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        氧氣壓力對(duì)PLD生長(zhǎng)Ga2O3薄膜質(zhì)量影響的研究

        2016-08-23 02:41:43王磊
        科學(xué)家 2016年6期

        王磊

        摘要:本文使用脈沖激光沉積(PLD)的方法在藍(lán)寶石(O001)晶面上制備B-Ga2O3薄膜,并且系統(tǒng)的研究了制備過(guò)程中氧氣壓力對(duì)它的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。由于氧化鎵薄膜生長(zhǎng)的條件不同,所生長(zhǎng)出的薄膜在性質(zhì)上也會(huì)有差異,本文借助x射線衍射,透射電子顯微鏡,原子力顯微鏡等裝置對(duì)不同的氧氣壓力條件下生長(zhǎng)的薄膜的質(zhì)量和表面形態(tài)的影響進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。脈沖激光沉積可以在襯底溫度較低為時(shí)生長(zhǎng)薄膜,并可以通過(guò)控制氧氣壓力來(lái)控制鎵原子與氧原子的結(jié)合,從而生長(zhǎng)出質(zhì)量最優(yōu)的氧化鎵薄膜。

        關(guān)鍵詞:氧氣壓力;PLD;氧化鎵;薄膜質(zhì)量

        中圖分類(lèi)號(hào)TN3 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼A 文章編號(hào)2095-6363(2016)06-0163-03

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