張 聰,冉建華*,2,F(xiàn)elix.Y.Telegin,2,孫 莉
(1. 武漢紡織大學(xué) 化學(xué)與化工學(xué)院,湖北 武漢 430073; 2. 伊萬諾沃國立化工大學(xué),俄羅斯 伊萬諾沃 153000)
CuO/BiVO4催化劑制備及其可見光降解亞甲基藍(lán)的研究
張聰1,冉建華*1,2,F(xiàn)elix.Y.Telegin1,2,孫莉1
(1. 武漢紡織大學(xué) 化學(xué)與化工學(xué)院,湖北 武漢 430073; 2. 伊萬諾沃國立化工大學(xué),俄羅斯 伊萬諾沃 153000)
采用水熱法和浸漬法制備復(fù)合催化劑CuO/BiVO4,利用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外—可見吸收光譜(UV—DRS)和熒光光譜(PL)分析表征其物理化學(xué)性質(zhì)。研究復(fù)合催化劑在可見光(λ>420nm)下降解亞甲基藍(lán)的催化活性,結(jié)果表明CuO 摻入量為1.0w t%時(shí),CuO/BiVO4復(fù)合光催化劑有很好的光催化活性且降解率達(dá)到95.36%,并且復(fù)合光催化劑有很好的重復(fù)利用率。
釩酸鉍;氧化銅;光催化;亞甲基藍(lán)
近年來,隨著印染工業(yè)的興起與發(fā)展,印染廢水已成為一類主要的環(huán)境污染源[1]。由于染料種類繁多、成分復(fù)雜,印染廢水已經(jīng)成為環(huán)境治理中比較突出問題。釩酸鉍(BiVO4)作為一種重要的半導(dǎo)體材料,因具有高效、方便以及較好應(yīng)用前景而被廣泛使用于印染廢水的處理[2,3]。
目前,研究者通過化學(xué)沉積法[4]、金屬有機(jī)物分解法[5]、溶膠-凝膠法[6]、高溫固相法[7]、水熱/溶劑熱[8, 9]法等合成技術(shù)制備了不同形態(tài)的BiVO4。但由于 BiVO4光生電子空穴復(fù)合容易,且吸附性能差,在可見光下催化降解染料的活性較低。因此,改性BiVO4降低電子空穴復(fù)合幾率,提高其光催化性能依然備受關(guān)注。許多研究者通過金屬氧化物對BiVO4進(jìn)行改性,提高其的光催化活性。Gao[10]等通過一步水熱法制備了 Cu摻雜BiVO4,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明Cu- BiVO4有很好的光催化能力,尤其是當(dāng)水熱反應(yīng)pH=7時(shí),Cu- BiVO4對苯酚的降解效果最好。劉紅巖[11]等采用檸檬酸絡(luò)合法制備新型可見光響應(yīng)型復(fù)合光催化劑 CuO/BiVO4。CuO的摻雜對復(fù)合光催化劑CuO/BiVO4催化性能有很大的提高。
本文采用水熱法和浸漬法制備復(fù)合催化劑CuO/BiVO4,通過X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外—可見吸收光譜(UV—DRS)和熒光光譜(PL)對其進(jìn)行表征,研究不同CuO摻雜量對催化劑的影響。研究了復(fù)合催化劑CuO/BiVO4在可見光(λ>420nm)下降解亞甲基藍(lán)的催化活性。
1.1實(shí)驗(yàn)原料
Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3、HNO3、NH3·H2O、乙醇、氫氧化鈉、硝酸銅(Cu(NO3)2·3H2O)購買于國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。所有的藥品均為分析純,沒有經(jīng)過進(jìn)一步的處理。
1.2催化劑的制備
光催化劑BiVO4是通過水熱法[8]合成的。稱取5mmol的Bi(NO3)3·5H2O溶于40mL的硝酸溶液,再加入5mmol NH4VO3,在室溫下攪拌30分鐘。用氨水調(diào)節(jié)至pH=7,繼續(xù)攪拌30分鐘。然后將液體轉(zhuǎn)移到聚四氟乙烯的高溫反應(yīng)釜里,放入真空干燥箱中,溫度設(shè)定為130℃,反應(yīng)24小時(shí)。倒掉上層清液,取剩余液體進(jìn)行真空抽濾,用蒸餾水、乙醇分別洗滌2~3次,抽濾。然后放入真空干燥箱80℃干燥4h,得到光催化劑BiVO4。
CuO摻雜BiVO4復(fù)合光催化劑是通過浸漬——煅燒[7]的方法。稱取一定量的硝酸銅(CuNO3)溶于20mL的蒸餾水中,加入0.5g上述所得BiVO4,其中CuO與BiVO4的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為(0.5%、1.0%、2.0%、4.0%),分別記為BiVO4-0.5、BiVO4-1.0、BiVO4-2.0、BiVO4-4.0。水浴加熱80℃,攪拌,直至水蒸發(fā),放入真空干燥箱200℃反應(yīng)6h,得到復(fù)合光催化劑CuO/BiVO4。
1.3催化劑的表征
催化劑的物相分析采用粉末X-射線衍射技術(shù)(荷蘭X'Pert PRO型X-射線衍射儀);樣品的形貌和結(jié)構(gòu)信息使用電子顯微鏡(SEM Phenom(飛納)臺(tái)式掃描電鏡);SPECORD@210 PLUS紫外可見分光光光度計(jì);CEL-HXUV300型氙燈光源; F-320熒光分光光度計(jì)。
1.4光催化性能
光催化性能通過在可見光條件下降解染料亞甲基藍(lán)(MB)進(jìn)行表征。將0.02 g 催化劑加入玻璃反應(yīng)容器,然后加入50 mL 染料溶液,染料亞甲基藍(lán)的初始濃度為10mg/L。在光照之前首先在黑暗條件下攪拌30min,催化劑和染料達(dá)到吸附-脫附平衡后,打開CEL-HXUV300型氙燈光源(過濾紫外光)進(jìn)行光催化反應(yīng)。光照之后每隔一定時(shí)間取樣,經(jīng)離心分離后,取清液用SPECORD@210 PLUS型紫外可見分光光度計(jì)測定溶液中殘留染料吸光度。然后根據(jù)溶液吸光度的變化來計(jì)算染料的降解率。圖1為MB的標(biāo)準(zhǔn)曲線,結(jié)果表明MB在最大吸收波長(664nm)的吸光度與濃度呈線性關(guān)系。那么光催化降解染料可以按下式計(jì)算:
A0光照前中染料溶液的初始吸光度,A光照后t時(shí)刻染料溶液溶液的吸光度;C0光照前染料溶液的初始溶度,C光照后t時(shí)刻染料溶液的溶度。
圖1 亞甲基藍(lán)(MB)標(biāo)準(zhǔn)曲線
圖2 不同CuO含量的CuO/ BiVO4復(fù)合光催化劑的XRD: (a) BiVO4; (b) BiVO4-0.5; (c) BiVO4-1.0; (d) BiVO4-2.0; (e) BiVO4-4.0
2.1XRD分析
圖2為不同CuO摻雜含量的CuO/BiVO4光催化劑的XRD譜。純BiVO4的XRD圖譜(圖1a)與標(biāo)準(zhǔn)卡片JCPDS No:14-0688(晶胞參數(shù)a=0.5195nm,b=0.1701nm,c=0.5092nm)對比,結(jié)果表明純BiVO4樣品為單斜白鎢礦結(jié)構(gòu)。當(dāng)CuO的摻雜量逐漸增大時(shí),復(fù)合光催化劑CuO/BiVO4的晶型保持了原有純BiVO4的單斜白鎢礦結(jié)構(gòu),也就是說摻雜CuO在200℃焙燒后并沒有影響到BiVO4晶型的變化。CuO的復(fù)合僅發(fā)生于BiVO4晶體的表面,并未進(jìn)入晶體點(diǎn)陣。隨著CuO摻雜量的增加,出現(xiàn)了CuO (JCPDS No:80-1917)晶面(110)、(002)、(-112)、(-202)、(020)等的衍射峰,判斷復(fù)合光催化劑存在CuO。
2.2SEM分析
圖3是不同CuO摻雜含量的CuO/BiVO4光催化劑SEM照片。從圖3(a)中可以看出,純BiVO4為片層枝狀結(jié)構(gòu),有少許棒狀結(jié)構(gòu),尺寸較大。與CuO復(fù)合后,摻雜的復(fù)合光催化劑尺寸大小發(fā)生明顯變化。CuO/BiVO4復(fù)合光催化劑(圖3(b、c、d、e))出現(xiàn)了空心的棒狀,片層——枝狀結(jié)構(gòu)尺寸也變小。當(dāng)CuO的摻雜量達(dá)到1.0%時(shí),尺寸結(jié)構(gòu)最小,光催化劑有最大的比表面積,與MB反應(yīng)的活性位點(diǎn)增加,光降解性能最好。當(dāng)CuO的摻雜量達(dá)到4%時(shí)(如圖3 e),CuO/BiVO4復(fù)合光催化劑空心棒狀結(jié)構(gòu)表面有些微小的顆粒,這可能是由于摻雜的反應(yīng)初期,經(jīng)過高溫煅燒生成的CuO在形成晶體時(shí),由于金屬鍵的作用,傾向于形成緊密堆積結(jié)構(gòu),這樣在BiVO4表面形成微小的顆粒。這也進(jìn)一步說明CuO的摻雜沒有進(jìn)入晶體點(diǎn)陣發(fā)生反應(yīng),只是依附在表面形成p-n異質(zhì)結(jié)構(gòu)。圖3(f 是1.0% CuO/BiVO4復(fù)合光催化劑的X射線熒光光譜(EDXXRF)圖,從圖中可以明顯的發(fā)現(xiàn)Bi、V、和Cu元素峰,表明分析樣品中Cu元素已經(jīng)摻雜到催化劑體系中。
圖3 不同CuO含量的CuO /BiVO4復(fù)合光催化劑的SEM:(a) BiVO4; (b) BiVO4-0.5; (c) BiVO4-1.0; (d) BiVO4-2.0; (e) BiVO4-4.0和(f)BiVO4-1.0的EDXXRF
2.3熒光光譜
熒光(PL)光譜可以用來研究金屬氧化物表面活性點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和特性。半導(dǎo)體的PL是由于光產(chǎn)生電子-空穴重組而產(chǎn)生的。光催化劑被光激發(fā)后產(chǎn)生的熒光強(qiáng)度越強(qiáng),說明光生電子與空穴復(fù)合容易,反之則能有效分離。一般來說,光催化劑光生電子和空穴的分離能夠有效地促進(jìn)光催化劑活性的提高。如圖4所示,當(dāng)樣品被激發(fā)以后(激發(fā)波長320 nm),所有樣品在500 nm 左右出現(xiàn)發(fā)射峰,熒光強(qiáng)度的順序:BiVO4> BiVO4-0.5> BiVO4-4.0>BiVO4-2.0>BiVO4-1.0。復(fù)合光催化劑CuO/ BiVO4的峰強(qiáng)度明顯低于純的BiVO4,充分說明了CuO改性BiVO4以后抑制了光產(chǎn)生電子-空穴對復(fù)合,負(fù)載量為1.0wt%時(shí)效果最為明顯。當(dāng)CuO摻雜量從0增加到1.0%時(shí),CuO作為電子的有效受體,可捕獲光生電子,促進(jìn)電子和空穴的分離,熒光強(qiáng)度降低;而繼續(xù)增大CuO的摻雜量,光催化劑的熒光峰強(qiáng)度反而升高,這可能是由于CuO與BiVO4復(fù)合形成p-n的異質(zhì)結(jié)構(gòu),CuO含量增大時(shí),電子與空穴復(fù)合的通道增多,導(dǎo)致光電子——空穴復(fù)合幾率增大,熒光峰強(qiáng)度增大,光催化性能降低。
圖4 不同CuO摻雜含量CuO/BiVO4的熒光光譜:(a) BiVO4; (b) BiVO4-0.5; (c) BiVO4-1.0; (d) BiVO4-2.0; (e) BiVO4-4.0
2.4UV-Vis分析
圖5(a)顯示了不同CuO摻雜含量的CuO/BiVO4光催化劑的UV-Vis漫反射譜。它反映了催化劑對紫外和可見光吸收能力。從圖5(a)中可以看出純BiVO4和CuO/BiVO4光催化劑在紫外區(qū)都有很大的吸收,而可見光范圍也有一定的吸收。但在可見光550nm——800nm的范圍,BiVO4-0.5光催化劑對光的吸收大于純BiVO4;同樣BiVO4-1.0在可見光范圍為680nm——800nm也是大于純BiVO4。這表明在可見光下,CuO/BiVO4提高了對可見光的吸收,從而增強(qiáng)可見光的催化活性。
CuO/BiVO4對光的吸收是一個(gè)直接躍遷的過程,其在邊帶附近的吸收符合以下公式[12]:
式中,A為吸光度,h為普朗克常數(shù),v為光的頻率,A0為常數(shù),Eg為禁止帶寬度。
通過K-M公式我們計(jì)算了CuO摻雜含量Cu/BiVO4光催化劑的禁帶能級(圖5b)。從圖中我們可以看出純BiVO4、BiVO4-0.5、BiVO4-1.0光催化劑禁帶能級都為2.48eV。禁帶能級反映了價(jià)電子被束縛強(qiáng)弱程度。禁帶能級越小說明樣品給電子能力強(qiáng),其還原性越強(qiáng),光降解能力也越強(qiáng)。結(jié)果表明CuO的摻雜并沒有較大的改變其禁帶能級。
圖5 不同CuO摻雜含量CuO/BiVO4 UV-Vis漫反射譜:(a) BiVO4; (b) BiVO4-0.5; (c) BiVO4-1.0
2.5催化性能
圖6顯示了不同CuO摻雜含量Cu/ BiVO4復(fù)合光催化劑對亞甲基藍(lán)的降解過程。從圖中我們發(fā)現(xiàn)不同CuO摻雜量的Cu/BiVO4樣品對亞甲基藍(lán)的降解效果有很大的差異。圖中可以看出,在可見光條件下照射70min,純BiVO4對亞甲基藍(lán)的降解率為74.92%;而BiVO4-0.5、BiVO4-1.0、BiVO4-2.0、BiVO4-4.0復(fù)合光催化劑對亞甲基藍(lán)的降解率分別為90.38%、95.36%、94.55%、93.93%。當(dāng)摻雜CuO之后,CuO/BiVO4復(fù)合光催化劑的催化活性明顯提高。并且隨著CuO摻雜的量的增加,而降解率是先增后降的趨勢,說明CuO在整個(gè)復(fù)合光催化劑中的含量存在最佳范圍,且在可見光光照射下,CuO含量的最佳含量為1.0wt%。在金屬離子摻雜的半導(dǎo)體光催化劑中,雜質(zhì)金屬離子作為電子的有效受體,可捕獲從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶的光生電子,促進(jìn)BiVO4微粒光生電子與空穴的有效分離,提高BiVO4的光催化活性。
圖6 不同CuO摻雜量CuO/BiVO4光催化劑降解亞甲基藍(lán):(a) BiVO4; (b) BiVO4-0.5; (c) BiVO4-1.0; (d) BiVO4-2.0; (e) BiVO4-4.0
圖7為純BiVO4和BiVO4-1.0光催化劑作用下在可見光照射下MB紫外吸收光譜隨反應(yīng)時(shí)間變化譜圖。從圖7(a)中可以看出, 在純BiVO4催化劑的作用下, 隨著光照時(shí)間的增加,溶液中亞甲基藍(lán)的褪色較為緩慢,亞甲基藍(lán)的最大吸收波長發(fā)生略微偏移。圖7(b)中可以看出,在BiVO4-1.0復(fù)合光催化劑作用下,MB的吸光率隨時(shí)間變化非常明顯,最大吸收波長呈現(xiàn)出藍(lán)移現(xiàn)象,最大吸收峰的降低說明染料濃度在逐漸減小,而含烷基發(fā)色基團(tuán)染料在光催化的過程中會(huì)發(fā)生脫甲基作用,導(dǎo)致染料逐漸被降解。
圖8為BiVO4-1.0光催化劑作用下在可見光照射下對MB降解的循環(huán)利用率。從圖中可以看出,重復(fù)使用5次,降解率都保持在90%以上。說明通過CuO摻雜復(fù)合制備的CuO/BiVO4光催化劑具有可重復(fù)利用性。
圖7 可見光照射下,在純BiVO4和BiVO4-1.0作用下MB降解反應(yīng)紫外光譜
圖8 在可見光下,BiVO4-1.0對MB染料降解的循環(huán)次數(shù)
采用水熱法合成了BiVO4光催化劑,然后通過浸漬——煅燒方法制備CuO/BiVO4復(fù)合光催化劑。不同CuO摻入量并沒有改變BiVO4的晶型結(jié)構(gòu)。UV-Vis 結(jié)果表明CuO的摻雜并沒有改變半導(dǎo)體禁帶能級,只是提高了光催化劑對可見光的吸收。PL研究表明CuO的摻雜有效的抑制了光生電子與空穴的復(fù)合。CuO 摻雜BiVO4對亞甲基藍(lán)染料的光降解性能受到CuO摻入量的影響。CuO摻入量為1.0wt%的BiVO4具有最好的光催化效果,可見光照射40 min亞甲基藍(lán)的降解率為95.36%以上,比純BiVO4的降解率提高了20.44%。這是由于CuO的摻雜導(dǎo)致了光催化劑的尺寸變小,表面積增大;同時(shí)CuO與BiVO4形成了p-n異質(zhì)結(jié)構(gòu),抑制了光催化劑光生電子和空穴的復(fù)合, 從而提高了復(fù)合催化劑的光催化活性。
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Study on CuO/BiVO4Catalyst Preparation and the Degradation of Methylene Blue by Visible Light
ZHANG Cong1, RAN Jian-hua1,2, Felix.Y.Telegin1,2, SUN Li1
(1. School of Chemistry &Chemical Engineering, Wuhan Textile University, Wuhan Hubei 430073, China;2. Ivanovo State University of Chemistry and Technology, Ivanovo 153000, Russia)
CuO/BiVO4coupled semiconductor was prepared by hydrothermal method and impregnation method. The materials were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), UV-vis diffuse reflectance spectra techniques (UV—DRS)and fluorescence spectra (PL). The photocatalytic performance of CuO/BiVO4was measured by the photo-degradation of Methylene Blue under visible-light irradiation (λ>420nm). It turned out that the optimized adding amount of CuO/BiVO4composite photocatalyst is 1.0wt%,which has very good photocatalytic activity,the photodegradation rate is 95.36% in 40min. And the photocatalyst has good repetition and utilization.
bismuth vanadate; copper oxide; photocatalysis; methylene blue
O643.26
A
2095-414X(2015)06-0039-06
冉建華(1985-),女,實(shí)驗(yàn)師,雙碩士,研究方向:染料的降解.