Sándor Kugler等著
非晶態(tài)半導(dǎo)體是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的非晶態(tài)材料,是半導(dǎo)體的一個重要部分。非晶態(tài)半導(dǎo)體在多種應(yīng)用領(lǐng)域中都存在著巨大的潛力,其中,非晶硫早已廣泛應(yīng)用在復(fù)印技術(shù)中,由As-Te-Ge-Si系玻璃半導(dǎo)體制作的可改寫存儲器已有商品問世,利用光脈沖玻璃化碲微晶薄膜制作的光存儲器正在研制之中,還有人正在嘗試把非晶硅場效應(yīng)晶體管用于液晶顯示和集成電路。對于非晶硅的應(yīng)用,目前最多的研究集中于太陽能電池,非晶硅比晶體硅制備工藝簡單,易于制造大面積產(chǎn)品,并且非晶硅對于太陽光的吸收效率高,器件只需大約1微米厚的薄膜材料。因此,非晶硅有望成為更廉價太陽能電池的原料,現(xiàn)已受到能源專家的重視。
本書首先分析了非晶態(tài)與晶態(tài)半導(dǎo)體一致的屬性:它們具有類似的基本能帶結(jié)構(gòu),有導(dǎo)帶、價帶和禁帶。非晶材料的基本能帶結(jié)構(gòu)主要取決于原子附近的狀況,可以用化學(xué)鍵模型作定性的解釋。以四面體鍵的非晶Ge、Si為例,Ge、Si中四個價電子經(jīng)sp雜化,鄰近原子的價電子之間形成共價鍵,其成鍵態(tài)對應(yīng)于價帶,反鍵態(tài)對應(yīng)于導(dǎo)帶。無論是Ge、Si的晶態(tài)還是非晶態(tài),基本結(jié)合方式是相同的,只是在非晶態(tài)中鍵角和鍵長有一定程度的畸變,因而它們的基本能帶結(jié)構(gòu)是相類似的。
在此之后,本書對非晶半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的差異進(jìn)行了詳細(xì)的剖析:晶態(tài)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)是周期有序的,即具有平移對稱性,電子波函數(shù)是布洛赫函數(shù),波矢k是與平移對稱性相聯(lián)系的量子數(shù);相比而言,非晶態(tài)半導(dǎo)體不存在周期性,k不再是量子數(shù)。晶態(tài)半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動是比較自由的,電子運(yùn)動的平均自由程遠(yuǎn)大于原子間距;非晶態(tài)半導(dǎo)體中結(jié)構(gòu)缺陷的畸變使得電子的平均自由程大大減小,當(dāng)平均自由程接近原子間距的數(shù)量級時,無法應(yīng)用晶態(tài)半導(dǎo)體中建立的電子漂移運(yùn)動理論。非晶態(tài)半導(dǎo)體能帶邊態(tài)密度的變化不像晶態(tài)那樣陡峭,而具有不同程度的帶尾。
本書還介紹了如何使用計算機(jī)模擬產(chǎn)生隨機(jī)結(jié)構(gòu),為讀者提供了構(gòu)建現(xiàn)實材料的方法;通過大量仿真詳述了非晶半導(dǎo)體不定型結(jié)構(gòu)的光學(xué)和電氣特性,方便讀者理解無序半導(dǎo)體特性。最后的章節(jié)詳細(xì)討論了通過光子輻射改變半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法,并預(yù)測了應(yīng)用前景。
本書分為5章:1.背景介紹,回顧了非晶硅的科研和應(yīng)用歷史;2.預(yù)備知識,介紹了薄膜生長工藝、熔融玻璃態(tài)法和菲利普斯理論;3.非晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),介紹了晶態(tài)半導(dǎo)體和非晶態(tài)半導(dǎo)體的主要區(qū)別、由三維向一維投影的函數(shù)、由一維向三維擴(kuò)展的函數(shù)、相變及其應(yīng)用;4.電子層微觀結(jié)構(gòu),介紹了化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)、電子的濃度和狀態(tài)、主要缺陷、光學(xué)特性和電氣特性;5.光誘導(dǎo)現(xiàn)象,介紹了光致體積變化、光子暗化效應(yīng)和光致褪色、光致缺陷、光致結(jié)晶和非晶形態(tài)。
本書的讀者對象為半導(dǎo)體領(lǐng)域、電子領(lǐng)域、新能源領(lǐng)域的學(xué)生、教授和研究人員。
寧圃奇,博士,研究員
(中國科學(xué)院電工研究所)
Puqi Ning, Associate Professor
(Institute of Electrical Engineering, CAS)Ernst O.Gbel et al
Quantum Metrology
Foundation of Units and Measurements
2015
http://onlinelibrary.wiley.com/book/
10.1002/9783527680887
EISBN9783527680887