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        利用拋光廢料制備拋光磚的工藝技術(shù)研究

        2016-05-14 13:21:01鄭文彭松華稅安澤溫千鴻簡潤桐
        佛山陶瓷 2016年8期

        鄭文 彭松華 稅安澤 溫千鴻 簡潤桐

        摘 要:本文詳細(xì)研究了顆粒細(xì)度及保溫時(shí)間對(duì)含10 wt%拋光廢料的不發(fā)泡、致密的瓷質(zhì)拋光磚性能的影響。結(jié)果表明:拋光廢料添加量為10 wt%的拋光磚在球磨時(shí)間14 h,成型壓力260 MPa,燒成時(shí)間1080℃,保溫10 min的工藝技術(shù)條件下性能最佳。本文創(chuàng)新性地研究了抑制拋光廢料在燒成中發(fā)泡的途徑、影響因素和制備性能優(yōu)良的拋光廢料基底拋光磚的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。

        關(guān)鍵詞:拋光廢料;抑制發(fā)泡;顆粒細(xì)度;保溫時(shí)間

        1 引言

        在拋光磚生產(chǎn)中,拋光工序通常將從磚坯表面去除0.5~0.7 mm表面層,有時(shí)甚至高達(dá)1~2 mm,據(jù)統(tǒng)計(jì),生產(chǎn)1平方米拋光磚將形成1.8~2.2 kg左右的磚屑,若以年產(chǎn)1000萬 m2拋光磚的拋光生產(chǎn)線為例,每年約產(chǎn)生20000t左右的拋光磚廢渣。如此大量的拋光廢渣用于生產(chǎn)多孔、輕質(zhì)材料需消耗大量的人力、物力運(yùn)輸集中生產(chǎn),且用量有限。此外,拋光磚廢料中含有大量的SiC、MgCl2、MgO等(主要來自于拋光工序),這些廢料在燒成中會(huì)造成陶瓷的發(fā)泡、變形,使得拋光磚廢料的處理成為陶瓷廠最為頭痛的一大問題,因此陶瓷拋光廢料的資源化利用是我國建筑陶瓷工業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵和難點(diǎn)。

        如果將陶瓷拋光廢渣循環(huán)利用于拋光磚的生產(chǎn),使拋光廢渣能夠自行消化,既節(jié)約了原料資源,降低了生產(chǎn)成本,又節(jié)約了人力以及集中處理廢料的運(yùn)輸費(fèi)用,相信這正是所有拋光磚生產(chǎn)廠家所希望的。這種“自產(chǎn)自銷”的循環(huán)利用方法科學(xué)、有效,是陶瓷拋光廢料能夠得以有效利用的關(guān)鍵所在。

        本文以拋光廢料為原料制備不發(fā)泡、不變形的拋光磚,大大降低了拋光磚的原料制備成本,變廢為寶,實(shí)現(xiàn)了拋光廢料的高效率資源化循環(huán)利用,為陶瓷工業(yè)的可持續(xù)發(fā)展作貢獻(xiàn),也為陶瓷拋光廢料的資源化利用開辟一條新的道路。

        本文將從顆粒細(xì)度及燒成制度兩個(gè)方面對(duì)拋光廢料基底瓷質(zhì)拋光磚的發(fā)泡、變形影響規(guī)律進(jìn)行分析研究,探索抑制發(fā)泡、變形的途徑,最終制備出不發(fā)泡、不變形的拋光廢料基底瓷質(zhì)拋光磚。

        2 實(shí)驗(yàn)過程

        2.1 基礎(chǔ)配方的確定

        每生產(chǎn)1 m2拋光磚需用拋光磨頭拋掉0.8~1.2 mm厚的陶瓷表面層,即產(chǎn)生5%~8%的拋光廢料。本課題以工廠現(xiàn)有底料配方為初始配方,在固定磚坯底料中添加10%的拋光廢料作為S基礎(chǔ)配方。表1為S基礎(chǔ)配方組成,表3為S基礎(chǔ)配方的化學(xué)成分組成。

        本文將以配方S為基礎(chǔ)配方進(jìn)行研究,其性能測試的結(jié)果見表2。從S基礎(chǔ)配方的測試結(jié)果中可以看出,坯體內(nèi)部還有氣孔存在,導(dǎo)致體積密度較低,仍有發(fā)泡問題存在。

        2.2 實(shí)驗(yàn)過程

        以配方S為基礎(chǔ)配方,基礎(chǔ)配方中已添加適當(dāng)?shù)臒o機(jī)添加劑抑制拋光磚的發(fā)泡。

        以S基礎(chǔ)配方為基礎(chǔ)料,將通過不同目數(shù)標(biāo)準(zhǔn)篩(見表4)的坯體A-1、A-2、A-3、A-4、A-5、A-6、A-7,在壓機(jī)上以20 MPa壓制成型,在烘箱中干燥至恒重,經(jīng)1200℃保溫20 min燒成,測試比較磚坯的體積密度和抗折強(qiáng)度。

        有研究表明,拋光廢料的發(fā)泡溫度在1080℃左右,故可以考慮在拋光廢料的發(fā)泡階段采取保溫,促使產(chǎn)生的大量的CO或CO2氣體從坯體排除以抑制拋光廢料在坯體中的發(fā)泡。以S基礎(chǔ)料為研究對(duì)象,燒成過程中使其在1080℃分別保溫a-0 min,b-5 min,c-10 min,d-15 min,e-20 min,f-25 min,觀察其顯微結(jié)構(gòu)的變化。

        本項(xiàng)研究是在前面兩項(xiàng)的理論基礎(chǔ)上進(jìn)行的,根據(jù)工廠的實(shí)際情況進(jìn)行配方的設(shè)計(jì),不斷進(jìn)行“配方設(shè)計(jì)—性能測試—配方調(diào)整”,同時(shí)對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行了相應(yīng)的改變,最終確立了符合拋光廢料基底拋光磚產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝技術(shù)。

        3 結(jié)果與討論

        3.1 顆粒細(xì)度對(duì)抑制發(fā)泡的影響

        以S基礎(chǔ)配方為基礎(chǔ)料,不同顆粒細(xì)度制備的實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果見圖1。結(jié)果顯示,試樣的體積密度和抗折強(qiáng)度隨粒度減小而增加,但到一定細(xì)度(過120目篩)后,反而減小。一方面,顆粒越細(xì),壓制成型后試樣顆粒間空隙減小,顆粒間結(jié)合更加緊密。且粉體的表面能越大,在相同的壓力和燒結(jié)條件下,燒結(jié)更加完善,液相量增加,越利于燒結(jié)。另一方面,隨著顆粒粒度的降低,析出晶體尺寸變小,析晶組織更加致密。因此,試樣的體積密度和抗折強(qiáng)度均隨顆粒粒度的減小而增大。但顆粒粒度過小時(shí),氣體在壓制時(shí)難以排除,反而使堆積密度減小,因而體積密度反而減小。

        3.2 保溫時(shí)間對(duì)抑制發(fā)泡的影響

        以S基礎(chǔ)料為研究對(duì)象,燒成過程中使其在1080℃分別保溫a-0 min,b-5min,c-10 min,d-15 min,e-20 min,f-25 min,其顯微結(jié)構(gòu)的變化如下圖2所示。

        由圖2可知,采取在1080℃保溫的措施,可以使產(chǎn)生的大量的CO或CO2氣體從坯體中排出,圖2顯示了隨著保溫時(shí)間增加,試樣顯微結(jié)構(gòu)的變化。如圖所示,在1080℃不保溫時(shí)試樣有明顯的孔結(jié)構(gòu),且大小不均,隨著保溫時(shí)間的增加,氣孔逐漸變得大小均勻,且不斷減小。當(dāng)試樣在1080℃下保溫20 min(如圖e),燒成后的試樣已經(jīng)基本沒有孔結(jié)構(gòu)。但保溫時(shí)間過長(如圖f),保溫

        25 min,試樣燒成后又開始出現(xiàn)氣孔,保溫時(shí)間過長,往往會(huì)引起原料各組分之間的各種反應(yīng),從而不同程度產(chǎn)生一部分氣體,增大了氣孔率和吸水率。故在廢料的發(fā)泡溫度保溫適當(dāng)?shù)臅r(shí)間(20 min),有助于大量的CO或CO2氣體從坯體排除,有效抑制拋光廢料在坯體中的發(fā)泡。

        3.3 球磨時(shí)間的確定

        適當(dāng)減小坯體的粒度,有利于抑制磚坯的高溫發(fā)泡變形。生產(chǎn)底料一般球磨時(shí)間約為10 h,250目篩余1.5%,現(xiàn)以S為基礎(chǔ)配方,分別球磨10 h、12 h、14 h、16 h,然后噴霧造粒,干壓成型,最后在窯爐燒成。性能測試結(jié)果見表5。

        由測試結(jié)果可知,隨著球磨時(shí)間的增加,粉料的細(xì)度減小,性能也不斷改善,但考慮到球磨時(shí)間越長,用電量增加,增加了生產(chǎn)成本,且球磨14 h性能已經(jīng)達(dá)到拋光磚生產(chǎn)要求,綜合考慮,S配方生產(chǎn)時(shí)球磨時(shí)間增加到14 h。

        3.4 燒成制度的確定

        試樣燒成過程中使其在廢料的發(fā)泡溫度1080℃保溫適當(dāng)?shù)臅r(shí)間(20 min),能有助于大量的CO或CO2氣體從坯體排除。故可以調(diào)整原有窯爐的燒成方式,使其在1080℃下分別保溫10 min和20 min。燒制樣品的性能見表6。

        由表6可知,在1080℃保溫一段時(shí)間,能改善樣品的燒結(jié)性能,提高抗折強(qiáng)度和降低變形程度。在1080℃保溫10 min與保溫20 min的性能相近,故在原有窯爐的燒成曲線的基礎(chǔ)上設(shè)置在1080℃下保溫10 min。燒成曲線見圖3。

        4 結(jié)論

        (1) 拋光廢料基底拋光磚制備工藝影響(下轉(zhuǎn)第21頁)分析實(shí)驗(yàn)表明:試樣的體積密度和抗折強(qiáng)度隨粒度減小而增加,但到一定細(xì)度(過120目篩)后,反而減小。因此,適當(dāng)減小坯體的粒度,能有利于抑制磚坯的高溫發(fā)泡。在拋光廢料的發(fā)泡階段采取保溫,促使產(chǎn)生的大量的CO或CO2氣體從坯體排除以抑制拋光廢料在坯體中的發(fā)泡。在試樣燒成過程中使其在廢料的發(fā)泡溫度1080℃保溫適當(dāng)?shù)臅r(shí)間(20 min),能有助于大量的CO或CO2氣體從坯體排除,有效抑制拋光廢料在坯體中的發(fā)泡。

        (2) 通過生產(chǎn)中試實(shí)驗(yàn),采取雙層布料方式,以含拋光廢料的低質(zhì)原料為基底,面層布優(yōu)質(zhì)原料,能夠制備出高檔次的瓷質(zhì)拋光磚。根據(jù)工廠的實(shí)際情況進(jìn)行配方的設(shè)計(jì),不斷進(jìn)行“配方設(shè)計(jì)—性能測試—配方調(diào)整”,在生產(chǎn)配方基礎(chǔ)上調(diào)整外加無機(jī)添加劑得到最優(yōu)配方,并同時(shí)對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行了相應(yīng)的改變,制定了符合拋光廢料基底拋光磚產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝:球磨時(shí)間14 h,成型壓力260 MPa,燒成時(shí)在1080℃保溫10 min。經(jīng)過各項(xiàng)測試表明,雙層布料的瓷質(zhì)拋光磚面層與底層結(jié)合性良好,各項(xiàng)性能與現(xiàn)有拋光磚相近,達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)。

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