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        1.5 GHz超導(dǎo)加速腔雙輸入耦合器研究

        2016-08-25 00:54:17謝新華馬震宇毛冬青封自強(qiáng)侯洪濤劉建飛
        核技術(shù) 2016年6期
        關(guān)鍵詞:束流作用力耦合度

        謝新華- 王 巖 馬震宇 是 晶 羅 琛 李 正 毛冬青 封自強(qiáng) 侯洪濤 劉建飛

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        1.5 GHz超導(dǎo)加速腔雙輸入耦合器研究

        謝新華-1,2,3王 巖1,2馬震宇1,2是 晶1,2羅 琛1,2李 正1,2毛冬青1,2封自強(qiáng)1,2侯洪濤1,2劉建飛1,2

        1(中國科學(xué)院上海應(yīng)用物理研究所 嘉定園區(qū) 上海 201800)2(上海市低溫超導(dǎo)高頻腔技術(shù)重點實驗室 上海 201800)3(中國科學(xué)院大學(xué) 北京 100049)

        本實驗室1.5 GHz 5-cell超導(dǎo)腔設(shè)計工作加速梯度為15?20 MV·m?1,至少需要使用兩支輸入耦合器才能滿足高流強(qiáng)運(yùn)行要求。借助三維電磁仿真模擬軟件CST (Computer Simulation Technology),完成了相應(yīng)的輸入耦合器的電磁仿真,駐波比小于1.05的頻帶寬度達(dá)到18 MHz。從理論上計算加速腔雙端口功率饋入,并通過銅腔雙輸入實驗進(jìn)行驗證。結(jié)果表明,當(dāng)對橫向力場的計算顯示,即使插入深度相差1 mm,雙輸入耦合器所引起的橫向作用力仍比使用單耦合器情況小一個量級。

        雙輸入耦合器,耦合度,耦合器踢束效應(yīng)

        隨著加速器技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了一大批高加速梯度、高平均流強(qiáng)和低束流發(fā)射度的加速器設(shè)計方案,其中一部分方案已經(jīng)完成模型機(jī)驗證。例如,美國康奈爾大學(xué)設(shè)計的基于能量回收直線加速器的5 GeV X射線同步輻射光源[1]。類似的還有日本KEK的緊湊型cERL (compact Energy Recovery Linac) [2]、加拿大TRIUMF實驗室的ARIEL 50 MeV電子直線加速器[3]以及德國HZB的能量回收直線加速器模型機(jī)bERLinpro (berlin Energy Recovery Linac prototype)[4]。這些加速器存在一個共同的特點:高平均流強(qiáng)下連續(xù)波模式運(yùn)行。這就意味著,需要為每個加速腔提供很高的微波功率。例如,康奈爾大學(xué)的1.3 GHz連續(xù)波能量回收直線加速器,其平均流強(qiáng)設(shè)計值為100 mA,其注入器上每個2-cell超導(dǎo)腔所需的功率達(dá)到100 kW[5]。

        由于陶瓷窗發(fā)熱、弧放電和多電子倍增效應(yīng)等原因的限制,目前已有的1.3 GHz的連續(xù)波(Continuous wave, CW)耦合器[6?9]的CW模式下測試最大傳輸功率均未達(dá)到75 kW。因此,使用單耦合器難以滿足高功率饋入的要求。此外,單輸入耦合器的使用將導(dǎo)致腔體的非對稱,在中心軸線附近將產(chǎn)生明顯的橫向作用力。橫向作用力對束團(tuán)頭尾作用的大小不同,從而引起束團(tuán)發(fā)射度增加。

        鑒于以上原因,康奈爾大學(xué)、KEK實驗室以及HZB實驗室在其各自的能量回收直線加速器注入器內(nèi)均使用了裝有雙耦合器的2-cell超導(dǎo)腔[10?11],TRIUMF實驗室則是在ARIEL的主直線加速器中所有9-cell腔上使用了雙耦合器[12]][。

        本實驗設(shè)計的1.5 GHz 5-cell SHERL超導(dǎo)腔[13]設(shè)計工作加速梯度為15?20 MV·m?1。未來如果被用于發(fā)展10 mA或者更高流強(qiáng)的連續(xù)波注入器,必須使用雙耦合器提供能量。為此,完成了雙耦合器功率傳輸?shù)睦碚撚嬎愫蛯嶒烌炞C,為安裝和使用提供指導(dǎo)。

        本文將介紹1.5 GHz同軸輸入耦合器和裂縫電橋功分器的仿真優(yōu)化結(jié)果。從加速腔雙端口功率饋入出發(fā),計算耦合度和輸入功率的差異對反射功率的影響,并以1.5 GHz銅腔為對象進(jìn)行實驗驗證。同時,闡述雙輸入耦合器橫向作用力的計算并比較與單耦合器情況之間存在的差異。

        1 輸入耦合器及功分器的仿真模擬

        為保證耦合度的可調(diào),選擇同軸型輸入耦合器方案??紤]最大電場和功率承載能力的折中,同軸線特性阻抗為50 Ω。內(nèi)導(dǎo)體半徑選擇為13 mm?;谠龃篑詈隙取p小耦合器對束流的影響的目的,內(nèi)導(dǎo)體頂部被擴(kuò)大并將形狀優(yōu)化為橢圓形的“高爾夫球座”,其中橢圓的長短半軸長分別為20 mm和16 mm。模擬結(jié)果如圖1所示,頂部優(yōu)化以后,相同插入深度下,其耦合度是通常柱形頂端耦合度的兩倍。這就意味著,使用新的頂部方案,可以使得內(nèi)導(dǎo)體插入深度減小,從而減弱束團(tuán)和耦合器之間的相互作用。

        圖1 不同內(nèi)導(dǎo)體頂部形狀時的外部品質(zhì)因子比較Fig.1 Comparison of the external quality factors of input couplers with different tip shapes.

        耦合器采用了比較常見的型陶瓷 窗[14],雙窗的使用保證了單個陶瓷窗損壞時的系統(tǒng)真空的維持。由于矩形波導(dǎo)和同軸線轉(zhuǎn)換器與熱窗之間的場并不是純透射電子顯微鏡(Transmission electron microscope, TEM)場,分立仿真時邊界條件與真實情況不一定相符,所以將其合并一同進(jìn)行仿真。改變Doorknob的參數(shù)并對WR650波導(dǎo)切削處理,實現(xiàn)微波從波導(dǎo)中TE10模向同軸傳輸線中TEM模的轉(zhuǎn)換。所有部分優(yōu)化達(dá)到要求之后,對整體利用時域求解器進(jìn)行仿真,得到如圖2(a)所示的11曲線。最小回波損耗小于?40 dB小于1.05的頻帶寬度為18 MHz。

        在進(jìn)行功率傳輸時,選擇使用裂縫電橋功分器[15]以保證兩支輸入耦合器入射功率大小相同。故此,對所需的1.5 GHz裂縫電橋功分器進(jìn)行電磁仿真。為抑制其中的高次模,在優(yōu)化的過程中縮短耦合區(qū)域的長度。同時,在耦合區(qū)側(cè)壁中心處,添加一枚調(diào)諧螺釘,用于調(diào)整因加工和安裝誤差造成的頻率和功率分配差異。結(jié)果如圖2(b)顯示,頻率1.48?1.52 GHz內(nèi)對應(yīng)的輸入端口回波損耗小于?30dB,且兩輸出端口傳輸信號為?3 dB。

        圖2 采用TRISTAN型陶瓷窗的1.5 GHz耦合器S11曲線(a)和裂縫電橋功分器S曲線(b)Fig.2 S11curve of the 1.5-GHz input coupler with two TRISTAN type windows (a) andSparameters of the 1.5-GHz short slot hybrid junction splitter (b).

        2 雙輸入耦合器功率傳輸優(yōu)勢

        通過單耦合器情況下入射場、反射場和傳輸場的計算,利用矢量疊加的原理可以得到加速腔使用雙耦合器進(jìn)行功率傳輸時各端口的反射功率。當(dāng)兩路微波相位相同,并且腔體處于諧振狀態(tài)時,兩端的反射功率表達(dá)式分別為:

        式中:1和2分別為兩端口的耦合度;f1、f2、r1和r2則分別表示加速腔兩端口的入射功率和反射功率。此時,如果兩端輸入功率相同,每個端口的等效耦合度分別表示為:

        進(jìn)一步處理不難發(fā)現(xiàn),當(dāng)兩個端口均為過耦合狀態(tài)時,如果兩端口耦合度之比小于0.16,弱耦合端的等效耦合度小于1,即在此端口測量得到的狀態(tài)為欠耦合。

        當(dāng)存在束流負(fù)載時,兩個輸入耦合器為欠耦合狀態(tài)。兩端口完全對稱時,端口#1的反射系數(shù)表達(dá)式為:

        式中:兩端口的耦合度1和2均等于。從式(5)看出,兩支耦合器的耦合度均為0.5時,反射系數(shù)為0。此時,每支耦合器的耦合度以及傳輸?shù)墓β手恍枰扔趩务詈掀髑闆r的一半就可以為腔體提供相同的功率。這意味著,使用雙耦合器,可以有效降低對耦合器性能的要求。另一方面,耦合度的減半,意味著插入深度的減小,耦合器對粒子的影響也能相應(yīng)地減小。

        3 銅腔上實驗驗證

        為研究兩支輸入耦合器之間的耦合度差異對功率傳輸?shù)挠绊?,設(shè)計了一套實驗裝置,用于1.5 GHz銅腔的測量。如圖3所示,脈沖寬度為10 μs、周期為26 μs的方波調(diào)制信號自信號源經(jīng)過功分器,分為兩路,每一路均接有電壓控制衰減器,用于調(diào)節(jié)入射功率。激勵信號通過feedthrough從腔體兩端饋入,傳輸線長度差異造成的相位差通過移相器來補(bǔ)償。利用雙向定向耦合器,分別拾取入射信號和反射信號。兩路入射信號被接入功率計,實時監(jiān)測,以保證兩路信號大小相同。反射信號則是首先被低噪聲放大器將信號增強(qiáng)32 dB,再經(jīng)由晶體檢波器,轉(zhuǎn)化為直流信號,最后接入示波器中。在晶體檢波器前還接入了6 dB衰減器,防止信號功率過大對其造成損壞。

        圖3 實驗裝置示意圖Fig.3 A diagram of the measurements set-up.

        當(dāng)腔體處于諧振狀態(tài)時,脈沖信號在脈沖前沿和后沿均會存在一個峰,脈沖前沿峰值正比于入射功率f,脈沖后沿峰值正比于e??梢酝ㄟ^測量兩個峰值大小,利用式(6)計算耦合度:

        所示,理論計算值和測量值之間相符,隨著插入深度的增加,兩端耦合度的增大,等效耦合度也表現(xiàn)出增大的趨勢,并且等效耦合度大于單輸入情況下的耦合度。不難看出,耦合度差異不大時,雙耦合器的使用可以增大每個耦合器的耦合度。特別對于兩端均為欠耦合情況,每個端口的等效耦合度均約為單輸入情況下耦合度的兩倍。耦合度較大時,理論計算值和測量值出現(xiàn)較明顯的差異,這來源于測量的系統(tǒng)誤差。

        當(dāng)兩個耦合器之間差異較大時,則會出現(xiàn)另一種現(xiàn)象。保持端口#2的耦合度為1.45,改變端口#1的耦合度。如圖4(b)所示,隨著端口#1插入深度的增加,其等效耦合度增大,而端口#2則表現(xiàn)出先增大后減小的趨勢。理論計算和測量均表明,該轉(zhuǎn)折點對應(yīng)著端口#1的等效耦合度為1。隨著端口#1的耦合度進(jìn)一步增大,端口#2由過耦合轉(zhuǎn)變?yōu)榍否詈?。出現(xiàn)這樣的現(xiàn)象,主要是由于端口#1反射信號與從端口#2的傳輸信號相反,信號的疊加導(dǎo)致欠耦合端前沿峰值不變,后沿峰值增大,表現(xiàn)出耦合度增大的趨勢。但是隨著耦合度的進(jìn)一步增大,傳輸信號增加,但是反射信號減小,最終端口#2的后沿反射峰會出現(xiàn)極大值,即存在耦合度的極大值。進(jìn)一步增大端口#1的耦合度,反射信號依然保持減小的趨勢,傳輸信號則是先增大后減小,端口#2的反射曲線后沿峰值進(jìn)一步減小,甚至由過耦合狀態(tài)過渡為欠耦合狀態(tài)。

        圖4 插入深度增加,兩支耦合器耦合度同時增大時,等效耦合度的理論計算值和實際測量值的比較(a);一端插入深度保持不變,另外一端耦合度逐漸增大時,等效耦合度的理論計算值和實際測量值的變化趨勢(b)Fig.4 Comparison of theoretical value and measured value of coupling parameters as both input coupler were inserted simultaneously (a); Comparison of theoretical value and measured value of coupling parameters while insert depthof one input coupler was increased and the other was maintained (b).

        4 橫向作用力計算

        單耦合器會造成場的非對稱性,導(dǎo)致橫向作用力的存在。對于低能量的束團(tuán)而言,橫向作用力的存在將引起發(fā)射度的增加。對于單耦合器情況,腔體內(nèi)部橫向作用力主要來源是耦合器引起的非對稱場。所以,使用雙輸入耦合器可以大幅度減小橫向作用力對束流發(fā)射度的影響。

        橫向作用力的作用大小可以用橫向和縱向動量變化的比值來表示:

        式中:V、VV分別為橫向、縱向電壓,表達(dá)

        式為:

        由于束流通過腔體時,耦合器附近的場應(yīng)該為行波場,但是CST本征模求解器無法做到模擬束流通過腔體時的場分布求解。通過在耦合器端口分別設(shè)置電邊界和磁邊界,在本征模求解器中求出兩種情況的下的本征模,利用模擬的結(jié)果疊加在輸入耦合器處構(gòu)造入射波和反射波,從而得到與實際運(yùn)行時相符的場分布[16]。

        對于連續(xù)波運(yùn)行,反射僅僅來源于腔體的失諧。在調(diào)諧系統(tǒng)的控制下,/很小,反射波對橫向作用力的貢獻(xiàn)可以忽略。因此,本文只考慮無反射情況下純?nèi)肷洳ㄒ鸬臋M向作用力。

        模擬結(jié)果如圖5顯示,單支耦合器會造成場分布的非對稱性,使得中心軸線上的EB不為零。在耦合器位置,電場引起的橫向力的方向快速變化,而磁場引起的橫向力則在此位置存在一個明顯的單峰。橫向作用力主要由磁場引起,并且集中在方向,大小為:

        橫向作用力分為兩個部分,實部作用于整個束團(tuán),造成束團(tuán)的偏轉(zhuǎn);虛部主要作用于束團(tuán)頭部,進(jìn)而驅(qū)動束團(tuán)尾部振蕩,引起發(fā)射度的增加[17]。

        圖5 使用單耦合器時腔體內(nèi)中心軸線上場分布,z方向為電子加速方向,y方向為耦合管中心軸線方向Fig.5 Field distribution on axis for single input coupler situation,zstands for direction where beams fly,ystands for the axis of coupler pipe.

        實際情況下,由于插入深度無法保證完全相同,雙耦合器無法做到絕對對稱,橫向作用力也不可能完全消除。插入深度相差為1 mm,相對耦合度差異大于10%。此時,中心軸線上TM010模的場的橫向電場、磁場的分量仍然存在,但與單耦合器相比減弱了很多。計算得到方向橫向作用力大小為:

        所以使用對稱的雙耦合器,即使插入深度不同,仍然能大幅度減小橫向作用力。不過,考慮到橫向作用力不能完全消除,輸入耦合器還需要放置在束流軌跡的下游,保證束流通過耦合器附近時能量足夠高。

        5 結(jié)語

        本文對使用雙耦合器的加速腔功率傳輸進(jìn)行了計算分析,給出了微波入射功率相同情況下,兩端等效耦合度的表達(dá)式。銅腔上的驗證實驗結(jié)果與理論計算吻合,結(jié)果顯示,兩端均為欠耦合時,雙輸入對每個端口耦合度起到增強(qiáng)的作用;但當(dāng)兩者均為過耦合且耦合度存在差異時,耦合度小的一端的等效耦合度則會隨著另一端耦合度的增加逐漸減小,甚至在兩端比值小于0.16時出現(xiàn)欠耦合的情況。

        使用雙耦合器進(jìn)行功率饋入,能將單支耦合器傳輸?shù)墓β蕼p半,。同時,耦合度的減半,意味著更小的插入深度,可以降低束流與耦合器的相互作用。此外,模擬顯示使用雙耦合器,即使在不能保證完全對稱的情況下,也能有效減小由輸入耦合器引起的橫向作用力,減緩束流發(fā)射度的增加。所以,雙輸入耦合器是目前發(fā)展高平均流強(qiáng)、低束流發(fā)射度加速器的唯一必然選擇。

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        國家自然科學(xué)基金(No.11335014)資助

        Supported by National Natural Science Foundation of China (No.11335014)

        18


        Study on twin input coupler for a 1.5-GHz superconducting cavity

        XIE Xinhua-1,2,3WANG Yan1,2MA Zhenyu1,2SHI Jing1,2LUO Chen1,2LI Zheng1,2MAO Dongqing1,2FENG Ziqiang1,2HOU Hongtao1,2LIU Jianfei1,2

        1(Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Jiading Campus, Shanghai 201800, China)2(Shanghai Key Laboratory of Cryogenics & Superconducting Radio Frequency Technology, Shanghai 201800, China)3(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)

        Background: The 1.5-GHz 5-cell superconducting cavity designed by the Shanghai Key Laboratory of Cryogenics & Superconducting Radio Frequency Technology was optimized to accelerate a high current electron beam under continuous wave (CW) operation mode. Purpose: Considering the accelerating gradient 15?20 MV·m?1, it is necessary to use twin input coupler. Methods: Electromagnetic simulations of the input coupler were implemented using CST (Computer Simulation Technology), and the results showed a 18-MHz bandwidth where standing-wave ratio was better than 1.05. Power feeding by two couplers was calculated theoretically and testified on a set-up. Results: Theoretical derivation and experimental results showed an enhancing when both couplers were under coupled but a reduction to the weaker coupled one when both couplers were over coupled. Results from simulations showed that transverse kick to beam can be diluted drastically even when difference of insert depths is 1mm. Conclusion: Adopting twin input coupler is the only option for high average beam current CW accelerator.

        Twin input coupler, Coupling parameter, Coupler kick

        XIE Xinhua, male, born in 1990, graduated from University of Science and Technology of China in 2013, master student, major in nuclear techniques and application

        LIU Jianfei, E-mail: liujianfei@sinap.ac.cn

        TL503.2

        10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.060103

        謝新華,男,1990年出生,2013年畢業(yè)于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué),現(xiàn)為碩士研究生,研究領(lǐng)域為核技術(shù)與應(yīng)用

        劉建飛,E-mail: liujianfei@sinap.ac.cn

        2016-03-10,

        2016-04-06

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