美國開發(fā)出不依賴半導體的微電子器件

美國加州大學圣地亞哥分校的研究人員基于納米結構開發(fā)出一款不依賴半導體傳導的光控微電子器件，其在低電壓和低功率激光激發(fā)條件下的電導率比現(xiàn)有半導體器件提高近10倍。

據(jù)介紹，傳統(tǒng)的半導體器件受材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導體材料通常需要通過高電壓、大功率激光或高溫進行激發(fā)。研究人員在硅片上用金加工出一種類似于蘑菇形狀的納米結構，在10V以下直流電壓和低功率紅外激光激發(fā)下，即可釋放自由電子，從而大幅提高了器件的電導率。

該光控微電子器件雖然不可能完全替代半導體器件，但可能在特殊需求下得到最佳應用，如超高頻器件或大功率器件等。未來，研究人員或將能夠采用不同的超材料表面結構制造出不同類型的微電子器件，并將其應用于光化學、光催化、光伏轉化等領域。

(新 華)