王振興，艾 軍＊，陳 麗，范書田，何 偉，秦紅艷，趙 瀅

（1 中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院特產(chǎn)研究所，長春130112；2 吉林農(nóng)業(yè)大學(xué) 園藝學(xué)院，長春130112）

軟棗獼猴桃［Actinidiaarguta（Sieb．et Zucc．）Planch．ex Miq．］為多年生落葉木質(zhì)藤本果樹，主產(chǎn)于中國東北地區(qū)，是珍貴的抗寒果樹資源；其果實富含多種營養(yǎng)成分，Vc含量最高可達430 mg／100g，品質(zhì)風(fēng)味獨特，除鮮食外還適于加工果酒、果汁、果醬等，是一種發(fā)展前景廣的新興果樹［1］。軟棗獼猴桃的原生境多為半陰生環(huán)境，空氣濕潤，溫度變化緩和，而在人工栽培條件下由于陽光直射，常使葉片溫度過高，造成葉片傷害，影響植株的生長和正常開花結(jié)果。研究軟棗獼猴桃葉片光系統(tǒng)活性對不同溫度的響應(yīng)，對于揭示軟棗獼猴桃葉片對溫度條件的適應(yīng)特性，完善栽培措施等具有重要意義。

近年來，葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線分析技術(shù)（JIP test）已成為研究光合作用特別是原初光化學(xué)反應(yīng)的最有力工具之一［2－5］，它以豐富的信息來反映光系統(tǒng)Ⅱ（PSⅡ）的原初光化學(xué)反應(yīng)和光合機構(gòu)狀態(tài)的變化。源于JIP test的參數(shù)對環(huán)境脅迫尤其是高溫脅迫非常敏感［6－8］，植物在高溫環(huán)境中常常表現(xiàn)為光合作用效率下降，光合電子傳遞受阻。嚴(yán)重高溫脅迫還會對放氧復(fù)合體、光系統(tǒng)Ⅱ供體側(cè)和受體側(cè)造成傷害，尤其是對放氧復(fù)合體的傷害更為嚴(yán)重，導(dǎo)致葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線K 點熒光顯著增加［9］。本試驗采用葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線分析方法，研究不同高溫處理對軟棗獼猴桃葉片PSⅡ活性的影響，通過比較Fv／Fm和源于O－J－I－P的其它參數(shù)對高溫脅迫的敏感性，揭示高溫對PSⅡ反應(yīng)中心以及電子傳遞鏈不同位點的傷害，分析高溫脅迫引起軟棗獼猴桃光合速率及產(chǎn)量下降的原因，為選育耐高溫品種及擴大其種植區(qū)域提供理論依據(jù)。

1 材料和方法

1．1 材 料

試驗于2010年7月在中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院特產(chǎn)研究所軟棗獼猴桃資源圃中進行，選擇‘魁綠’品種中生長勢、株高和樹齡等相同的植株3株，每株選取大小、生長狀況一致的向陽功能葉片為試驗測定材料。

1．2 高溫脅迫處理及快速熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線的測定

1．2．1 熱脅迫溫度梯度試驗 根據(jù)軟棗獼猴桃葉片特性，在王梅等［10］方法基礎(chǔ)上稍作改進。用打孔器在功能葉片上取直徑10 mm 的葉圓片，3 片1組，共5組，置于鋪有濕潤濾紙的小塑料袋中，分別在35、40、44、48和52℃的恒溫水浴中、黑暗條件下熱脅迫5 min。熱脅迫后立即利用英國Hansatech公司生產(chǎn)的植物分析儀Pocket－PEA 進行快速熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線的測定。

1．2．2 熱脅迫時間梯度試驗 將軟棗獼猴桃葉圓片分別置入44和48℃的恒溫水浴中黑暗條件下熱脅迫3、7和10min，熱脅迫后立即利用Pocket－PEA進行快速熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線的測定。

1．2．3 熱脅迫后恢復(fù)試驗 將5組軟棗獼猴桃葉圓片分別置入35、40、44、48和52℃的恒溫水浴中、黑暗條件下熱脅迫5min，熱脅迫后在室內(nèi)26℃、黑暗條件下、水浴中恢復(fù)1h。此外，將另外6組軟棗獼猴桃葉圓片分別置入44和48℃的恒溫水浴中黑暗條件下熱脅迫3、7和10min，熱脅迫后在室內(nèi)26℃、黑暗條件下、水浴中恢復(fù)1h。利用Pocket－PEA進行快速熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線的測定。

1．3 JIP－test分析

根據(jù)Strasser等［3－4］的JIP－test，對獲得的OJIP熒光誘導(dǎo)動力學(xué)曲線進行分析。主要得到以下參數(shù)：最大光化學(xué)效率（Fv／Fm）＝（Fm－F0）／Fm；K、J、I點的相對可變熒光：Vk＝（FK－F0）／（FM－F0），VJ＝（FJ－F0）／（FM－F0），VI＝（FI－F0）／（FM－F0）；葉片捕獲的激子將電子傳遞到電子傳遞鏈中QA－下游電子受體的概率：ψ0＝（1－VJ）；單位面積有活性的反應(yīng)中心的數(shù)目：RC／CS＝φPo·（VJ／Mo）·（ABS／CS）；單位反應(yīng)中心吸收：ABS／RC＝Mo（1／VJ）（1／φPo）；捕獲的能量：TR0／RC＝M0·（1／VJ），用于電子傳遞的能量：ET0／RC＝M0·（1／VJ）·ψ0，熱 耗 散 的 能 量：DI0／RC＝（ABS／RC）－（TR0／RC）；以吸收光能為基礎(chǔ)的光化學(xué)性能指數(shù)：PIABS＝（RC／ABS）［φPo／（1－φPo）］［ψo／（1－ψo）］。

1．4 數(shù)據(jù)分析

測定的數(shù)據(jù)采用Microsoft Excel 2003和SAS 6．0進行數(shù)據(jù)處理和統(tǒng)計分析。

2 結(jié)果與分析

2．1 熱脅迫對軟棗獼猴桃葉片最大光化學(xué)效率的影響

圖1顯示，軟棗獼猴桃葉片最大光化學(xué)效率（Fv／Fm）隨溫度升高而逐漸降低。其中，F(xiàn)v／Fm在35℃～48℃范圍內(nèi)隨溫度增加的變化不顯著，較35℃時降低0．5%～12．5%；當(dāng)溫度升高到52℃時開始顯著大幅度降低，較35℃時降低68．6%。

2．2 熱脅迫對快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線及其參數(shù)的影響

從相對可變熒光Vt誘導(dǎo)動力學(xué)曲線（圖2，A、B）可以看出，高溫脅迫顯著增加了軟棗獼猴桃葉片葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線中的J相和I相的相對可變熒光Vi和Vj。通過比較相對可變熒光Vt的差值ΔVt發(fā)現(xiàn)，高溫脅迫后，如果不經(jīng)過常溫水浴恢復(fù)立即暗適應(yīng)測定快速葉綠素?zé)晒庹T導(dǎo)動力學(xué)曲線，則可以觀察到K 點出現(xiàn)（圖2，D），但如果經(jīng)常溫水浴恢復(fù)后，僅在52℃高溫脅迫下觀察到J點，K點沒有明顯增加（圖2，C）。以上結(jié)果說明高溫脅迫后，放氧復(fù)合體在脅迫的一定范圍內(nèi)可以得以恢復(fù)。

圖1 黑暗條件下熱脅迫溫度對軟棗獼猴桃葉片PSⅡ最大光化學(xué)效率的影響Fig．1 Effects of different temperatures on the maximal efficiency of Fv／Fmin leaves of A．a(chǎn)rgutain the dark

圖3，A 所示，軟棗獼猴桃葉片在j點和i點的相對可變熒光Vj和Vi隨著脅迫溫度升高而顯著降低，48℃時降到最低，但在52℃時又顯著升高；在高溫脅迫下Vj和Vi隨處理時間的延長而呈逐漸升高的趨勢（圖3，B）。圖3，C顯示，隨著溫度的升高，軟棗獼猴桃葉片相對可變熒光在300μs的值即Vk逐漸上升，在52℃時有顯著的升高；而以吸收光能為基礎(chǔ)的性能指數(shù)（PIABS）隨溫度的升高呈現(xiàn)顯著降低趨勢（圖3，D）。

另外，從圖4，A 中可以看出，軟棗獼猴桃葉片捕獲的激子將電子傳遞到電子傳遞鏈中QA－下游電子受體的概率（ψ0）隨著溫度升高而逐漸升高，但在52℃時則顯著降低；隨高溫處理時間延長，ψ0 則逐漸下降（圖4，B）。說明較高溫度或較長的處理時間會對PSⅡ受體側(cè)造成嚴(yán)重的抑制或傷害。

2．3 高溫脅迫對軟棗獼猴桃葉片PSⅡ能量分配的影響

圖2 熱脅迫溫度和時間對軟棗獼猴桃葉片葉綠素Vt 和ΔVt 曲線的影響Fig．2 The curves VtandΔVton leaves of A．a(chǎn)rguta under different high temperatures and stress times

圖3 熱脅迫溫度和時間對K、J、I點的相對可變熒光（Vk、Vj、Vi）和吸收光能為基礎(chǔ)的性能指數(shù)（PIABS）的影響Fig．3 Effects different temperatures and different treatment times on ratio of relative variable fluorescence（Vk，Vj，Vi）and performance index（PIABS）

圖4 不同溫度不同處理時間下葉片捕獲的激子將電子傳遞到電子傳遞鏈中QA－下游的電子受體的概率（ψ 0）Fig．4 Changes in the probability that a trapped exciton moves an electron further than QA－（ψ 0）by trapped exciton of leaf in different temperatures and different times

表1 不同溫度對軟棗獼猴桃葉片葉綠素?zé)晒鈪?shù)ABS／RC、TR0／RC、ET0／RC、DI0／RC和RC／CS的影響Table 1 Effects of different temperatures on fluorescence parameters of ABS／RC，TR0／RC，ET0／RC，DI0／RC and RC／CS in A．a(chǎn)rguta

由表1可看出，受高溫脅迫處理的軟棗獼猴桃葉片單位反應(yīng)中心吸收的能量（ABS／RC）隨溫度的升高而增加，但捕獲（TR0／RC）和用于電子傳遞（ET0／RC）的能量則先隨溫度升高而增加，但當(dāng)溫度升高到52℃時則下降。這表明高溫脅迫后導(dǎo)致葉片單位面積部分反應(yīng)中心失活，有活性反應(yīng)中心的數(shù)量（RC／CS）減少（表1），單位有活性的反應(yīng)中心被迫接受更多的光能，單位有活性的反應(yīng)中心的性能有所增加，但高溫仍然會造成單位面積上的光能利用率降低。其原因可能是單位反應(yīng)中心效率的增加幅度小于單位面積反應(yīng)中心的數(shù)量RC／CS的下降幅度。另外，在52℃高溫時，TR0／RC和ET0／RC 顯著降低，說明電子受體側(cè)在更高溫度下才可能受到嚴(yán)重的傷害，造成電子傳遞受到抑制，致使每個反應(yīng)中心激發(fā)能耗散增加［11］。

3 討 論

3．1 熱脅迫對軟棗獼猴桃葉片放氧復(fù)合體的影響

很多研究表明，電子傳遞鏈供體側(cè)的放氧復(fù)合體對熱處理特別敏感，在對大麥、蘋果、堿蓬、小麥以及藻類的高溫處理中［12－17］，都觀察到PSⅡ電子供體尤其是放氧復(fù)合體受到高溫的抑制和損害，出現(xiàn)明顯的K 點。但Tóth等［18］研究表明，對大麥葉片經(jīng)短暫的熱處理后，再在室溫中經(jīng)過較長時間的恢復(fù)，則K 點消失。同時，高溫處理的時間不同也會影響K 相的出現(xiàn)，如有的研究處理時間多達180min，這必然會對放氧復(fù)合體造成傷害。在本研究中，對軟棗獼猴桃葉片高溫處理后，PSⅡ電子供體側(cè)受到抑制，常溫水浴恢復(fù)后并沒有觀察到明顯的K 點，這可能由于所用軟棗獼猴桃葉片的特殊性以及熱脅迫處理時間和熱脅迫后的恢復(fù)能力等因素造成的，但如果在高溫脅迫后立即暗適應(yīng)則觀察到明顯的K點，這說明高溫脅迫后放氧復(fù)合體在脅迫的一定范圍內(nèi)可以經(jīng)過較長時間得以恢復(fù)，但如果脅迫溫度很高或脅迫時間很長則會對放氧復(fù)合體以及電子受體側(cè)造成不可逆?zhèn)Α?/p>

3．2 熱脅迫對軟棗獼猴桃葉片電子傳遞鏈不同位點的影響

近些年來，一些研究表明，用Fv／Fm來評價光系統(tǒng)活性對脅迫的反應(yīng)往往是片面的，甚至是錯誤的［6，14，19］。Wen等［3－4］認(rèn)為Fv／Fm并不能準(zhǔn)確地揭示PSⅡ活性的變化，作為潛在的最大光化學(xué)效率，它僅僅反映了有活性反應(yīng)中心對光能的捕獲效率［20］，而源于JIP－test的熒光參數(shù)對脅迫反應(yīng)更敏感［14］。前人研究認(rèn)為當(dāng)Vj和Vi上升時，表示電子傳遞鏈?zhǔn)茏?，這主要歸因于QA－的積累和PQ 庫氧化還原反應(yīng)受限［21］。本研究的結(jié)果表明，軟棗獼猴桃葉片Vj和Vi隨熱脅迫溫度升高而呈現(xiàn)先降低后升高的趨勢，它們在不同溫度下相對于Fv／Fm都有顯著的變化，而且都在52℃時有較大轉(zhuǎn)變。這表明對于軟棗獼猴桃而言，只有當(dāng)溫度上升到一定程度時，PSⅡ受體側(cè)電子傳遞才會受到顯著地抑制。同時，ψ0 是對PSⅡ電子傳遞的綜合評價之一，受PSⅡ供體側(cè)的電子供應(yīng)能力和受體側(cè)（包括PSⅠ）接收電子的能力制約，其在本研究中呈現(xiàn)先升高后降低的趨勢，同樣表明了軟棗獼猴桃葉片只有受到更高溫度的脅迫時，才會顯著抑制光合電子向QA以后的電子傳遞體繼續(xù)傳遞。然而，本研究中Vk則隨溫度升高而緩慢增加，在52℃顯著增加，說明PSⅡ供體側(cè)對高溫響應(yīng)的敏感性高于受體側(cè)，其活性隨著溫度的升高逐漸受到抑制。這些結(jié)果均表明，在Fv／Fm近似一致的情況下，高溫脅迫對PSⅡ的能量分配已經(jīng)產(chǎn)生了顯著的影響，電子傳遞鏈的不同位點對不同的溫度有顯著不同的反應(yīng)，供體側(cè)在高溫下受到的傷害較受體側(cè)更為嚴(yán)重。

綜上所述，高溫脅迫會引起軟棗獼猴桃葉片PSⅡ電子傳遞鏈供體側(cè)和受體側(cè)受到傷害，但供體側(cè)對高溫更加敏感；與JIP－測定的相關(guān)參數(shù)相比，F(xiàn)v／Fm不能有效地評價光系統(tǒng)活性對熱脅迫的反應(yīng)，也不能對PSⅡ的異質(zhì)性提供全面有效的信息。

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