周 英
(新疆眾和股份有限公司烏魯木齊830013)
電解電容器用低壓腐蝕鋁箔二電解處理的研究
周 英
(新疆眾和股份有限公司烏魯木齊830013)
通過對低壓腐蝕鋁箔腐蝕生產(chǎn)工藝中二電解處理溶液進行研究,優(yōu)化生產(chǎn)工藝條件以提高鋁電解電容器低壓腐蝕鋁箔的比容。
低壓腐蝕鋁箔比容鋁電解電容器低壓電子鋁光箔
我們平時所用的鋁電解電容器用電極箔是經(jīng)過特殊腐蝕、化成工藝生產(chǎn)的電子產(chǎn)品,其生產(chǎn)難度大、技術含量高,其中的腐蝕生產(chǎn)工藝更是生產(chǎn)電極箔的重要環(huán)節(jié),經(jīng)過腐蝕生產(chǎn)工藝生產(chǎn)出來的產(chǎn)品叫腐蝕箔,判斷腐蝕箔好壞的重要電性能指標是比容,因此腐蝕箔比容的提高是提高電極箔性能的重要因素。獲得高比容電解電容器的關鍵技術之一,就是利用特殊的電化學擴面技術在鋁箔表面往縱深方向腐蝕出大量蝕孔以提高比表面積,低壓鋁箔腐蝕過程是一個腐蝕與緩蝕平衡的過程,即保持蝕孔往縱深方向發(fā)展的同時保留蝕孔之間的間隙不受腐蝕,從而在鋁箔表面產(chǎn)生大量的海綿狀的蝕孔。目前,低壓鋁箔腐蝕主要采用鹽酸為主的交流腐蝕工藝。影響比容的因素很多,除鋁箔本身的質(zhì)量外,還有腐蝕液配方、腐蝕電源、腐蝕工藝、化成工藝等。本論文就是通過優(yōu)化腐蝕生產(chǎn)工藝中的二電解液的配方以提高腐蝕箔的比容。
2.1 實驗儀器與試劑
采用自制交流腐蝕電源;自制PVC腐蝕槽;石墨極板(兩平行石墨板間距為5cm);試樣夾板,試樣裸露部分尺寸為9cm×10cm;溫控儀,控制精度為0.1℃;磁力攪拌器;LCR數(shù)字電橋;精密線性直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源;自制小樣化成槽;鋁箔智能檢測系統(tǒng);電導率儀;自制折彎儀;PHS-3C型pH計。
鹽酸、硫酸、硝酸、結晶氯化鋁、氫氧化鈉、草酸等以上試劑均為分析純。
2.2 實驗方案
采用硬質(zhì)低壓電子鋁光箔為原材料,將其經(jīng)過前處理后在含HCl-H2SO4混合酸體系的腐蝕槽中進行初級交流腐蝕(一電解處理)、中間化學處理(中處理)和后級交流腐蝕(二電解處理);腐蝕后的樣片在硝酸水溶液中進行后處理;進行干燥和熱處理,此時硬質(zhì)低壓電子鋁光箔的腐蝕工藝流程結束,經(jīng)過腐蝕后的樣片為低壓腐蝕鋁箔;將低壓腐蝕鋁箔在21V化成后按照JCC方法用LCR數(shù)字電橋測量其比容,見表1。
表1 檢測數(shù)據(jù)對照表
方案1:二電解溶液為HCl-H2SO4-Al水溶液。
方案2:二電解溶液為HCl-H2SO4-Al+5~10gL草酸的水溶液。
方案3:二電解溶液為HCl-H2SO4-Al+15~20g/L草酸水溶液。
方案4:二電解溶液為HCl-H2SO4-Al+25~30g/ L草酸水溶液。
由表1可知,通過往二電解液中添加草酸,可以將鋁電解電容器用低壓腐蝕箔的比容提高。草酸的添加量過低或過高,都不利于腐蝕箔比容的提高,需控制在一定的范圍內(nèi)。
鋁電解電容器用低壓鋁箔的腐蝕生產(chǎn)過程中,其它工藝條件不變的前提下,通過在二電解液中添加草酸,并將其添加量控制在15~20g/L范圍內(nèi),可將鋁電解電容器用低壓腐蝕箔的比容提高。
收稿:2015-01-26
10.16206/j.cnki.65-1136/tg.2015.04.020