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        一款DSC控制的數(shù)字電源實(shí)現(xiàn)

        2016-03-12 06:00:12湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院
        電子世界 2016年23期
        關(guān)鍵詞:數(shù)字控制補(bǔ)償器傳遞函數(shù)

        湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院 申 培

        湖南進(jìn)芯電子科技有限公司 黃嵩人

        湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院 譚 偉

        一款DSC控制的數(shù)字電源實(shí)現(xiàn)

        湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院 申 培

        湖南進(jìn)芯電子科技有限公司 黃嵩人

        湘潭大學(xué)物理與光電工程學(xué)院 譚 偉

        數(shù)字化技術(shù)隨著低成本、高性能控制芯片的出現(xiàn)而快速發(fā)展,同時(shí)也推動(dòng)著開(kāi)關(guān)電源向數(shù)字控制發(fā)展。文章利用一款新型數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)ADP32,完成了基于DSC的數(shù)字電源應(yīng)用研究,本文提供了DC/DC變換器的完整數(shù)字控制解決方案,數(shù)字PID補(bǔ)償技術(shù),精確時(shí)序的同步整流技術(shù),以及PWM控制信號(hào)的產(chǎn)生等,最后用一臺(tái)200W樣機(jī)驗(yàn)證了數(shù)字控制的系統(tǒng)性能。

        數(shù)字信號(hào)控制器;同步整流;PID控制;數(shù)字控制

        1 引言

        隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,低成本、高性能的DSC控制器不斷出現(xiàn),基于DSC控制的數(shù)字電源越來(lái)越備受關(guān)注,目前“綠色能源”、“能源之心”等概念的提出,數(shù)字控制的模塊電源具有高效率、高功率密度等諸多優(yōu)點(diǎn),逐漸成為電源技術(shù)的研究熱點(diǎn)。

        數(shù)字電源(digital power supply)是一種以數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)或微控制器(MCU)為核心,將數(shù)字電源驅(qū)動(dòng)器、PWM控制器等作為控制對(duì)象,能實(shí)現(xiàn)控制、管理、監(jiān)測(cè)功能的電源產(chǎn)品。具有可以在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的硬件平臺(tái)上,通過(guò)更新軟件滿(mǎn)足不同的需求[1]。ADP32是一款集實(shí)時(shí)處理(DSP)與控制(MCU)外設(shè)功能與一體的數(shù)字信號(hào)控制器,不但可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),還能快速有效實(shí)現(xiàn)各種復(fù)雜的控制算法。

        2 數(shù)字電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        2.1 數(shù)字電源硬件框圖

        主功率回路是雙管正激DC/DC變換器,其控制方式為脈沖寬度調(diào)制(PWM),主要由功率管Q1/Q2、續(xù)流二極管D1/D2、高頻變壓器、輸出同步整流器、LC濾波器組成。

        圖1 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)圖

        2.2 電流控制模式

        在基于ADP32的DC/DC應(yīng)用中,采用峰值電流控制模式,數(shù)字控制器的ADC模塊采樣輸出電壓與電壓基準(zhǔn)比較得到的電壓差通過(guò)外環(huán)電壓環(huán) PID控制,得到一個(gè)電流基準(zhǔn)再與采樣MOS管電流相比較得到電流差用于電流環(huán)PID校正。最后電流環(huán)返回值就是功率開(kāi)關(guān)管的PWM信號(hào)占空比D,通過(guò)改變占空比的大小來(lái)穩(wěn)定輸出電壓[2]。

        3 數(shù)字補(bǔ)償技術(shù)

        3.1 S域建模

        數(shù)字電源的主功率回路和模擬電源一樣,完成輸入電壓的隔離變換;而信號(hào)反饋回路實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化,用DSC控制器芯片完成電壓反饋信號(hào)的數(shù)字化處理和數(shù)字脈寬調(diào)制輸出(DPWM)[3]。構(gòu)建S域系統(tǒng)的框圖模型,將電源整個(gè)閉環(huán)回路分為幾個(gè)主要部分:功率級(jí)電路Gp(s)、信號(hào)調(diào)理和ADC采樣Gad(s)、數(shù)字補(bǔ)償器Gc(s)、電流環(huán)傳遞函數(shù)G2(s)整體框圖如圖2所示。

        圖2 控制環(huán)路傳遞函數(shù)系統(tǒng)框圖

        其中根據(jù)電路的小信號(hào)模型如下:

        電流環(huán)傳遞函數(shù)為:

        電壓反饋傳遞函數(shù)為:

        未補(bǔ)償前的環(huán)路增益為:

        將各式帶入可求得:

        在MATLAB中分析為補(bǔ)償前H(s)環(huán)路特性:

        sys=tf([3.68e-5 0.568],[3.73e-8 8.48e-5 1]);

        bode(sys);

        grid on;

        sisotool(sys)

        得到為補(bǔ)償前的BODE圖,根據(jù)自動(dòng)控制理論,選取交越頻率為開(kāi)關(guān)頻率的1/5~1/10,需要充足的相位裕量以避免發(fā)生震蕩,其中最佳相位裕量為低相位裕量將導(dǎo)致欠阻尼的系統(tǒng)響應(yīng),較高的相位裕量則導(dǎo)致過(guò)阻尼的系統(tǒng)響應(yīng)。從圖3知不滿(mǎn)足環(huán)路穩(wěn)定條件。

        圖3 開(kāi)環(huán)伯德圖

        應(yīng)用“SISOTOOL”工具欄可以方便配置補(bǔ)償器的零極點(diǎn)和增益,加入PID補(bǔ)償器實(shí)現(xiàn)兩大目標(biāo):一個(gè)是提高系統(tǒng)開(kāi)環(huán)穿越頻率,即帶寬,這決定了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度;另一個(gè)目標(biāo)是增大系統(tǒng)的相位裕度,相位裕度決定系統(tǒng)動(dòng)態(tài)響應(yīng)幅度[4]。從圖4的補(bǔ)償BODE圖可知,開(kāi)環(huán)傳遞函數(shù)的穿越頻率61.5Khz,相位裕度為60度,較好地實(shí)現(xiàn)了補(bǔ)償?shù)哪康?。最后確定的補(bǔ)償器的傳遞函數(shù)為:

        校正后的BODE如圖4所示:

        圖4 帶補(bǔ)償器的開(kāi)環(huán)伯德圖

        3.2 Tustin變換

        用MATLAB中c2d函數(shù)實(shí)現(xiàn)Tustin變換,得:

        數(shù)字補(bǔ)償器= c2d(sys,0.00001,'tustin')

        數(shù)字補(bǔ)償器以差分方程的形式可以寫(xiě)成:

        U(n)=1.853U(n-1)-0.853(n-2)+11.24E(n)-21.08E(n-1)+9.838E(n-2)

        其中,U為補(bǔ)償器輸出的控制電壓,E為誤差電壓。n=當(dāng)前采樣,n-1=前一次采樣,得到的差分方程即數(shù)字補(bǔ)償器的控制算法,通過(guò)ADP32中的程序?qū)崿F(xiàn)。

        4 同步整流技術(shù)

        4.1 同步整流原理

        同步整流技術(shù)(Synchronous Rectification)是指用導(dǎo)通電阻較低的MOSFET來(lái)替代整流二極管,從而達(dá)到降低整流損耗、提高效率的目的[2]。功率MOSFET屬于電壓型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線(xiàn)性關(guān)系,同步的意思就是柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步。

        4.2 SR選型及時(shí)序

        選用IR公司的IRF3207整流管,其中通態(tài)電阻RDS=3.3,VDSS=75V。為避免次級(jí)整流管與續(xù)流管同時(shí)導(dǎo)通,在PWM3與PWM4驅(qū)動(dòng)時(shí)序上必須設(shè)定一定的死區(qū)時(shí)間,參照IRF3207手冊(cè),其中:

        根據(jù)整流管器件的延遲時(shí)間,設(shè)定死區(qū)時(shí)間為0.42us。

        4.3 SR驅(qū)動(dòng)波形

        根據(jù)DSC中設(shè)計(jì)的一個(gè)專(zhuān)門(mén)死區(qū)單元,只要配置死區(qū)定時(shí)器預(yù)定標(biāo)因子得到死區(qū)定時(shí)器的時(shí)鐘,最后配置死區(qū)定時(shí)器的周期m[3],就能得到死區(qū)時(shí)間為0.42us互補(bǔ)的PWM(3.3v)波形。經(jīng)由ucc27324驅(qū)動(dòng)電路。

        4.4 DSC控制實(shí)現(xiàn)

        軟件主要包括Main函數(shù)、ADC中斷、PID控制子程序,主程序完成ADC、PWM、定時(shí)器、PID等模塊初始化,然后等待ADC中斷的到來(lái),檢測(cè)到中斷信號(hào)就進(jìn)入相應(yīng)的流程。程序流程如圖5所示:

        本設(shè)計(jì)中,配置DSC的高速外設(shè)時(shí)鐘HSPCLK為75Mhz,定時(shí)器輸入時(shí)鐘預(yù)定標(biāo)因子TPS=0,得到定時(shí)器T1,T2的時(shí)鐘TCLK=HSPCLK/2°=75Mhz,工作于連續(xù)增/減計(jì)數(shù)模式,設(shè)置T1PR=0x007D產(chǎn)生頻率為300Khz的載波頻率[5],使能比較單元,配置CMPR1/CMPR2的值產(chǎn)生PWM1、PWM3、PWM4信號(hào)驅(qū)動(dòng)MOS管。

        數(shù)字PID運(yùn)算在ADC中斷調(diào)用運(yùn)行,輸出的與PWM占空比對(duì)應(yīng)關(guān)系:

        Vm為PWM斜坡電壓的AD值,F(xiàn)_PWM為寄存器T1PR的值,Avm為每一位AD值對(duì)應(yīng)的PWM脈沖數(shù)。

        圖5 程序流程圖

        5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

        本文在基于ADP32的平臺(tái)上搭載了一臺(tái)200W的數(shù)字電源模塊樣機(jī),參數(shù)如下:1)電壓輸入范圍:380~410(前級(jí)PFC輸出)2)輸出電壓:DC24V;3)輸出電流:8A(MAX);4)輸出功率:200W (MAX);5)開(kāi)關(guān)頻率:300Khz;6)效率:~92%。

        用示波器觀測(cè)MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)波形。

        圖6 MOS管G極驅(qū)動(dòng)波形

        圖6左為功率管Q1/Q2柵極的驅(qū)動(dòng)波形,頻率300K,幅度為12.0V,此時(shí)的占空比約為0.37。

        圖6右為SR管Q3/Q4柵極的驅(qū)動(dòng)波形,死區(qū)時(shí)間為0.42us。

        6 結(jié)論

        數(shù)字控制已成為電力電子研究領(lǐng)域的重要方向,基于DSC的控制技術(shù)在電力電子領(lǐng)域逐漸普及。本文采用DSC數(shù)字控制雙管正激拓?fù)?,研究了?shù)字PID補(bǔ)償算法,結(jié)合同步整流技術(shù)提高效率,而且還對(duì)DC/DC變換器的系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)、帶死區(qū)PWM產(chǎn)生策略等,最后用一臺(tái)200W實(shí)驗(yàn)樣機(jī)驗(yàn)證了設(shè)計(jì)正確性。

        [1]陳新,Charlie Wu,W.Hutching等.基于DSC控制的數(shù)字功率因數(shù)校正模塊應(yīng)用[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào),2006,21(12):99-104.

        [2]Huang Bo.The Research of Digital and Analog Control for 60W Switches Forward Power Supply [D].Hangzhou Dianzi University, 2012:46-54(in Chinese).

        [3]王斌,黃健明,等.數(shù)字DC/DC開(kāi)關(guān)電源環(huán)路補(bǔ)償器設(shè)計(jì)[J].計(jì)算機(jī)工程與應(yīng)用,2010,46(34):70-73.

        [4]曹藝,陳曉飛,等.用于DC/DC變換器的數(shù)字控制器的研究與設(shè)計(jì)[D].華中科技大學(xué),2010:45-74.

        [5]顧衛(wèi)鋼,等.手把手教你學(xué)DSP-基于TMS320X281X[M].北京航空航天大學(xué)出版社.

        申培(1990—),男,湖南邵陽(yáng)人,碩士在讀,基于DSC控制的數(shù)字電源研究。

        黃嵩人(1972—),男,博士,研究員,研究方向:DSP芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)。

        譚偉(1990—),男,湖南益陽(yáng)人,碩士在讀,基于DSC控制的數(shù)字電源研究。

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