近年來，以氮化鎵和碳化硅為主要代表的第3代半導體越來越受到全世界的關(guān)注，成為世界科技研究的熱點和前沿。第3代半導體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強等優(yōu)越性能，此外還具有學科交叉性強、應用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點。

有專業(yè)人士指出，第3代半導體是以環(huán)保、智能為主要特征的現(xiàn)今社會信息化發(fā)展的基石，是推動轉(zhuǎn)變經(jīng)濟增長方式和結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型，以及提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的決定因素之一，具有無法替代的支撐作用。因此，在一代材料決定一個時代的器件和裝備的背景下，我國第3代半導體能否在強手眾多的世界科學領(lǐng)域掌握話語權(quán)，是我國很多業(yè)內(nèi)人士關(guān)注的焦點問題。2014年，美國總統(tǒng)奧巴馬親自主導制定了以碳化硅為主要代表的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展聯(lián)盟，表現(xiàn)出美國政府對寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)支持的重視程度；早在2013年，日本已經(jīng)將寬禁帶半導體作為由首相親自推動的“首相戰(zhàn)略”，也顯示出了日本政府對可以對產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生革命性影響的新材料的重視。

在我國，不僅成立了國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，還在該聯(lián)盟的倡議下建立了北京第3代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地，這個基地的目標，就是要把北京作為第3代半導體產(chǎn)業(yè)的全球創(chuàng)新策源地、人才集聚地、技術(shù)輻射地、創(chuàng)業(yè)成功地。與第1代、第2代半導體在我國發(fā)展嚴重滯后的狀況相比，我國在第3代半導體領(lǐng)域的研究工作一直緊跟世界前沿，尤其在某些應用的環(huán)節(jié)已經(jīng)率先走在了世界前列，如半導體照明、可見光通訊、海量光存儲等。因此，我國第3代半導體在世界新一輪科技創(chuàng)新戰(zhàn)略部署中有望實現(xiàn)奪得頭籌。我國第3代半導體的工程技術(shù)水平和國際先進水平差距不大，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進而可能在部分領(lǐng)域獲得領(lǐng)先和比較優(yōu)勢的階段，并且有機會實現(xiàn)超越。

目前，我國在第3代半導體材料的制備上有待實現(xiàn)突破，尤其急需突破大尺寸、高質(zhì)量氮化鎵和碳化硅晶體的制備工藝，各方在全產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)都在加緊進行產(chǎn)業(yè)布局，應用前景和市場潛力巨大。鑒于此，本期“關(guān)注”欄目從第3代半導體的材料制備、產(chǎn)業(yè)、知識產(chǎn)權(quán)、市場分析等多視角描述目前我國在該產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)的發(fā)展狀態(tài)；此外，本刊對北京第3代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設(shè)情況進行了報道，將在未來很長時期內(nèi)對其進行跟蹤報道。

相信在不久的將來，隨著國家在戰(zhàn)略層面上對第3代半導體產(chǎn)業(yè)的頂層設(shè)計和布局，在我國相關(guān)各方面比較完善的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)上，我國有望在競爭激烈的國際第3代半導體產(chǎn)業(yè)格局中實現(xiàn)占位領(lǐng)跑，率先突破創(chuàng)新鏈和價值鏈，成功搶占國際第3代半導體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略制高點。