趙忠云,田貴書,劉培新,劉利艷(天津天能變壓器有限公司,天津 300401)
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一種多晶硅打壓用單相干式變壓器的新型調(diào)壓方式
趙忠云,田貴書,劉培新,劉利艷
(天津天能變壓器有限公司,天津 300401)
摘 要:介紹了一種多晶硅打壓用單相干式變壓器的負(fù)荷特點(diǎn)及工藝要求,分析了新型調(diào)壓方式原理及調(diào)壓過程并進(jìn)行了仿真,總結(jié)了新型調(diào)壓方式的優(yōu)勢。
關(guān)鍵詞:多晶硅打壓變;負(fù)荷特點(diǎn);調(diào)壓方式;仿真
太陽能是未來最清潔、安全和可靠的能源,光伏發(fā)電是國家為改善環(huán)境條件、減少大氣污染,大力推廣和支持的光潔電源。多晶硅打壓變是生產(chǎn)光伏發(fā)電電池板的核心材料--多晶硅的關(guān)鍵設(shè)備之一。多晶硅打壓變原有的調(diào)壓方式,若采用手動調(diào)節(jié)不能滿足多晶硅生產(chǎn)的工藝要求,若采用有載分接開關(guān),工藝要求調(diào)節(jié)頻繁、調(diào)節(jié)時檔位之間容易容易出現(xiàn)電弧并且產(chǎn)生幅值很大的勵磁涌流(相當(dāng)于空載合閘),危及打壓變、有載分接開關(guān)。現(xiàn)介紹一種新型調(diào)壓方式可以解決上述問題。
ZDC-140/10(典型產(chǎn)品)
電壓組合:0.4/12、10.5、3.5、1.6(9、7.875、2.625、1.2)KV ;
輸出電流:15、15、40、87.5A;
短路阻抗:2.5%、2.5%、17%、70% ;
空載損耗:1427W;絕緣等級:F級 溫升:≤100K
(1)12(10.5)KV次級電流達(dá)到15A時,電壓快速下降至3.5KV;
(2)3.5KV次級電流達(dá)到40A時,電壓快速下降至1.6KV;
(3)1.6KV次級電流達(dá)到87.5A時,維持87.5A運(yùn)行。
(4)一個小周期15min,其中12 KV(10.5KV)2min, 3.5KV 3min, 1.6KV 5min, 停頓(空載)5min.
(5)一個大周期120min,其中6個以上的小周期(共90min),6個小周期結(jié)束后停頓(空載)30min.
4.1 調(diào)壓原理T1
其中:1為隔離開關(guān);2為熔斷器;3為雙向可控硅開關(guān);4為低壓繞組,5為靜電屏蔽層;6為鐵芯;7為高壓繞組;8為高壓繞組抽頭;a、x為變壓器輸入端子;a1為低壓繞組端子;a2、a3、a4為低壓繞組抽頭;A、X為變流變壓器輸出端子;A1、X1為高壓繞組抽頭輸出端子。
一次側(cè)(低壓)四檔(三個抽頭),二次側(cè)(高壓)兩檔(一個抽頭),共有八種輸出電壓;在一次(低壓)側(cè)各支路串聯(lián)隔離開關(guān)、熔斷器及雙向可控硅元件組成的調(diào)壓單元,通過改變一次側(cè)(低壓)繞組匝數(shù),調(diào)整變壓器匝電壓,來完成調(diào)節(jié)高壓輸出不同電壓的目的。一次側(cè)在不同檔位通電時二次側(cè)對應(yīng)的輸出電壓。
4.2 調(diào)壓過程:(12kV→3.5 kV→1.6 kV)
4.2.1 由a4支路調(diào)至a2支路
(1)控制觸發(fā)脈沖,50個周波(1000ms),a4支路雙向可控硅由截止到完全導(dǎo)通。次級(高壓)輸出電壓12kV,電流達(dá)到15A,運(yùn)行2min。
(2)控制觸發(fā)脈沖,50個周波(1000ms),a4支路雙向可控硅由導(dǎo)通到完全截止,測量次級(高壓)輸出電壓0V。
(3)停頓25個周波(500ms)。
(4)控制觸發(fā)脈沖,50個周波(1000ms),a2支路雙向可控硅由截止到完全導(dǎo)通,完成由a4支路調(diào)至a2支路。次級(高壓)輸出電壓3.5kV,電流達(dá)到40A,運(yùn)行3min。
4.2.2 由a2支路調(diào)至a1支路
(1)控制觸發(fā)脈沖,50個周波(1000ms),a2支路雙向可控硅由導(dǎo)通到完全截止,測量次級(高壓)輸出電壓0V。
(2)停頓25個周波(500ms)。
(3)控制觸發(fā)脈沖,50個周波(1000ms),a1支路雙向可控硅由截止到完全導(dǎo)通,完成由a2支路調(diào)至a1支路。次級(高壓)輸出電壓1.6kV,電流達(dá)到87.5A,運(yùn)行5min。
(4)控制觸發(fā)脈沖,50個周波(1000ms),a1支路雙向可控硅由導(dǎo)通到完全截止,測量次級(高壓)輸出電壓0V。停頓5 min,完成一個小周期。說明:1)高壓12 kV、10.5 kV檔不同時使用,根據(jù)生產(chǎn)過程需要僅用一檔;2)10.5kV→3.5 kV→1.6 kV調(diào)壓過程同12kV→3.5 kV→1.6 kV。
(1)雙向可控硅從截至到完全導(dǎo)通波形圖(50周波)
(2)雙向可控硅從導(dǎo)通到截至波形圖(50周波)
(1)安全可靠:低壓可控硅及其控制技術(shù)目前已十分成熟,因此利用可控硅作為開關(guān)進(jìn)行的調(diào)壓方式安全可靠。
(2)速度:可控硅觸發(fā)控制可以精確到毫秒級,考慮到變壓器繞組的電感性,采用50個周波使雙向可控硅逐步導(dǎo)通(截至),確保可靠。
(3)檔位調(diào)節(jié)時避免勵磁涌流:通過觸發(fā)脈沖控制雙向可控硅逐漸導(dǎo)通,即電壓由0到額定逐漸施加,故不存在換擋時勵磁涌流。
(4)檔位調(diào)節(jié)時避免電弧:變壓器運(yùn)行時,低壓側(cè)只有一個支路(檔位)通電且可控硅逐步導(dǎo)通(截至),不存在換擋電弧。
本文介紹的多晶硅打壓用單相干式變壓器的新型調(diào)壓方式,我公司已獲取國家發(fā)明專利,利用其技術(shù)我公司已生產(chǎn)近百臺多晶硅打壓變,產(chǎn)品安全可靠、運(yùn)行良好。
DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.12.193
作者簡介:趙忠云(1962-),男,山東金鄉(xiāng)人,工程師,研究方向:電力變壓器、特種變壓器研究與開發(fā)。