業(yè)界要聞
“隨著中國半導體產業(yè)黃金發(fā)展期的腳步加快,中國企業(yè)正在成為全球半導體產業(yè)擴張的主要力量,中國半導體產業(yè)的不斷壯大將深刻影響全球半導體產業(yè)的格局?!眹H半導體設備與材料協會(SEMI)全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍近日在上海表示。中國制造的各類電子產品迅速走向世界,使中國成為全球最大的電子產品制造基地,也造就了中國成為全球最大的芯片需求市場,但目前國產芯片的自給率尚不足三成。《中國制造2025》中明確提出,2020年芯片自給率要達到40%,2025年達到50%。
在國際上,半導體產業(yè)已經走向成熟,國際資本介入半導體產業(yè)的腳步明顯放緩。與之形成反差的是,中國半導體產業(yè)近年來正上演新一輪投資熱潮,龍頭企業(yè)爭相宣布啟動收購、重組、投資建設新廠等擴張舉措。
近日,總投資387億元人民幣的華力微電子二期300 mm集成電路芯片生產線項目在上海開工。項目建成后,華力微電子母公司——上海華虹集團的集成電路制造規(guī)模有望進入全球前五。
在一個月前,總投資近千億元的中芯國際“新建300 mm集成電路先進工藝生產線”以及配套項目也在上海啟動。中芯國際的目標是,未來幾年內成為全球前三大晶圓代工企業(yè)。
除上海外,今年國內多個城市也都在大手筆上馬芯片制造項目。總投資240億美元的國家存儲器基地項目3月份在武漢奠基;聯電廈門聯芯300 mm晶圓廠預計今年底前投產;臺積電南京300 mm晶圓廠在7月上旬開工;7月中旬,一期投資370億元的福建晉華新建300 mm存儲器生產線項目動工……
據國際半導體設備與材料協會發(fā)布的近兩年全球晶圓廠預測報告,2016至2017年間,全球確定新建的晶圓廠有19座,其中,中國國內就占了10座。
上海華虹宏力半導體制造有限公司執(zhí)行副總裁徐偉近日在接受記者采訪時表示,全球半導體行業(yè)正進入“后摩爾定律”時期,產業(yè)逐步從技術驅動轉為應用驅動,在國內隨著最近兩年國家一系列扶持政策的出臺,本土半導體產業(yè)正迎來新的發(fā)展機遇期。
在居龍看來,眼下正是中國半導體產業(yè)高速發(fā)展的關鍵轉型期。全球半導體市場正呈現出新的發(fā)展趨勢,比如半導體產業(yè)走向成熟,成長漸緩,全球并購浪潮洶涌,競爭更劇烈;國際系統廠商重新主導推動集成電路設計發(fā)展;新應用風起云涌使競爭門檻進一步提高;摩爾定律放緩,但制造工藝還在前行,而且投資不斷加大等。這些都給中國半導體企業(yè)帶來新的機遇和挑戰(zhàn)。
值得關注的是,在當前新一輪集成電路投資熱潮中,國產半導體設備和材料的缺失尤為凸顯,絕大部分資金被用于購買進口設備和材料。據居龍介紹,目前中國半導體設備和材料占全球市場份額不足1%,這已嚴重制約著國產芯片產業(yè)的自足、健康發(fā)展。專家指出,當前中國半導體產業(yè)所面臨的全球競爭仍在加劇。對國內企業(yè)來說,需要切實提升自身技術實力,同時要加速融入全球產業(yè)鏈中,在國際規(guī)則下尋求合作共贏。
(來源:新華社)
近日,從長電先進(JCAP)和星科金朋江陰廠(JSCC)內捷報傳出,基于14 nm晶圓工藝的封裝芯片已經成功通過客戶電性能和可靠性驗證,并正式開始量產。首批300 mm量產晶圓已經從10月開始從長電先進和星科金朋江陰出貨,并持續(xù)批量生產,這一消息成功極大的鼓舞了兩個廠的生產和工程團隊,同時也向業(yè)界宣告長電先進和星科金朋江陰廠成為國內第一家能夠量產14 nm工藝bumping和FCBGA的制造廠家,達到了目前國內高端封裝的最高水平。
此次量產的產品是目前最先進的14 nm Fin-FET工藝,雖然客戶之前一直有在國外封裝廠加工的經歷,但還是非常希望在國內建立bumping、封裝和測試的一條龍服務的供應鏈,這樣可以更加方便的溝通和節(jié)省Cycletime。而長電先進是國內最大規(guī)模、技術最先進的晶圓凸塊和晶圓級芯片尺寸封裝生產企業(yè),早在2007年就已經完成300 mm晶圓凸塊的開發(fā)和量產,并于2013年初在28 nm制程晶圓上成功實現晶圓凸塊的量產,具有豐富的高階制程晶圓凸塊生產經驗。結合星科金朋先進的基板封裝術,JCAP+JSCC組合成為了當前國內最強封測組合,該14 nm制程產品落地JCAP+JSCC組合變得毫無懸念。而且實際證明這是非常好的選擇,徹底為客戶解決了其他廠遇到的失效問題。同時我們快速的交期和極高的封裝良率,也為客戶提供了更為優(yōu)質的服務。
此新產品的成功量產對整個長電集團而言意義重大,首先對于長電先進而言是一個質的飛躍.長電先進和星科金朋年來一直從事于bumping, WLCSP,BGA等封裝多年,其產品和服務服務已經得到了多個國際大公司的認可.這一次的成功量產,標志了兩個公司的強強聯手,從集團的角度來看達到了資源的充分整合。在不到一年時間理,雙方的合作已經卓有成效,截止目前已經成功導入多家知名客戶,所以擁有了這一強有力的平臺,我們可以預見會更多的客戶會在長電先進和星科金朋江陰廠順利量產,為客戶提供最優(yōu)質的一站式服務!
來源:長電科技
近日,美國斯坦福大學研究人員首次制備出一種可用于制作晶體管的可自愈彈性聚合物,為新一代可穿戴設備開辟了道路,相關論文日前在《自然》期刊發(fā)表,《自然》同期評論文章中表示,該研究實現了復雜有機電子表面模仿人類皮膚,是仿生學發(fā)展的一座里程碑。
斯坦福大學研究人員通過將剛性半導體聚合物與柔性材料結合,制作出了像人體皮膚一樣可以拉伸、形成褶皺、自我愈合的半導體,能夠用于可穿戴設備、電子皮膚乃至柔性機器人。這種新的聚合物在拉伸到原來尺寸的兩倍以后,仍然保持原有的導電性能,與非晶硅的導電性能一致(非晶硅是制作控制液晶顯示像素的晶體管陣列時會用到的材料)。
研究人員表示,制作彈性半導體聚合物一直以來都是個難題。彈性材料的典型設計規(guī)則是讓材料更軟、結晶度更低。但一般的高性能半導體聚合物,都需要高度結晶且硬度較高,導致材料硬且脆,容易碎裂。
為解決這個難題,研究人員首先使用含有二酮吡咯并吡咯(DPP)單元的聚合物(DPP中大量的碳鍵使其硬度和結晶度高);然后,在不改變聚合物整體導電性能的前提下,替換掉5%~10%的DPP,通過減少碳鍵的數量使材料變得更軟;最后,研究人員再往其中加入另外一種更軟、很容易形成氫鍵的彈性聚合物。由此得到了一種全新的材料。拉伸這種新材料時,里面的化學鍵會斷開吸收機械能,而應力釋放時,這些鍵又會重新結合起來。
這種彈性晶體管材料由兩部分組成:一是剛性的半導體,二是連接這些半導體的無定形鏈。拉伸時,無定形鏈間由氫鍵連接,收縮時氫鍵斷裂吸收機械應力。該材料經過1 000次拉伸循環(huán)后(拉伸至雙倍尺寸又重新縮回),開始出現一些裂紋,導電性也輕微降低。但使用溶劑蒸汽處理150℃的熱板上加熱之后,該材料可以自我愈合,并且?guī)缀跬耆謴驮镜膶щ娦阅堋?/p>
研究人員已經使用該聚合物制造出可以穿戴在肘部和踝部的彈性晶體管。研究團隊正在從事將這種材料納入傳感器的研究,希望以后能開發(fā)出柔性可穿戴顯示器。
可伸縮聚合物導體和絕緣體材料早已得到廣泛應用,而合成具有可拉伸性質的半導體是世界首例,斯坦福大學團隊將高彈性、自愈合和高效電荷傳輸性能“集成”進新型高分子材料中,實現了材料學、仿生學和電子學的重大突破,為新一代類皮膚可穿戴設備研制奠定基礎。
來源:國防科技信息網)
隨著近期國內半導體制造企業(yè)密集啟動投資項目與產能建設(未來兩年晶圓制造廠達到10座),有觀點認為中國半導體產業(yè)黃金發(fā)展期正在到來。但與此同時,在總額高達數百億美元的投資中,設備投資將超過75%,而國產設備商的供應能力卻嚴重不足。這意味著絕大部分的設備投資額將被海外設備大廠所瓜分(目前在12英寸生產線中設備的國產率僅約5%)。加強我國半導體設備廠商的研發(fā)與供應能力正變得愈發(fā)急迫起來。
中國大陸將成最大半導體設備市場
從全球范圍來看,半導體產業(yè)正在發(fā)生著第三次大轉移,即向中國大陸、東南亞等發(fā)展中國家和地區(qū)轉移。根據IC insights的數據,在2007年,中國大陸IC制造產值為45.9億美元,占全球的份額僅為1.96%。但到了2012年,中國大陸IC制造產值迅速上升到89.1億美元,全球份額也提升到3.5%。預計至2017年,中國大陸IC制造占全球的份額有望達到7.73%。2012~2017年間,中國本地IC制造產值將以16.5%的年均復合增長率增長。
近兩年,國內外半導體制造龍頭企業(yè)紛紛在中國大陸投資興建新的半導體晶圓廠也印證了這一觀點。臺積電計劃在南京獨資建設300 mm(12英寸)晶圓廠;英特爾大連廠轉型投產3D NAND Flash;中芯國際北京B2廠正式投產,B3在建,并在上海、深圳新建300 mm生產線;武漢長江存儲項目2016年3月奠基,將新建NAND&NOR生產線;華力微電子將在上海新建300 mm生產線;晉江新建300 mm存儲器生產線。新一輪產能建廠潮正在到來。
“中國躍升全球半導體第一大市場,但自給率僅為27%,在《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》中已制定明確目標,至2020年芯片自給率將達到40%,2025年達50%。在龐大資金與相關配套政策扶植下,預計未來幾年半導體建設將蓬勃發(fā)展”。SEMI中國區(qū)總裁居龍在接受記者采訪時指出。根據SEMI的數據,2016年、2017年全球新建的晶圓廠將達到19座,其中有10座位于中國大陸。
95%設備訂單可能落入海外廠商囊中
然而,由于國產設備的供應能力嚴重不足,數量龐大的半導體設備投資絕大部分將被海外設備大廠所瓜分。
應用材料中國有限公司CFO趙甘鳴告訴記者,一般來說建設一條300 mm生產線,每一萬片晶圓的設備投資約為10億美元。根據工藝先進程度不同或者制造廠商的技術能力區(qū)別,投資額會上下浮動10%左右。如果未來數年之間,我國有10條以上的生產線建設計劃,其中的設備投資額將是巨大的。
SEMI的數據顯示,2015年全球半導體設備市場營收達373億美元,其中中國市場營收48.8億美元,占比13.09%;預計2016年中國設備市場營收為53.2億美元,增長9.02%,占比進一步提升至14.07%。中國市場已經是未來10年全球半導體設備行業(yè)最大的增長動力。
居龍警告說:“盡管中國大陸半導體投資大增,中國大陸設備廠的供應能力卻嚴重不足?!眹a化率偏低,國產設備的產能還遠不能滿足市場需求。
研究報告也指出,一條總成本約10億美元的200 mm生產線,設備成本占6.5億美元,國產設備約可占據6 500萬美元;在300 mm生產線上,設備國產率約5%;成熟一些的90 nm生產線的設備國產率可以達到8%。
根據中國半導體行業(yè)協會半導體支撐業(yè)分會此前發(fā)布的一份報告,國內半導體設備行業(yè)技術水平近年來得到較大提升。在200 mm集成電路制造的主要關鍵設備方面,具備了供貨能力,目前刻蝕機、離子注入機、薄膜生長設備、氧化爐、LPCVD、退火爐、清洗機、單晶生長設備、CMP設備、封裝設備等基本形成國內配套能力,技術水平基本可以滿足用戶要求;在300 mm、28nm技術代的前道主要關鍵設備研發(fā)上也取得了很大進步,部分設備進入大生產線驗證。預計到2018年,將有40多種裝備可以通過生產一線用戶的考核,進入采購。
總之,國產半導體設備雖然取得了一定的進步,但總體供應能力仍然不足。一條晶圓生產線中設備用戶一般會綜合采用高、中、低端設備,高端市場幾乎完全被國外企業(yè)壟斷,即使在中低端設備市場,我國設備廠商仍然面臨日韓廠商的競爭。在中國加大半導體制造投資之際,加強我國半導體設備技術能力正變得愈加急迫起來。
爭取從0到1的突破
近年來,我國半導體產業(yè)發(fā)展頗為迅速,IC設計、芯片制造及封裝測試等領域均取得了長足進步。但是,半導體裝備與材料卻存在短板。那么,應當如何擺脫這種困境呢?
居龍認為:“目前中國設備正在取得從0到1的突破,但是要認識到這一進程的長期性。”半導體設備從研發(fā)到商用,周期都比較長,新產品一般要經過2年到4年才可以進入市場,5年至6年開始實現銷售,8年至9年才可能達到收支平衡,10年才可能達到盈利。在這個過程中,中國企業(yè)應當不斷提升技術創(chuàng)新能力,建立自主創(chuàng)新體系。國際上集成電路已實現14 nm量產,國內與國際先進水平還有2代的差距。中國半導體設備是從落后追趕到同步發(fā)展。作為后進入者,要替代國外產品,必須要形成白己的創(chuàng)新特色,建立競爭優(yōu)勢,這要求國內企業(yè)不斷提升自身研發(fā)創(chuàng)新能力,與用戶密切合作,積累自主知識產權,提升技術開發(fā)能力。
中科院微電子所所長葉甜春也指出:“中國裝備企業(yè)要尋找與本土產業(yè)鏈的結合,制造、裝備、材料等產業(yè)環(huán)節(jié)結合在一起,才能提高自身的競爭力,完善整個產業(yè)生態(tài),最終使整個產業(yè)受益。”縱觀國內半導體裝備企業(yè),近幾年雖然發(fā)展很快,但與國際企業(yè)相比普遍規(guī)模較小,生存能力較弱,融資渠道不暢,在主流市場上與國外同行競爭仍面臨著許多困難。加之半導體設備前期投資大,回收期長,企業(yè)單打獨斗將難以為繼,因此,國內企業(yè)只有加強合作與整合,資源共享,提高資產使用效率,才能與國外競爭對手抗衡。
(來源:中國電子報)
傳統LED背光以及照明市場低迷,UV-LED等市場也逐漸受到關注。近日,日亞化就對外表示,UV-LED的用途預料將會日益擴大。展望2017年總體市場雖有成長,但液晶背光及照明市況仍持續(xù)低迷。面對大陸廠的威脅,不少臺廠也已相繼轉入車載、UV等具有藍海商機的市場,事實上,現階段主要UV-CLED廠為美國、日本、韓國廠商,預計包括日亞化學與中國臺灣地區(qū)LED廠商將在今年第四季陸續(xù)推出UV-CLED產品,以加速UV-CLED技術進展。
日前,日亞化也透露將于第4季陸續(xù)推出UV-CLED產品,明年也將持續(xù)積極投入研究開發(fā)及設備投資。此外,臺廠如光鋐與研晶也將于11月推出265~275 nmUV-CLED,以短波為主力應用于殺菌凈化應用市場之中。由于短波長UVC技術門檻高,而且應用在醫(yī)療殺菌、生物辨識等特殊高階領域,其中凈水應用方面,日本大廠已經大舉投入開發(fā),可望帶動市場規(guī)模加速放大,臺灣LED廠商則有望在價格優(yōu)勢下,與國際大廠競爭搶市。
如今,為奪取成長市場,以通過提高發(fā)光效率、建立量產技術,實現成本化為目標,全球漸已掀起了一場白熱化的技術開發(fā)競爭??v觀全球市場,一馬當先的是3家日本企業(yè):日機裝、旭化成和德山。此外,包括韓國廠商首爾半導體與LGInnotek也在研發(fā)紫外LED。日本信息通信研究機構(NICT)也已宣布,新開發(fā)的波長265 nm的深紫外LED,實現了輸出功率高達90 mW/cm2的連續(xù)發(fā)光,這一功率足以滿足實用化需求。
在國內LED企業(yè)中,以鴻利智匯、國星光電為代表的中游封裝公司都計劃也相繼推出了各自的深紫外LED產品。早在2014年,國星光電便已經推出了自己的紫外LED器件,并于2015年初推出陶瓷基板3535、COB封裝的1215、深紫外6363無機封裝等系列的LED器件。今年的8月3日,鴻利智匯亦在投資者關系互動平臺上表示,深紫外LED產品也將會是該公司在LED行業(yè)布局的方向之一。
市場規(guī)模
近期,有相關市調機構作出預估,UVLED市場規(guī)模(晶粒加封裝)將可望從2014年9 000萬美元擴大至2019年的6億美元,其中,UV-ALED受到近年來價格下滑影響,成長速度較快,2014~2016年市場需求開始明顯起飛,且應用面在于工業(yè)使用等級,價格波動性較低。據預計,UV-CLED將從2017~2018年進入爆發(fā)成長期。
據了解,紫外線LED的發(fā)展主流為UV-ALED與UV-CLED,其中UV-ALED多聚焦于光固化市場應用。數據顯示,2016年由于紫外光LED產品積極導入光固化、殺菌與凈化市場等各項應用,預估產值將成長至 1.66億美元。在UV-ALED市場激烈殺價競爭下,整體紫外線LED市場產值已連續(xù)2年持平于1.22億美元。
然而,在汞燈使用禁止條例將于2020年發(fā)酵的預期心理下,歐美與日本的光固化設備商皆積極導入紫外線LED,拉升改機與替換市場的需求,帶動2021年整體紫外線LED市場產值將達5.55億美元,年復合成長率高達27%。2016年紫外線LED應用于光固化市場產值達8100萬美元,2021年將達1.95億美元,年復合成長率為19%,2020年紫外線LED光固化模組的滲透率將來到50%~60%。
另外,由于UV-C可應用在食物保鮮、空氣凈化、水凈化等市場,潛在需求驚人。然而UV-CLED產品技術門檻相當高,不論在磊晶、晶片技術、封裝與市場接受程度等都面臨諸多挑戰(zhàn)。在技術持續(xù)進展下,預估2016年UV-CLED殺菌與凈化應用的市場產值達2800萬美元,2021年將達2.57億美元,年復合成長率高達56%。
企業(yè)動作
Nikkiso購入UV-CLED殺菌技術
今年8月,有超過50年的產品研發(fā)經驗的日商日機裝美國分公司(NikkisoAmerica)宣布以現金交易方式,收購美國UV-CLED消毒技術廠商AquiSenseTechnologies。據報道,AquiSense和日機裝有著共同的目標,亦即提供使用UV-CLED進行消毒的產品系列。AquiSense借重UV-CLED技術提供水、空氣以及表面消毒殺菌系統。這次收購讓日機裝和AquiSense能夠加速全球消毒殺菌市場的商業(yè)化。
其中,NikkisoAmerica方面表示,對于AquiSense能夠打入不同的高價值市場樂觀其成,且同時也將持續(xù)支持這樣的發(fā)展。AquiSense則表示一直以來均與許多供應商密切合作生產UV-CLED產品,而NikkisoAmerica也持續(xù)提供優(yōu)良產品。AquiSense生產的PearlAqua是一款獲獎肯定的UV-CLED凈水系統,其中的固態(tài)科技使用不可見光UV進行消毒。兩間公司都相信UVLED的應用將會促進健康并且加速消毒殺菌產業(yè)的發(fā)展。
兩臺企成立UV-CLED合資品牌
2016年11月,光鋐與研晶發(fā)表產品說明會,共同宣布Bioraytron為光鋐與研晶合資品牌,成立深紫外線LED垂直整合,從磊晶、芯片生產,專注于UV-CLED封裝與模塊相關產品銷售。統計顯示,全球殺菌產值達5 000億美金,包括了居家市場、醫(yī)療、工業(yè)等。龐大的市場產值受惠于產品節(jié)能、禁汞政策之下,深紫外線LED產品開發(fā)成為LED相關廠商進入利基市場的主要市場策略之一。
光鋐為紫外線與紅外線芯片廠商,研晶則專注于封裝與模塊,看好深紫外線市場發(fā)展,于2年前談定積極建立臺灣深紫外線產品供應鏈。據悉,其合資品牌Bioraytron正積極應對于市場需求研究,了解到深紫外線UV-CLED產品波長在<275 nm,加上高輻射(mW/cm2),將會創(chuàng)造出最佳的殺菌組合。他們將主要目標客戶將鎖定水、空氣、表面殺菌及醫(yī)療儀器等相關深紫外線UV-C產業(yè)客戶群。
RayVio推出中功率紫外(UV)LED
11月中旬,全球深紫外LED器件和消毒系統解決方案領導者美國RayVio公司,宣布推出其XE系列中功率紫外(UV)LED,其額定輸出功率為6 mW,采用超小型3535封裝。憑借280和310 nm的光譜輸出,RayVio的XE系列它將使細菌、病毒和其他病原體的DNA失去活性,并藉此預防疾病。據介紹,18日,RayVio公司推出了全球首款醫(yī)用級別嬰幼兒用品消毒器Ellie,基于TRUVIOLET技術,一顆RayVio深紫外UVCLED能在60秒內殺滅99.9999%的耐甲氧西林金黃色葡萄球菌(MRSA)、李斯特菌和沙門氏菌的細菌樣本,利用的顆數越多就越能更快地殺滅細菌或殺滅更多細菌樣本。
與傳統的,易碎且含有汞的紫外光源不同,RayVioXE系列是一種緊湊的數字光源,它比傳統光源更安全。而作為最小的商用紫外LED,它的這一特性賦予了該產品無與倫比的靈活性,能夠與一系列產品進行整合,包括自動消毒水瓶和醫(yī)院表面清潔器等。由于XE系列的光功率輸出是相同大小UVLED的2倍以上,因此可以節(jié)省電池壽命,它幾乎可以在任何解決方案中使用。來自RayVio的XE系列波長為280 nm的紫外光可殺死水,空氣和表面上的細菌。在310 nm,來自XE系列的UV光可以幫助治療皮膚疾病,包括銀屑病,濕疹,rets病和黃疸。
技術突破
全新納米薄膜技術使深紫外LED價降
深紫外光被廣泛用于飲用水凈化和醫(yī)療器械的嚴格消毒,但又大又笨重的汞燈作為光源,不便攜帶在緊急情況下使用之外,對環(huán)境也不夠友好。此前有報道指,為克服這問題,俄亥俄州立大學的工程師開發(fā)出了一種柔性、輕量、基于LED的深紫外薄膜原型。它能夠包覆在物品上,尤其有效地殺死有害微生物。這項技術一旦商業(yè)化,將有機會帶來價格更低、重量更輕、對環(huán)境也更友好的深紫外LED。據悉,當前制作一臺深紫外燈就必須要用到汞燈。然而水銀有毒性,加上燈泡笨重、效率也低。而由于LED的效率很高,如把UVLED做得便攜、安全、廉價,大眾都能隨時喝到安全飲用水。
通常任何類型的紫外光都可以很好地殺死有害微生物,比如波音就在飛機廁所上用到了紫外消毒系統(以及某些真空吸塵器)。該校的研究人員們使用了基于分子束外延方法的全新納米薄膜技術。借助半導體行業(yè)的生長方法(分子束外延),在上面培植了一片緊密的鋁氮化鎵線 (其高度在200 nm、直徑在20~50 nm),然后用鈦、鉭材料制成柔性導電纖維。測試發(fā)現,在向納米導線施加電流時,其發(fā)出的光線和在生硬的單晶硅上一樣亮。這項研究的有關具體內容,現已發(fā)表在近日出版的《應用物理快報》(AppliedPhysicsLetters)上。
1萬小時壽命10 mW深紫外LED量產
10月21日,深耕深紫外LED領域的圓融科技宣布旗下全資子公司青島杰生電氣有限公司經過多年研發(fā)正式推出壽命達到1萬小時的10 mW UVC(深紫外)LED產品,據稱,這一水平處于世界領先地位。目前該公司產品包括2 mW,5 mW和10 mW不同功率檔,30 mW以上大功率的產品將在后期陸續(xù)推出。自2012年推出1 mW的UVCLED產品以來,青島杰生電氣的產品一直在國際上享有盛譽,尤其在深紫外275 nm深紫外芯片技術上一直引領業(yè)界方向。
據介紹,青島杰生成立于2001年,由歸國學者創(chuàng)立,是目前中國唯一一家量產深紫外LED芯片的企業(yè),并于2015年獲得國家科學進步獎。同年10月圓融科技全資收購青島杰生。近年來深紫外UVCLED成為市場的熱點,主要原因在于深紫外LED被發(fā)現可以應用到眾多領域,除了替代原有的汞燈殺菌市場以外還帶來新的機遇,比如凈水領域,空氣凈化,食品安全領域,母嬰用品,醫(yī)療領域,健康市場等等,最重要一點是該技術是綠色無污染技術。因而,圓融科技以給世界提供高效耐用,高性價比,最好的深紫外UVCLED器件為目標。
深紫外LED設備及工藝取得突破進展
北京中科優(yōu)唯科技有限公司是在與中國科學院半導體研究所合作基礎上組建,專注于深紫外(300nm以下)LED的產業(yè)化。早些時候,該公司便宣布在深紫外UV設備和工藝方面取得突破性進展。據悉,中科優(yōu)唯研發(fā)出的專門用于深紫外LED的7片機和48片機型,生長溫度高達1 400℃以上,加熱絲具有很好的壽命。其開發(fā)出的深紫外LED基礎材料AlN緩沖層的基礎工藝生長速率為1 μm/h時,在7片機和48片機上獲得滿足深紫外LED生長的XRD搖擺曲線半高寬,(002)最低達到30 rad·s,(102)已小于500 rad·s。其初步制作的280 nm附近深紫外LED已實現電注入發(fā)光,發(fā)光功率大于1 mW。
據透露,從目前進展來看,該公司有望實現批量設備上280 nm以下深紫外LED的材料生長,并結合器件工藝實現規(guī)?;钭贤釲ED的技術突破,為深紫外LED降低成本,規(guī)模應用解決生產設備和成套工藝的技術瓶頸。另外,據指未來白色家電將是使用深紫外LED消毒應用的一大新領域,電冰箱、洗衣機、空調機、空氣凈化器、飲水機等產品都有使用小型消毒器的需求,各大廠家都在尋找適合的產品,紫外LED具有體積小、設計方便、沒有污染等特點,尤其適合在白色家電中應用。
來源:新興產業(yè)智庫
日前,由中芯國際、國家集成電路產業(yè)基金和寧波投資方共同投資建設的中芯集成電路(寧波)有限公司正式掛牌成立。這是寧波對接“中國制造2025”的重大產業(yè)項目之一,投資超百億元。中芯寧波的落戶,有望填補國內在高壓模擬與特種工藝半導體領域的諸多核心技術和制造能力的空白,補上寧波乃至浙江對芯片依賴進口的短板,助推寧波智能經濟和杭州信息經濟的發(fā)展。
寧波集成電路產業(yè)起步于“十五”時期,目前已形成以集成電路基礎材料為特色,覆蓋集成電路設計、芯片制造、封裝測試、專業(yè)氣體等上下游產業(yè)的集成電路全產業(yè)鏈體系,培育引進了比亞迪半導體、金瑞弘科技、江豐電子、康強股份等一批國內知名企業(yè),2015年,全行業(yè)產值約為50億元。
寧波市經信委主任陳炳榮說:“寧波把發(fā)展智能經濟作為今后的主攻方向,主攻智能裝備制造、制造終端產品開發(fā)、智能無人系統應用、智能服務四大領域,產業(yè)轉型升級,離不開芯片。中芯寧波主攻特種工藝集成電路芯片,追求性能穩(wěn)定,具有抗高溫、抗干擾、抗輻射等特性,不僅將有效促進寧波集成電路產業(yè)鏈上下游的整合,還有望帶動汽車電子、物聯網、智能家電、可穿戴設備、新一代射頻通訊等領域的快速發(fā)展”。
中芯寧波成立后,將通過對相關知識產權和技術的收購、吸收、提升和發(fā)展,在高壓模擬半導體以及包括射頻與光電特色器件在內的模擬和特色工藝半導體技術領域,開發(fā)、建立新的核心器件及工藝技術平臺。
與中芯寧波一同揭牌的還有寧波芯空間集成電路有限公司和寧波北侖微電子產業(yè)園控股有限公司。寧波芯空間集成電路有限公司是專業(yè)性產業(yè)推進服務平臺,將專注于集成電路產業(yè)鏈的技術公共服務支持、金融投資、產業(yè)管理等業(yè)務,在完善寧波市集成電路產業(yè)培育及環(huán)境建設的基礎上,承擔引資、引企、引智工作。
目前,行業(yè)龍頭落戶的作用已開始顯現,已有多家與集成電路產業(yè)鏈相關的設計、封裝、制造企業(yè)正在與寧波積極對接。而為了進一步推動寧波集成電路產業(yè)的發(fā)展,寧波相關部門也正在起草集成電路產業(yè)專項扶持政策和3年行動計劃。
來源:浙江在線
2016年10月9日下午,中共中央政治局就實施網絡強國戰(zhàn)略進行第三十六次集體學習。中共中央總書記習近平在主持學習時強調,要緊緊牽住核心技術自主創(chuàng)新這個“牛鼻子”,抓緊突破網絡發(fā)展的前沿技術和具有國際競爭力的關鍵核心技術,加快推進國產自主可控替代計劃,構建安全可控的信息技術體系。習近平總書記在網絡安全和信息化工作座談會上指出,核心技術是國之重器,最關鍵最核心的技術要立足自主創(chuàng)新、自立自強?!秶倚畔⒒l(fā)展戰(zhàn)略綱要》也提出,要逐漸改變核心技術受制于人的局面,到2025年,建成國際領先的移動通信網絡,根本改變核心關鍵技術受制于人的局面,實現技術先進、產業(yè)發(fā)達、應用領先、網絡安全堅不可摧的戰(zhàn)略目標。
集成電路產業(yè)作為國民經濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè),是培育戰(zhàn)略性新興產業(yè)、發(fā)展信息經濟的重要支持,關乎國家核心競爭力和國家安全,其在信息技術領域的核心地位十分重要。推動集成電路產業(yè)健康發(fā)展,是應對網絡信息安全挑戰(zhàn)的必然選擇,也是最終實現核心技術自主可控的必由之路。
一我國集成電路產業(yè)面臨的機遇分析
1.技術和模式創(chuàng)新正在引發(fā)新一輪的產業(yè)變革。從技術角度來看,當前全球集成電路產業(yè)正處于技術變革時期。摩爾定律推進速度已大幅放緩,集成電路技術發(fā)展路徑正逐步向多功能融合的趨勢轉變,圍繞新型器件結構的探索正成為集成電路技術創(chuàng)新的主要焦點,物聯網、云計算、大數據等迅速發(fā)展,引發(fā)CPU計算架構發(fā)生變革,由英特爾公司所構筑的X86架構壟斷正逐步被突破。加之我國在計算機、移動通信等領域具有龐大的市場需求基礎,這恰好為我國集成電路產業(yè)追趕國際先進水平創(chuàng)造了難得的機遇。隨著技術和資金等門檻不斷提高,集成電路跨國企業(yè)正醞釀著大規(guī)模兼并重組,為我國企業(yè)在全球范圍內獲取先進技術、優(yōu)秀人才以及市場渠道創(chuàng)造了有利條件。
2.中國市場在全球的引領作用持續(xù)凸顯。根據世界半導體統計組織(WSTS)的數據統計,受PC銷售下降和智能手機增速放緩的影響,2015年全球半導體市場銷售額為3352億美元,同比下降了0.2%。在全球市場整體萎靡的狀態(tài)下,作為全球最大的集成電路應用市場,中國繼續(xù)保持了穩(wěn)健的增長態(tài)勢。根據中國半導體行業(yè)協會數據統計,2014年隨著移動互聯網的爆發(fā)式增長,帶來了我國集成電路市場的新高峰,集成電路市場規(guī)模首次突破1萬億元,同比增長13.4%,這充分顯示出中國半導體市場強健的抗風險能力和旺盛的市場需求。2015年在政策拉動和市場需求的帶動下,我國集成電路市場規(guī)模進一步擴大,達到11024億元,同比增長6.7%,占全球市場份額的51%。
3.國內龍頭企業(yè)的競爭實力不斷壯大。2015年在國家大眾創(chuàng)新、萬眾創(chuàng)業(yè)政策激勵下,眾多的集成電路設計企業(yè)如雨后春筍般涌現,僅去年一年新注冊的集成電路設計企業(yè)就有200多家。從企業(yè)實力角度來看,中國集成電路企業(yè)實力不斷增強。海思半導體已經成長為全球第6大設計企業(yè),紫光收購展訊和銳迪科后,企業(yè)規(guī)??焖賶汛螅蔀槿虻?0大設計企業(yè)。2015年6月,中芯國際、華為、比利時微電子研究中心(IMEC)與高通一同宣布共同投資中芯國際集成電路新技術研發(fā)(上海)有限公司,主要面向下一代14 nm先進工藝制程的研發(fā)。這一系列成果的推出將改變我國在集成電路制造的落后局面,大幅提升產業(yè)制造能力,并將進一步完善中國整體集成電路加工產業(yè)鏈?,F階段良好的產業(yè)發(fā)展基礎為未來實現突破創(chuàng)造了有利條件。
二我國集成電路產業(yè)面臨的挑戰(zhàn)分析
1.部分高端核心芯片產品仍存在缺失。當前,全球主要高端芯片設計、生產和供應企業(yè)集中在美國,比如英特爾、高通等。我國的芯片設計技術和生產工藝與美國相比,尚存在整體差距。雖然我國在低端芯片的研發(fā)和生產已基本具備自給自足能力,但在高端核心芯片(例如:高端服務器CPU、高端路由交換芯片、高速數模轉換芯片等)方面,基本依靠進口。根據國務院發(fā)展研究中心發(fā)布的《二十國集團國家創(chuàng)新競爭力黃皮書》數據顯示,目前我國關鍵核心技術對外依賴度高,80%高端芯片依靠進口。
2.研發(fā)投入的強度和持續(xù)度仍待提升。集成電路是高風險、高投入產業(yè),特別是制造業(yè),資金投入巨大且要求持續(xù)長時間投資,投資壓力極大。根據企業(yè)財報分析,三星、臺積電、Intel每年投資均超過100億美元,而我國集成電路全行業(yè)每年投資僅約50億美元。目前,我國雖然設立了集成電路產業(yè)投資發(fā)展基金和重大科技專項,但是總投資規(guī)模、研發(fā)投入與國外大企業(yè)相比仍然不足。此外,在集成電路前沿和基礎領域投入方面,還應加大投資集中度和投資力度。
3.自主產業(yè)生態(tài)體系亟需進一步完善。當前,集成電路產業(yè)依靠單點技術和單一產品的創(chuàng)新,正在向多技術融合的系統化、集成化創(chuàng)新轉變,產業(yè)鏈整體能力與生態(tài)環(huán)境完善成為決定競爭的主導因素。目前,我國既缺乏類似英特爾、谷歌、IBM等可以高效整合產業(yè)各環(huán)節(jié)的領導型龍頭企業(yè),又缺少與之配套的“專、精、特、新”的中小企業(yè),因此不能形成合理的分工體系,尚未形成國外以大企業(yè)為龍頭、中小企業(yè)為支撐、企業(yè)聯盟為依托的完善的產業(yè)生態(tài)系統。
三堅定不移持續(xù)投資推動集成電路全產業(yè)鏈健康發(fā)展
1.堅持創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略,促進產學研用一體化發(fā)展。一是集聚各方面資源,圍繞產業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈,圍繞創(chuàng)新鏈完善資金鏈,著力培育企業(yè)作為創(chuàng)新主體,實現技術創(chuàng)新、管理創(chuàng)新和商業(yè)模式創(chuàng)新。二是加強高校和研究機構集成電路科研工作與產業(yè)化的銜接與接觸,在實踐中加強產業(yè)界和學術界的合作。建立和完善銜接機制,推動產業(yè)鏈有效對接。三是貫徹落實“中國制造2025”等國家政策,搭建共性技術研發(fā)平臺和生態(tài)系統建設平臺,推動核心技術和關鍵技術的聯合研發(fā)和攻關。
2.加強協同生態(tài)體系建設,推動并完善集成電路生態(tài)鏈。一是堅持產業(yè)鏈建設和生態(tài)鏈建設并舉,圍繞重大市場需求加強產業(yè)鏈上下游整合,打通各環(huán)節(jié)形成協同效應。二是堅持國家重點支持和市場化運作并行,在提升產業(yè)核心競爭力的關鍵領域和保障國家安全的核心瓶頸加大支持,同時以企業(yè)為主體實行市場化運作。三是積極推動和地方的協同發(fā)展,在國家的整體布局和重點推進的基礎上,鼓勵各地依據特色和優(yōu)勢形成差異化發(fā)展。
3.堅持對外開放和共贏發(fā)展思想,加強產業(yè)和資本的有效協作。一是把握集成電路產業(yè)高度國際化特征,進一步優(yōu)化產業(yè)發(fā)展環(huán)境。利用全球市場、技術、資本和人才資源,推進產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)開放式創(chuàng)新,同時加強國際交流與深層次合作,提升在全球產業(yè)格局中的地位和影響力。二是加強產業(yè)資本和金融資本的有效合作,推動國家基金、地方基金和國家開放性政策性金融機構與社會資金的互動,形成合力。三是充分發(fā)揮市場機制的作用,以骨干企業(yè)為依托,推動企業(yè)間的兼并重組和海外并購,加強行業(yè)內的橫向和縱向整合,培養(yǎng)具有國際競爭力的企業(yè)。
4.注重人才培育和智力引進,整合力量推動創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。一是進一步加強國家示范性微電子學院的建設,探索高校、研究機構與企業(yè)形成有效、完善的合作路徑,推動企業(yè)資源與教育資源深度融合,創(chuàng)新人才培養(yǎng)模式。二是完善高端人才引進政策,鼓勵企業(yè)多渠道、多途徑引進海外集成電路領軍人才和優(yōu)秀團隊,創(chuàng)造有利于人才發(fā)展的寬松環(huán)境。三是組織實施“集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)計劃”,結合“大眾創(chuàng)新,萬眾創(chuàng)業(yè)”雙創(chuàng)工作,設立集成電路人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基金,構建集成電路產業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)促進平臺,為集成電路領域營造良好的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)環(huán)境。
(來源:人民網)
根據中國半導體行業(yè)協會統計,2016年1-9月中國集成電路產業(yè)銷售額為2979.9億元,同比增長17.3%。其中,設計業(yè)增長較快,銷售額為1174.7億元,同比增長24.8%;制造業(yè)同比增長16.8%,銷售額707.4億元;封裝測試業(yè)銷售額1097.8億元,同比增長10.5%。
根據海關統計,2016年1-9進口集成電路2471.6億塊,同比增長9.1%;進口金額1615.7億美元,同比下降0.7%。出口集成電路1322.8億塊,同比增長1.4%;出口金額444.7億美元,同比下降5.4%。
來源:中國半導體行業(yè)協會