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        濺射設(shè)備腔室處理工藝的優(yōu)化研究

        2016-05-19 02:45:29王海東
        電子與封裝 2016年4期

        王海東

        (中國電子科技集團(tuán)公司第54研究所,石家莊050000)

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        濺射設(shè)備腔室處理工藝的優(yōu)化研究

        王海東

        (中國電子科技集團(tuán)公司第54研究所,石家莊050000)

        摘要:對濺射原理進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成進(jìn)行了概括性的說明。研究了濺射腔室的傳統(tǒng)工藝處理流程,并提出了新的工藝處理流程。實(shí)驗(yàn)表明,新的工藝流程更加省時(shí)省力,效果上也更好,應(yīng)用于實(shí)際中,帶來了一定的經(jīng)濟(jì)效益。

        關(guān)鍵詞:濺射設(shè)備;腔室處理;濺射工藝;工藝優(yōu)化

        1 前言

        磁控濺射技術(shù)廣泛應(yīng)用于薄膜制備的各個(gè)領(lǐng)域,通過磁控濺射技術(shù)我們可以制備所需要的各種工業(yè)薄膜,如超導(dǎo)性質(zhì)的薄膜、具有優(yōu)良光學(xué)性質(zhì)的薄膜、電阻類薄膜(氮化鉭電阻膜)、導(dǎo)電類薄膜(濺射銅層膜、濺射金層膜)、超硬薄膜、耐腐蝕薄膜、耐摩擦薄膜、帶有磁性的薄膜以及各種各樣的特殊類型薄膜。磁控濺射技術(shù)的實(shí)現(xiàn),需要使用濺射設(shè)備去完成,在濺射設(shè)備的工作過程中,濺射腔室的處理至關(guān)重要,對產(chǎn)品的各種性能產(chǎn)生重要影響。

        本文從磁控濺射技術(shù)的基本原理、濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)構(gòu)成、濺射腔室處理工藝流程方面入手,提出了新的處理方法。

        2 原理分析

        濺射的原理,就是在濺射設(shè)備中造就高真空環(huán)境,然后以工藝氣體充滿腔室,并在高電壓的作用下,讓這些氣體進(jìn)行輝光放電,形成等離子體,其中陽離子在電場作用下向靶材移動(dòng),與靶材進(jìn)行能量互換,使靶材原子向外濺射,其中大部分粒子作用于我們所需要濺射的產(chǎn)品上,還有一部分濺射于腔室的各個(gè)地方,時(shí)間長了也會形成濺射薄膜。如果同一臺濺射設(shè)備濺射不同的物質(zhì),這些濺射膜會很容易脫落,造成腔室不清潔并污染產(chǎn)品,這樣會影響我們的產(chǎn)品濺射質(zhì)量,所以清理濺射設(shè)備是薄膜工藝中的一項(xiàng)重要內(nèi)容,本文針對這一情況進(jìn)行了詳細(xì)的說明,并提出了一套簡單易行的方法,省時(shí)省力,提高了生產(chǎn)效率,節(jié)省了成本。圖1為靶材粒子運(yùn)動(dòng)圖。

        圖1 濺射設(shè)備腔室靶材粒子運(yùn)動(dòng)圖

        3 濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成

        3.1濺射設(shè)備的總體結(jié)構(gòu)

        濺射設(shè)備是一套用于完成濺射技術(shù)的自動(dòng)化控制系統(tǒng),屬于高精尖類設(shè)備,在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中占據(jù)重要地位,大致總體結(jié)構(gòu)如圖2。

        圖2 濺射設(shè)備結(jié)構(gòu)組成圖

        3.2組成說明

        腔室系統(tǒng):用于完成濺射的整個(gè)操作,在目標(biāo)產(chǎn)品中濺射所需要的薄膜材料膜層;

        真空系統(tǒng):用于真空的載體如腔體與傳遞腔體、用于造成真空環(huán)境的泵類系統(tǒng)如機(jī)械泵和真空泵、用于測量真空環(huán)境的真空測量儀器,例如電離真空計(jì)、皮拉尼電阻真空計(jì)等;

        電源系統(tǒng):用于提供電離氣體所需要的能量,例如直流電源、直流脈沖電源、射頻電源等;

        傳遞系統(tǒng):與腔體互連的傳遞產(chǎn)品的小腔室、用于傳遞的機(jī)械結(jié)構(gòu)如機(jī)械手;

        控制系統(tǒng)與軟件:用于控制設(shè)備運(yùn)行的控制系統(tǒng)如PLC部件以及用于設(shè)備運(yùn)行和工藝處理的軟件系統(tǒng);

        電氣系統(tǒng)與安全鏈路:用于設(shè)備的電氣運(yùn)行以及電氣和操作人員的安全處理,包括一些電氣連線、繼電器之類的電氣部件;

        產(chǎn)品載體系統(tǒng):用于放置產(chǎn)品的載體(托盤),包括一些可用于產(chǎn)品旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu);

        水冷系統(tǒng):各種水流管路與閥門、流量計(jì)等,用于把設(shè)備和靶材的熱量帶走;

        氣路系統(tǒng):各種氣體管路與閥門、流量計(jì)等,用于產(chǎn)品保護(hù)和高真空等離子環(huán)境的制?。鍤猓⒂糜诠に嚪磻?yīng)的氣體(氮?dú)猓┑龋?/p>

        靶材系統(tǒng):用于產(chǎn)品濺射的目標(biāo)材料,靶材如銅靶、金靶、氮化鉭靶、鋁靶等;

        擋片系統(tǒng):用于工藝處理的擋片系統(tǒng)如靶材擋片、腔體擋片等。

        由于使用時(shí)間的延長和不同靶材之間的交叉使用會造成擋片系統(tǒng)的沾污。根據(jù)使用情況,我們需要定期對這些擋片和腔室進(jìn)行處理,以保持一個(gè)良好的工作環(huán)境,制造出優(yōu)良的產(chǎn)品。圖3是沾污后的擋片。

        圖3 沾污后的擋片

        4 常用方法

        4.1工藝流程

        工藝流程為:部件拆卸→噴沙處理→丙酮清洗→酒精清洗→再次安裝。

        4.2步驟說明

        (1)部件拆卸:將需要清潔的腔體部件從設(shè)備上拆卸下來;

        (2)噴沙處理:將這些部件進(jìn)行噴沙處理;

        (3)丙酮清洗:將這些部件放置于容器中,丙酮浸泡超聲處理;

        (4)酒精清洗:將這些部件放置于容器中,酒精浸泡超聲處理;

        (5)再次安裝:安裝上去。

        4.3使用工具

        圖4和圖5分別為噴砂機(jī)原理示意圖與一款噴砂機(jī)產(chǎn)品。

        圖4 噴砂原理圖

        圖5 噴砂設(shè)備外觀圖

        5 創(chuàng)新方法

        5.1工藝流程

        新方法的工藝流程為:部件拆卸→工具打磨→酒精清潔→腔體預(yù)處理。

        5.2步驟說明

        (1)部件拆卸:將需要清潔的腔體部件從設(shè)備上拆卸下來;

        (2)工具打磨:采用小型的打磨工具對部件進(jìn)行打磨處理;

        (3)酒精清潔:采用無塵布,沾取酒精棉輕輕對打磨后的地方進(jìn)行處理,直到部件清潔干凈;

        (4)腔室預(yù)處理:采用比較便宜的濺射靶材進(jìn)行腔體空跑,便于在腔體中維持一個(gè)可靠的高真空環(huán)境。

        5.3使用工具

        采用手持式的小型電動(dòng)打磨工具,如圖6。

        圖6 小型電動(dòng)打磨工具與打磨頭

        6 總結(jié)說明

        傳統(tǒng)的工藝處理流程中需要噴砂設(shè)備,結(jié)構(gòu)復(fù)雜、價(jià)格貴重,需要專業(yè)人員去操作,超聲清洗設(shè)備也有類似的問題,操作一次費(fèi)時(shí)費(fèi)力,創(chuàng)新后的工藝流程,設(shè)備簡單易操作,且可以多次使用,成本極低,二者相比,創(chuàng)新后的腔體處理工藝流程能帶來一定的經(jīng)濟(jì)效益。

        參考文獻(xiàn):

        [1]許小紅,武海順.壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用[M].北京:科學(xué)出版社,2002.

        [2]金永中,劉東亮,陳建.濺射靶材的制備及應(yīng)用研究[J].四川理工學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版),2005,18(3) :22-24.

        [3]楊邦朝,胡永達(dá),蔣明.全球?yàn)R射靶材市場及發(fā)展趨勢[J].電子元件與材料,2002,21(6) :29-31.

        [4]張繼成,吳衛(wèi)東,許華,唐曉紅.磁控濺射技術(shù)新進(jìn)展及應(yīng)用[J].材料導(dǎo)報(bào),2004,18(4).

        [5]田民波.薄膜科學(xué)與技術(shù)手冊[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1991.

        王海東(1982—),男,內(nèi)蒙古人,工程師,2007年畢業(yè)于蘭州大學(xué),長期從事半導(dǎo)體與微組裝相關(guān)的工作。

        The Optimization Study on Process Flow of Sputter Equipment Chamber

        WANG Haidong
        (China Electronics Technology Group Corporation No.54 Research Institute, Shijiazhuang 050000, China)

        Abstract:The article elaboratively analyses sputter technology and synoptically illustrate structure of the sputter equipment. The article research the general process flow about sputter equipment chamber and provide a new process flow about sputter equipment chamber. The results shows that the new process flow can save time and effort and give us some economic benefits.

        Keywords:sputter equipment; processing chamber; sputter process; process optimization

        作者簡介:

        收稿日期:2016-2-28

        中圖分類號:TN305.92

        文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A

        文章編號:1681-1070(2016)04-0045-03

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