四元共聚物硅垢防垢劑的合成與評(píng)價(jià)

        2016-09-16 09:35:14趙夢(mèng)婕張吉紅劉冬梅馬喜平何彬馬祥文
        工業(yè)水處理 2016年5期
        關(guān)鍵詞:防垢共聚物碳酸鈣

        趙夢(mèng)婕,張吉紅,劉冬梅,馬喜平,何彬,馬祥文

        (1.西南石油大學(xué)化學(xué)化工院,四川成都610500;2.中國石油新疆油田分公司采氣一廠,新疆克拉瑪依834000;3.新疆科力新技術(shù)發(fā)展有限公司,新疆克拉瑪依834000;4.中國石油四川石化有限責(zé)任公司,四川彭州611930)

        MAPS四元共聚物硅垢防垢劑的合成與評(píng)價(jià)

        趙夢(mèng)婕1,張吉紅2,劉冬梅3,馬喜平1,何彬1,馬祥文4

        (1.西南石油大學(xué)化學(xué)化工院,四川成都610500;2.中國石油新疆油田分公司采氣一廠,新疆克拉瑪依834000;3.新疆科力新技術(shù)發(fā)展有限公司,新疆克拉瑪依834000;4.中國石油四川石化有限責(zé)任公司,四川彭州611930)

        以馬來酸酐(MA)、丙烯酸(AA)、聚乙二醇(PEG)、甲基丙烯磺酸鈉(SMAS)為原料,采用水溶液聚合法得到了一種四元共聚物(MAPS)硅垢防垢劑。通過單因素實(shí)驗(yàn)并以硅垢防垢率為評(píng)價(jià)指標(biāo)來確定共聚物最佳合成條件:?jiǎn)误w總質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%,n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(PEG)=1∶1∶0.4∶0.03,引發(fā)劑投加量為8%,反應(yīng)溫度為85℃,反應(yīng)時(shí)間為3 h。在防垢劑加量為100 mg/L時(shí),硅垢防垢率為76%;在防垢劑投加量為60 mg/L時(shí),碳酸鈣垢防垢率為91%。

        四元共聚物;防垢劑;合成;硅垢

        硅垢分為二氧化硅垢和硅酸鹽垢兩種〔1〕。在自然條件下,二氧化硅垢為淺白色固體,硅酸鹽垢通常是高水合非晶態(tài)物質(zhì),呈黏糊狀。當(dāng)水中硅含量超出溶解極限時(shí),便會(huì)以膠體態(tài)或硅酸鹽垢的形式出現(xiàn)并沉積。在工業(yè)用水過程中,硅垢常常沉積于設(shè)備表面,導(dǎo)致設(shè)備傳熱效率降低及系統(tǒng)管路堵塞〔2〕。在油田開采過程中,硅垢發(fā)生在地層和井筒以及設(shè)備積水處理系統(tǒng)的任何部位,垢的沉積導(dǎo)致設(shè)備和管線的局部腐蝕,同時(shí)還會(huì)增大水流阻力和輸送能量,嚴(yán)重影響了油田生產(chǎn)的正常運(yùn)行。因此有必要采取有效措施防止硅垢沉積。

        目前國內(nèi)外主要使用高效的防垢劑來防止結(jié)垢。其中大多數(shù)防垢劑是針對(duì)鈣垢以及鋇鍶垢開發(fā)的,而針對(duì)硅垢的防垢劑較少〔3〕。有研究表明,含羧基和醚基官能團(tuán)的聚合物具有抑制硅垢沉積的作用〔4〕。筆者以馬來酸酐(MA)、丙烯酸(AA)、聚乙二醇(PEG)、甲基丙烯磺酸鈉(SMAS)為單體,采用水溶液聚合法合成帶多種功能基團(tuán)的新型四元共聚物防垢劑。其中,單體聚乙二醇本身就是一種聚合物,分子中含有較長(zhǎng)的聚氧乙烯鏈,可以為防垢劑分子提供醚基,提高聚合物水溶性,防止凝膠生成,從而有效地抑制硅垢的形成。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1實(shí)驗(yàn)試劑與儀器

        試劑:馬來酸酐、丙烯酸、聚乙二醇、過硫酸銨、抗壞血酸、硅酸鈉、乙二胺四乙酸二鈉(EDTA)、草酸、碳酸鈉、碳酸氫鈉、氯化鈉,成都科龍化工試劑廠;甲基丙烯磺酸鈉,上海笛柏化學(xué)品技術(shù)有限公司;鉬酸銨,金堆城鉬業(yè)股份有限公司化學(xué)分公司。以上試劑均為分析純。

        儀器:V-1800可見分光光度計(jì),上海美譜達(dá)儀器有限公司;WQF-520傅里葉變換紅外光譜儀,北京瑞利分析儀器有限公司。

        1.2共聚物的合成

        稱取一定量的馬來酸酐和蒸餾水置于裝有恒壓滴液漏斗、冷凝管和溫度計(jì)的三口燒瓶中,在45℃下,攪拌一段時(shí)間使其充分水解,再加入一定比例的甲基丙烯磺酸鈉、聚乙二醇,攪拌至全部溶解后,同時(shí)滴加丙烯酸和過硫酸銨的水溶液,滴加1 h。滴加完畢后將溫度升至指定溫度,恒溫反應(yīng)一定時(shí)間,得到淡黃色的透明液體,將該溶液加入等體積無水乙醇中,析出沉淀,過濾,即為所得共聚物防垢劑。其合成反應(yīng)如下:

        1.3防垢率的測(cè)定

        1.3.1CaCO3垢防垢率的測(cè)定

        根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16632—2008《水處理劑阻垢性能的測(cè)定碳酸鈣沉積法》對(duì)共聚物防CaCO3垢的防垢性能進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定條件為:水樣的ρ(Ca2+)= ρ(HCO3-)=500 mg/L(均以CaCO3計(jì)),80℃下恒溫10 h,然后冷卻、過濾,用EDTA測(cè)定濾液中的Ca2+濃度。

        1.3.2硅垢防垢率的測(cè)定

        根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16633—1996《工業(yè)循環(huán)冷卻水中二氧化硅含量的測(cè)定—分光光度法》對(duì)共聚物防硅垢的防垢性能進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定條件為:水樣的ρ(SiO32-)=500 mg/L(以SiO2計(jì)),ρ(Ca2+)=500 mg/L(以CaCO3計(jì)),40℃下恒溫6 h,然后冷卻、過濾,用硅鉬藍(lán)法測(cè)濾液中Si4+濃度。

        水處理劑的阻垢性能計(jì)算方法如式(2)所示。

        式中:ρ2——加入防垢劑后Ca2+、Si4+質(zhì)量濃度,mg/L;

        ρ1——未加防垢劑后Ca2+、Si4+質(zhì)量濃度,mg/L;ρ0——試驗(yàn)試液中初始Ca2+、Si4+質(zhì)量濃度,mg/L。

        2 結(jié)果與討論

        2.1合成條件對(duì)共聚物防垢性能的影響

        2.1.1單體物質(zhì)的量比

        單體物質(zhì)的量比對(duì)共聚物的性能影響較大,不同的單體物質(zhì)的量比會(huì)對(duì)共聚物中的鏈節(jié)分布比例產(chǎn)生影響,從而影響共聚物的防垢性能。只有各種官能團(tuán)的數(shù)量達(dá)到平衡時(shí),共聚物的防垢性能才會(huì)達(dá)到最佳〔5〕。因此,固定以下反應(yīng)條件不變:?jiǎn)误w總質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%,引發(fā)劑投加量為單體總質(zhì)量的8%,反應(yīng)溫度為70℃,反應(yīng)時(shí)間為3 h,改變單體物質(zhì)的量比,按照合成步驟合成不同物質(zhì)的量比的防垢劑。在防垢劑投加量為100 mg/L的條件下,考察不同單體物質(zhì)的量比下,防垢劑對(duì)硅垢防垢率的影響,結(jié)果如表1所示。

        表1 單體物質(zhì)的量比對(duì)防垢性能的影響

        由表1可見,共聚物防垢率隨著PEG的投加量增加呈現(xiàn)出先增加隨后下降的趨勢(shì)。當(dāng)n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(PEG)=1∶1∶0.4∶0.03時(shí)防垢率達(dá)到最大。這是因?yàn)槊焰I的數(shù)量對(duì)共聚物的防垢性能有影響。一定數(shù)量的醚鍵具有控制硅酸鹽的沉積作用,但當(dāng)醚鍵過多時(shí),由于空間位阻效應(yīng)的影響,從而導(dǎo)致防垢率的下降。因此,n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(PEG)=1∶1∶0.4∶0.03為最佳物質(zhì)的量比。

        2.1.2引發(fā)劑投加量

        固定單體總質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%,n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(APEG)=1∶1∶0.4∶0.03,反應(yīng)溫度為70℃,反應(yīng)時(shí)間為3 h,改變引發(fā)劑用量,按照合成步驟合成不同引發(fā)劑用量下的防垢劑。在防垢劑投加量為100 mg/L條件下,考察2%、4%、6%、8%、10%、12%下防垢劑對(duì)硅垢防垢率的影響,結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著引發(fā)劑投加量的增加,防垢劑的防垢率也在增加,當(dāng)引發(fā)劑投加量為單體總質(zhì)量的8%時(shí),防垢率達(dá)到最大。引發(fā)劑投加量大,聚合速率較快,共聚物相對(duì)分子質(zhì)量較小,防垢率有所降低;引發(fā)劑投加量少,使得聚合不完全,殘余單體多,防垢率較低。所以,引發(fā)劑投加量適中,共聚物防垢性能較好,引發(fā)劑投加量過多或過少,都不能得到防垢性能最佳的共聚物防垢劑。

        2.1.3反應(yīng)溫度

        聚合反應(yīng)速率常數(shù)與聚合溫度有著密切的關(guān)系,溫度過低,引發(fā)劑引發(fā)速率慢,反應(yīng)速率低;溫度過高則使得反應(yīng)過程較難控制,易發(fā)生暴聚。固定單體總質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%,n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(PEG)=1∶1∶0.4∶0.03,引發(fā)劑投加量為8%,反應(yīng)時(shí)間為3 h,改變反應(yīng)溫度,按照合成步驟合成不同反應(yīng)溫度下的防垢劑。在防垢劑投加量為100 mg/L條件下,分別考察55、65、75、85、95℃下防垢劑對(duì)硅垢防垢率的影響,結(jié)果表明,防垢劑的性能隨著反應(yīng)溫度的升高先升高后降低。合理的反應(yīng)溫度是有利于提供聚合反應(yīng)過程中所需的能量,加快反應(yīng)速率。在反應(yīng)溫度為85℃時(shí)防垢劑防垢性能達(dá)到最佳。但當(dāng)溫度過高,共聚物相對(duì)分子質(zhì)量小,防垢率低,因此,共聚物防垢劑的反應(yīng)溫度達(dá)85℃時(shí),相對(duì)分子質(zhì)量適中,共聚物防垢性能較好。

        2.1.4反應(yīng)時(shí)間對(duì)共聚物防垢率的影響

        固定單體總質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%,n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(PEG)=1∶1∶0.4∶0.03,引發(fā)劑投加量為8%,反應(yīng)溫度為85℃,改變反應(yīng)時(shí)間,按照合成步驟合成不同反應(yīng)時(shí)間下的防垢劑。在防垢劑投加量為100 mg/L條件下,考察1~5 h下防垢劑對(duì)硅垢防垢率的影響,結(jié)果表明,當(dāng)反應(yīng)時(shí)間低于3 h時(shí),共聚物防垢率相對(duì)較低,說明此時(shí)聚合反應(yīng)不完全,當(dāng)反應(yīng)時(shí)間為3 h時(shí),共聚物防垢率達(dá)到最大,此時(shí)單體轉(zhuǎn)化率大,聚合反應(yīng)完成程度高,此后繼續(xù)延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間,防垢率出現(xiàn)下降趨勢(shì),這是因?yàn)榉磻?yīng)時(shí)間過長(zhǎng),共聚物分子鏈較大,影響其與金屬離子的絡(luò)合作用。因此,從防垢性能角度考慮,合成共聚物防垢劑的最佳反應(yīng)時(shí)間為3 h。

        通過對(duì)合成條件中影響較大的4個(gè)因素進(jìn)行考察,得出四元共聚物最佳合成條件為:?jiǎn)误w質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%,n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(PEG)=1∶1∶0.4∶0.03,引發(fā)劑投加量為8%,反應(yīng)溫度為85℃,反應(yīng)時(shí)間為3 h。

        2.2共聚物的紅外表征

        采用溴化鉀壓片法通過傅立葉紅外光譜儀對(duì)最佳條件下合成的四元共聚物防垢劑進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征,結(jié)果如圖1所示。

        由圖1可見,1719cm-1處為C=O的伸縮振動(dòng)吸收峰,3 460 cm-1處為—OH的伸縮振動(dòng)峰,1 326 cm-1處為O=S=O的伸縮振動(dòng)吸收峰,1 093 cm-1處為C—O—C的伸縮振動(dòng)吸收峰??赏茢喑?,合成產(chǎn)物帶有初始設(shè)計(jì)的分子基團(tuán)(羧基、磺酸基、醚鍵),由此推斷目標(biāo)產(chǎn)物結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)相一致。

        圖1 共聚物的紅外光譜

        2.3共聚物防垢性能評(píng)價(jià)

        2.3.1共聚物用量對(duì)共聚物防垢率的影響

        根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16632—2008《水處理劑阻垢性能的測(cè)定碳酸鈣沉積法》對(duì)共聚物防CaCO3垢的防垢性能進(jìn)行測(cè)定,80℃下恒溫10 h,改變防垢劑用量,考察不同加量下最佳條件合成防垢劑對(duì)CaCO3垢防垢率的影響,同時(shí),根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16633—1996《工業(yè)循環(huán)冷卻水中二氧化硅含量的測(cè)定分光光度法》對(duì)共聚物防硅垢的防垢性能進(jìn)行測(cè)定,40℃下恒溫6 h,改變防垢劑用量,考察最佳條件下,不同防垢劑投加量合成防垢劑對(duì)硅酸鹽垢、碳酸鈣垢防垢率的影響,結(jié)果如圖2所示。

        圖2 防垢劑投加量對(duì)防垢性能的影響

        由圖2可見,隨防垢劑加量增加,防垢率呈現(xiàn)先逐漸上升的趨勢(shì),在防垢劑投加量為100 mg/L時(shí),硅酸鹽防垢率為76%,在防垢劑投加量為60 mg/L時(shí),碳酸鈣防垢率為91%。這是由于防垢劑中的羧基、磺酸基對(duì)碳酸鈣成垢有抑制作用,而酯基有很強(qiáng)的吸附性,對(duì)硅酸鹽垢有抑制作用。隨著防垢劑用量的增加,這些離子可與水中成垢離子螯合,使水垢晶體發(fā)生畸形,抑制水垢的生成〔6〕。

        2.3.2體系溫度對(duì)共聚物防垢率的影響

        改變體系溫度,在防垢劑投加量為60 mg/L,恒溫時(shí)間為10 h的條件下,測(cè)定其對(duì)碳酸鈣防垢率的影響;在防垢劑投加量為100 mg/L,恒溫時(shí)間為6 h的條件下,測(cè)定其對(duì)硅酸鹽垢防垢率的影響,結(jié)果如圖3所示。

        圖3 體系溫度對(duì)防垢性能的影響

        由圖3可見,隨著體系溫度的升高,防垢劑對(duì)碳酸鈣和硅酸鹽垢的阻垢率均出現(xiàn)下降趨勢(shì),在溫度低于70℃時(shí),防垢率達(dá)60%以上,尤其是對(duì)碳酸鈣的阻垢率達(dá)到90%左右。當(dāng)溫度過高時(shí),防垢劑的吸附能力有所減弱,從而使防垢率降低。

        2.3.3體系pH對(duì)共聚物防垢率的影響

        改變體系pH,在防垢劑投加量為60 mg/L,體系溫度為70℃,恒溫時(shí)間為10 h的條件下,測(cè)定其對(duì)碳酸鈣防垢率的影響;在防垢劑投加量為100 mg/L,體系溫度為50℃,恒溫時(shí)間為6 h的條件下,測(cè)定其對(duì)硅酸鹽垢防垢率的影響,結(jié)果如圖4所示。

        由圖4可見,當(dāng)pH<9時(shí),共聚物防垢劑表現(xiàn)出較穩(wěn)定的防垢性能,防垢率達(dá)60%以上,但當(dāng)pH過高時(shí),羧基、磺酸基等基團(tuán)活性降低,螯合能力下降,故防垢率隨之下降,因此,該防垢劑適宜的pH范圍為7~9。

        圖4 體系pH對(duì)防垢性能的影響

        3 結(jié)論

        (1)以馬來酸酐、丙烯酸、聚乙二醇、甲基丙烯磺酸鈉為原料,過硫酸銨為引發(fā)劑,采用水溶液聚合方法合成了一種四元共聚物硅垢防垢劑,并對(duì)其進(jìn)行了紅外表征,確定了聚合物中所帶的官能團(tuán),證明合成產(chǎn)物在結(jié)構(gòu)上與預(yù)期結(jié)構(gòu)相符。

        (2)采用單因素法確定四元共聚物最佳合成條件為:n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(APEG)=1∶1∶0.4∶0.03,引發(fā)劑投加量為8%,反應(yīng)溫度為85℃,反應(yīng)時(shí)間為3 h。

        (3)當(dāng)防垢劑投加量為100 mg/L時(shí),共聚物防垢劑對(duì)硅酸鹽垢防垢率為76%,當(dāng)防垢劑加量為60 mg/L時(shí),對(duì)碳酸鈣垢防垢率為91%。可見此共聚物防垢劑對(duì)硅垢有良好的抑制作用,同時(shí)具有一定的阻碳酸鈣垢作用。

        [1]葉德霖.硅垢及其阻垢劑[J].工業(yè)水處理,1994,14(3):3-6.

        [2]Weng P F.Silica scale inhibition and colloidal silica dispersion for reverse osmosis systems[J].Desalination,1995,103(1/2):59-67.

        [3]劉立新,才華,張偉東,等.2,3-環(huán)氧丙磺酸鈉/丙烯酰胺共聚物合成及阻垢研究[J].工業(yè)用水與廢水,2010,41(2):61-64.

        [4]張國輝,楊鴻鷹,王麗莉,等.三元共聚物MA/AA/TPEG的合成及對(duì)硅垢的抑制作用[J].應(yīng)用化工,2014,43(5):966-970.

        [5]徐景峰,李東升.衣康酸/2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸/次磷酸鈉共聚物的合成與阻垢性能[J].水處理技術(shù),2011,37(5):48-50.

        [6]王世娟,符嫦娥,楊維本.含聚乙二醇長(zhǎng)側(cè)鏈的無磷阻垢劑合成與阻磷酸鈣性能[J].精細(xì)化工,2011,28(12):1209-1213.

        Preparation and evaluation of MAPS quadripolymer scale inhibitor for silica scale

        Zhao Mengjie1,Zhang Jihong2,Liu Dongmei3,Ma Xiping1,He Bin1,Ma Xiangwen4
        (1.Department of Chemistry&Chemical Engineering,Southwest Petroleum University,Chengdu 610500,China;2.First Gas Production Factory,PetroChina Xinjiang Oilfield Branch Co.,Karamay 834000,China;3.Xinjiang Keli New Technology Development Co.,Ltd.,Karamay 834000,China;4.Sichuan Petrochemical Co.,Ltd.,PetroChina,Pengzhou 611930,China)

        A kind of quadripolymer(MAPS)scale inhibitor for silica scale has been synthesized by aqueous solution polymerization process,using maleic anhydride(MA),acrylic acid(AA),polyethylene glycol(PEG),sodium methylacrylsulfonate(SMAS)as raw materials,and the single-factor method has been used for determining the anti-scaling rate of silica scale.The best synthetic conditions obtained are as follows:monomer mass fracture is 30%,n(MA)∶n(AA)∶n(SMAS)∶n(PEG)=1∶1∶0.4∶0.03,dosage of initiator accounted for the total monomer mass is 8%.reaction temperature is 85℃,and reaction time is 3 h.When the dosage of scale inhibitor is 100 mg/L,the silica scale inhibitingrateis76%,andwhenthedosageofscaleinhibitoris60mg/L,thecalciumcarbonatescaleinhibitionrateis91%.

        quadripolymer;scale inhibitor;synthesis;silica scale

        X703.1

        A

        1005-829X(2016)05-0047-04

        趙夢(mèng)婕(1989—),碩士。E-mail:594297454@qq.com。

        2016-02-13(修改稿)

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