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        霍爾元件研究及發(fā)展方向

        2015-08-22 03:38:18時(shí)圣利高保生柴玉強(qiáng)
        科技視界 2015年5期
        關(guān)鍵詞:電勢(shì)霍爾極性

        時(shí)圣利 高保生 柴玉強(qiáng)

        (1.山東航天電子技術(shù)研究所,山東 煙臺(tái) 264000;2.中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)〈煙臺(tái)〉理工學(xué)院,山東 煙臺(tái) 264000)

        0 引言

        傳感器技術(shù)作為現(xiàn)代信息社會(huì)的三大支柱技術(shù)之一,被廣泛地應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域,霍爾傳感器就是其中應(yīng)用非常廣泛的一類(lèi),它是一種基于霍爾效應(yīng)的磁敏傳感器,它不僅用于測(cè)量電壓、電流、功率和磁感應(yīng)強(qiáng)度等電磁參數(shù),在非電量測(cè)量技術(shù)中還廣泛應(yīng)用于測(cè)量力、力矩、壓力、應(yīng)力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、轉(zhuǎn)數(shù)、轉(zhuǎn)速等非電量參數(shù)。由于霍爾傳感器的核心器件是霍爾元件,所以對(duì)霍爾元件的研究有重要意義。

        1 霍爾元件的研究

        1.1 霍爾元件的制作材料

        早期的霍爾元件通常使用的材料有InSb,InAs,GaAs,Ge等,表1給出這些半導(dǎo)體材料的基本特性。1nSb材料電子遷移率高,其霍爾元件具有很高的靈敏度。然而,1nSb材料的禁帶寬度小,易于本征激發(fā),因此它的溫度穩(wěn)定性差,無(wú)法在高溫環(huán)境下使用;GaAs是另一種使用廣泛的霍爾元件材料,它的靈敏度比1nSb低很多,但是溫度特性好,能在較寬的溫度范圍內(nèi)工作,同時(shí)磁場(chǎng)線性度也是最好的。

        表1 制作霍爾元件半導(dǎo)體材料性能

        1.2 霍爾元件失調(diào)電壓的產(chǎn)生及抑制

        1.2.1 霍爾元件失調(diào)電壓的產(chǎn)生

        圖1 文氏橋等效電路

        在直流狀態(tài)下,霍爾元件可以看作是一個(gè)由分布電阻構(gòu)成的文氏橋,如圖1所示,當(dāng)在H1端接電源VCC,H3端接地,理想情況時(shí),Rl=R2=R3=R4=R,H2、H4端對(duì)地的直流電位為VCC/2,兩端之間的電勢(shì)差為零。當(dāng)有磁場(chǎng)作用于霍爾元件時(shí),就會(huì)在H2和H4的兩端產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì),感應(yīng)電勢(shì)的極性是由磁場(chǎng)方向和電流方向共同決定,這個(gè)感應(yīng)電勢(shì)經(jīng)過(guò)放大、控制處理后就可以去驅(qū)動(dòng)輸出電路。

        實(shí)際的霍爾元件由于材料的各向異性、雜質(zhì)分布的不均勻、幾何結(jié)構(gòu)的非對(duì)稱(chēng)以及壓阻效應(yīng)等的影響,在有電流流過(guò)時(shí),即使沒(méi)有外加磁場(chǎng),其輸出電勢(shì)差也不為零,這個(gè)電勢(shì)差就是霍爾元件的失調(diào)電壓VOS。

        霍爾元件失調(diào)電壓的產(chǎn)生主要包括兩個(gè)方面,一個(gè)是工藝的原因,包括材料的各向異性、雜質(zhì)擴(kuò)散的不均勻、幾何結(jié)構(gòu)的非對(duì)稱(chēng)等。另一個(gè)原因是外界機(jī)械壓力通過(guò)壓阻效應(yīng)引起的,通常是在封裝時(shí)造成的。

        1.2.2 霍爾元件失調(diào)電壓的抑制

        本文研究的抑制失調(diào)電壓的方法為正交電流法,正交電流法就是在一個(gè)霍爾元件上,交替地改變輸入電流的通路,使輸出感應(yīng)電壓周期性地分別從兩對(duì)正交的端口輸出,利用感應(yīng)電壓和失調(diào)電壓極性的不同變化,實(shí)現(xiàn)對(duì)失調(diào)電壓和霍爾電勢(shì)的分離。只需一個(gè)霍爾元件,即可實(shí)現(xiàn)對(duì)磁場(chǎng)信號(hào)的檢測(cè)和對(duì)失調(diào)電壓與感應(yīng)電壓的分離,在信號(hào)檢測(cè)電路之后采用一個(gè)斬波穩(wěn)定放大器實(shí)現(xiàn)對(duì)霍爾元件失調(diào)電壓的抑制,同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)有效信號(hào)霍爾電勢(shì)的放大,此外這種斬波穩(wěn)定放大電路不但可以對(duì)自身失調(diào)電壓實(shí)現(xiàn)抑制而且具有非常高的輸入阻抗。

        圖2 正交電流法

        在時(shí)鐘正半周,如圖2(a)所示,分別把霍爾元件的Hl、H3端接入電源和地,電流由Hl流向H3,在如圖所示的磁場(chǎng)作用下將產(chǎn)生如圖所示極性的感應(yīng)電壓;在時(shí)鐘的負(fù)半周,如圖2(b)所示,霍爾元件的H2、H4端分別被接入到電源和地,電流由H2流向H4,在如圖所示的磁場(chǎng)作用下將產(chǎn)生如圖所示極性的感應(yīng)電壓。假設(shè)在同一時(shí)鐘的高、低電平時(shí)分別把Hl和H2連接至后級(jí)差分放大器的同一個(gè)輸入端,而H3和H4則連接至差分放大器的另一個(gè)輸入端,則在同一時(shí)鐘信號(hào)的高、低電平時(shí),接入到差分放大器的霍爾感應(yīng)電勢(shì)的極性是相反的,而失調(diào)電壓的極性則總是相同的,這可以通過(guò)以下的假定來(lái)說(shuō)明。假定此時(shí)的失調(diào)電壓是由于某種原因(如壓阻效應(yīng))導(dǎo)致Hl、H2端之間的等效電阻變大,由于Rl=R3=R4=R,R2>R,則圖2(a)所示電路的失調(diào)電壓VH2H4也為(R/(R+R2)-1/2)·VCC,其極性與此時(shí)的感應(yīng)電壓的極性相同;圖2(b)所示電路的失調(diào)電壓VH1H3也為(R/(R+R2)-1/2)·VCC,其極性與此時(shí)的感應(yīng)電壓的極性相反,即在同一個(gè)時(shí)鐘的高、低電平時(shí),霍爾元件的失調(diào)電壓的極性保持不變。改變霍爾元件的電流方向或改變接入到后級(jí)差分放大器的連接方式,就可得到不同極性組合的霍爾電壓和失調(diào)電壓,但在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),都是一個(gè)半周為霍爾電壓和失調(diào)電壓的和,另一個(gè)半周為它們的差,因此,要得到霍爾電壓、抑制失調(diào)電壓就可以根據(jù)失調(diào)電壓在這兩個(gè)半周內(nèi)的極性分別采用相加或相減的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在失調(diào)電壓極性不變時(shí),采用相減的方法,在失調(diào)電壓相反時(shí)采用相加的方法。經(jīng)仿真證明具有很好的效果。

        2 霍爾元件應(yīng)用及發(fā)展方向

        霍爾傳感器不僅用于測(cè)量電壓、電流、功率和磁感應(yīng)強(qiáng)度等電磁參數(shù),還廣泛應(yīng)用于測(cè)量直線位移、角位移、轉(zhuǎn)速和壓力等非電量參數(shù)。隨著該技術(shù)的推廣,其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒃絹?lái)越廣,已被廣泛的應(yīng)用在航天、航空、機(jī)械、能源、石油、化工、醫(yī)療、汽車(chē)、公安防范、儀器儀表、辦公自動(dòng)化、交通運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域,在各種信息采集和處理中都起到了極其重要的作用。

        隨著霍爾傳感器的廣泛應(yīng)用,作為霍爾傳感器的核心器件—霍爾元件必將大有作為,其主要發(fā)展方向:一是加強(qiáng)開(kāi)展基礎(chǔ)研究,重點(diǎn)研究新材料和新工藝;二是朝著微型化、集成化方向發(fā)展;三是朝著實(shí)現(xiàn)高靈敏度、高精度、高穩(wěn)定性、低溫漂、微功耗、智能化和多功能化方向發(fā)展。

        [1]高橋清,莊慶德.展望21世紀(jì)新技術(shù)革命中的傳感器[J].傳感器技術(shù),2001(01):1-3.

        [2]涂有瑞.半導(dǎo)體磁場(chǎng)傳感器的過(guò)去和未來(lái)[J].傳感器世界,2003(07):1-10.

        [3]Alan Hastings.The Art of Analog Layout[M].清華大學(xué)出版社,2004:227-230.

        [4]白韶紅.集成霍爾傳感器的發(fā)展[J].自動(dòng)化儀表,2003(03):l-9.

        [5]薛同蓮.CMOS霍爾傳感器的設(shè)計(jì)與參數(shù)優(yōu)化[D].上海大學(xué),2007,1:8-12.

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