孫玲玲　劉軍　文進(jìn)才

摘 要：毫米波亞毫米波頻段無(wú)線通信具有頻譜資源寬、傳輸定向性好、免許可等特點(diǎn)，而硅基納米尺度技術(shù)為毫米波亞毫米波集成電路提供了良好的工藝平臺(tái)，因此，硅基毫米波亞毫米波集成電路與系統(tǒng)成為無(wú)線通信領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。該報(bào)告針對(duì)硅基毫米波亞毫米波集成電路的關(guān)鍵-硅基有源器件的模型，從硅基毫米波有源器件模型和模型庫(kù)方法、MOSFET小信號(hào)分析和模型方法和MOSFET大信號(hào)行為分析和模型方法三方面出發(fā)，對(duì)MOSFET的模型進(jìn)行了深入的研究。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，探明了毫米波段硅基有源器件表征方法，基于該方法發(fā)展出PSP基毫米波亞毫米波MOSFET模型和模型庫(kù)技術(shù)，并取得頻率至100 GHz頻段實(shí)用驗(yàn)證結(jié)果；已經(jīng)開發(fā)出多種適用于毫米波亞毫米波MOSFET大、小信號(hào)建模的模型。以上研究所取得的成果，為硅基毫米波亞毫米波集成電路的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

關(guān)鍵詞：毫米波 硅基 有源器件 模型 模型庫(kù)

Abstract：In this report， active modeling theory and technique is reported for silicon based devices at millimeter wave and sub-millimeter wave band.

Key Words：Millimeter Wave；Silicon；Active Device；Modeling；Library

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