英國《自然·納米技術(shù)》雜志10月11日在線發(fā)表論文稱，科學(xué)家們利用飛秒技術(shù)首次成功拍攝到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子狀態(tài)變化。該成果將提供對半導(dǎo)體核心器件前所未有的洞察。

此前，科學(xué)家們都是根據(jù)材料的光電相互作用來推測電子的運(yùn)動，新研究是人類運(yùn)用飛秒技術(shù)首次拍到半導(dǎo)體材料內(nèi)部電子的運(yùn)動軌跡，也是首次直接觀察到材料中電子狀態(tài)的變化。