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        基于壓電效應(yīng)的傳感器自供電徐詩友

        2015-07-21 09:32:48潘典旺劉政昊黃念
        物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 2015年7期
        關(guān)鍵詞:壓電效應(yīng)低功耗傳感器

        潘典旺+劉政昊+黃念

        摘 要:針對傳統(tǒng)傳感器模塊在復(fù)雜環(huán)境中電池適應(yīng)性差、維護困難的弊端。給出了基于壓電效應(yīng)的傳感器自供電方案,該方案采用壓電能量收集器、倍壓整流電路、MAX4685芯片為核心的開關(guān)電路以及LTC1540芯片為核心的電壓管理電路,將收集到的能量給傳感器等低功耗電子器件供電。實驗表明,收集到的能量可以支持低功耗的傳感器正常工作。

        關(guān)鍵詞:壓電效應(yīng);傳感器;自供電;低功耗

        中圖分類號:TN911 文獻標(biāo)識碼:A 文章編號:2095-1302(2015)07-00-02

        0 引 言

        隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,傳感器節(jié)點供電問題變得尤為突出,由于傳感器節(jié)點分布廣泛,常常分散在惡劣的野外環(huán)境中,布線或更換電池成本過高[1]。因此,能量收集技術(shù)成為了國內(nèi)外研究的重點。能量收集技術(shù)就是吸收環(huán)境中所未能利用的能源,將其轉(zhuǎn)換成人們可以使用的電能,以達(dá)到能源的回收,如,太陽能、風(fēng)能、振動能等。其中,振動能在生活中非常普遍,將振動能轉(zhuǎn)換為電能的方式一般有電磁式、壓電式和靜電式三種[2]。與其他方式相比,壓電式能量收集器具有機電轉(zhuǎn)換效率高、輸出電壓高、體積小、結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點,獲得了廣泛的關(guān)注[3]。壓電能量收集技術(shù)就是將環(huán)境中的振動能轉(zhuǎn)換為可利用的電能,從而為低功耗的電子器件供電。

        本文提出了一種基于壓電能量收集技術(shù)的傳感器自供電方案。利用壓電能量收集器、倍壓整流電路、MAX4685芯片為核心的開關(guān)電路以及LTC1540芯片為核心的電壓管理電路,將收集到的能量給傳感器等低功耗電子器件供電。本文就是研究壓電能量收集器在諧振狀態(tài)下,壓電能量收集器的輸出電壓、電流和輸出功率。

        1 壓電能量收集器及其工作原理

        壓電效應(yīng)是指大部分無對稱中心的晶體,在機械應(yīng)力的作用下呈比例地產(chǎn)生電荷或在外電場的作用下呈比例地產(chǎn)生幾何變形,反映了晶體的彈性性能與介電性能之間的耦合,可分為正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)。壓電能量收集器利用的是壓電材料的正壓電效應(yīng),把環(huán)境中振動能轉(zhuǎn)換為可利用的電能,從而為電子器件供能[4]。

        懸臂梁式能量收集器結(jié)構(gòu)是常見的振動能量收集器結(jié)構(gòu)[5],圖 1所示為一種典型的壓電雙晶懸臂梁式能量收集器,懸臂梁中間是金屬層,在金屬層上下表面都貼有壓電陶瓷。一端固定于基座中,另一端為自由端,自由端上附有一個質(zhì)量塊。當(dāng)它受到振動源作用上下振動時,梁的自由端在慣性的作用下也將上下運動,懸臂梁將發(fā)生彎曲變形,壓電陶瓷產(chǎn)生橫向應(yīng)力,將在壓電陶瓷層產(chǎn)生電荷,從而將機械振動能轉(zhuǎn)換為電能[6]。

        圖1 能量收集器的結(jié)構(gòu)圖

        本文中的壓電能量收集器采用圖1所示的懸臂梁式結(jié)構(gòu),其中,壓電雙晶片采用PZT壓電陶瓷,金屬彈性層采用黃銅材料。

        2 能量收集電路的設(shè)計

        能量收集電路就是將壓電能量收集器產(chǎn)生的電能進行整流、DC-DC變換、輸出控制,然后將變換后的電能給傳感器供電[7]。傳統(tǒng)的能量收集電路是采用ESSH和SSDV技術(shù)[8,9],這些電路需要電子原件過多,電路自身消耗的能量大,導(dǎo)致能量收集的效率較低。為了提高能量收集的效率,本文設(shè)計了以MAX4685芯片為核心的開關(guān)電路以及LTC1540芯片為核心的電壓管理電路,可將收集到的能量給傳感器等低功耗電子器件供電。系統(tǒng)框圖如圖2所示。

        圖2 系統(tǒng)框圖

        2.1 倍壓整流電路

        當(dāng)?shù)皖l振動時,壓電能量收集器產(chǎn)生電壓較小,且芯片工作電壓需要大于1.8 V,故本文設(shè)計了二倍壓電路,將壓電能量收集器產(chǎn)生的電壓進行升壓。在開始的幾個周期內(nèi)電壓并不能真正充至2U,經(jīng)過幾個周期之后的累積,電壓可以近似達(dá)到2U,從而在負(fù)載兩端得到近似于2倍的電壓[10]。

        2.2 開關(guān)電路

        MAX4685是美國美信半導(dǎo)體公司推出的一款低阻值、低電壓、低功耗的模擬開關(guān)芯片。該芯片內(nèi)部集成了兩個開關(guān)模塊,可以控制開關(guān)的導(dǎo)通和斷開。MAX4685的輸入電壓最低是1.8 V,阻值0.8 Ω,靜態(tài)工作電流最大是50 nA??赏ㄟ^控制內(nèi)部開關(guān)的通斷來實現(xiàn)對電壓的控制。

        開關(guān)電路如圖3所示。

        圖3 開關(guān)電路

        2.3 電壓管理電路

        LTC1540是美國凌力爾特公司推出的新型微功率芯片,能夠?qū)崿F(xiàn)電壓的基準(zhǔn)比較輸出。輸入電壓2 V~11 V,可以輸出1 V~5 V范圍內(nèi)穩(wěn)定的直流電。靜態(tài)電流可以低至0.3uA,適用于低功耗的設(shè)計要求。本設(shè)計用該芯片來管理電壓的輸出,電壓管理電路如圖4所示。

        圖4 電壓管理電路

        3 實驗結(jié)果與分析

        壓電能量收集器將機械振動能量轉(zhuǎn)化為電能,當(dāng)壓電器件固有頻率和激勵信號的頻率一致時,能量收集器的輸出功率最大[11]。通過實際測試,測得收集器的開路電壓與激勵頻率的關(guān)系如圖5所示。用于實驗壓電晶片的中間層長為80mm,寬為30 mm,厚為0.2 mm;壓電層長為60 mm,寬為30 mm,厚為0.2 mm。

        圖5 能量收集器開路電壓與激勵頻率的關(guān)系

        由圖5可知,當(dāng)外部激勵信號約為12 Hz時,能量收集器輸出的電壓最大。因此,選擇激振器的驅(qū)動信號為12 Hz的簡諧正弦信號來進行實驗。測試的能量收集電路的原理圖如圖6所示。

        圖6 能量收集電路的原理圖

        在實際測試中,是一個基于觸摸檢測IC(TTP223B)的電容式點動型觸摸開關(guān)模塊。常態(tài)下,模塊輸出低電平,模式為低功耗模式。當(dāng)用手指觸摸相應(yīng)位置時,模塊會輸出高電平,模式切換為快速模式;當(dāng)持續(xù)12秒沒有觸摸時,模式又切換為低功耗模式,模塊供電電源可為DC2~5.5 V,其正常工作的功率范圍是0.4 mW~20 mW。

        經(jīng)過一段時間的振動后,調(diào)節(jié)電路輸出的電壓為2.5 V,用手指觸摸傳感器相應(yīng)的位置時,模塊上的LED指示燈會亮,說明傳感器正常工作,此時模塊輸入端的電流是0.94 mA,功率為2.35 mW。實現(xiàn)了通過收集環(huán)境中的振動能量來給低功耗的傳感器供電。

        4 結(jié) 語

        本文提出的基于壓電效應(yīng)的傳感器自供電設(shè)計方案,所設(shè)計的能量收集電路在壓電能量收集器處于諧振狀態(tài)下,輸出功率可達(dá)到2.35 mW。實驗結(jié)果表明, 與傳統(tǒng)的能量收集電路相比, 本文設(shè)計的能量收集電路,降低了電路的功耗,提高了帶負(fù)載能力,可實現(xiàn)傳感器的自供電,具有廣泛的應(yīng)用前景。

        參考文獻

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        [2]劉祥建,陳仁文.壓電振動能量收集裝置研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J].振動與沖擊,2012,31(16):169-176.

        [3]王青萍,王騏,姜勝林.壓電能量收集器的研究現(xiàn)狀[J].電子元件與材料,2012,31(2):72-76.

        [4]費曉強,張克軍,崔雷濤,等.智能手機和可穿戴設(shè)備能量收集技術(shù)[J].電子元件與材料,2015(2):79-81.

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        [6]王忠民,張延波,郭林鑫,等.振動能量收集電源電路設(shè)計[J].微型機與應(yīng)用,2015,34(5):24-25,29.

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        [9]沈輝.基于壓電材料的振動能量回收電路及其應(yīng)用研究[D].南京:南京航空航天大學(xué),2010.

        [10]李蜀川,楊忠孝,成友才.倍壓整流電路的計算[J].川北教育學(xué)院學(xué)報,2002,12(1):51-54.

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