無機納米雜化聚酰亞胺薄膜耐電暈性能研究進展
2015-06-23 18:12:43惠秋芳楊春李華強
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報 2015年1期
惠秋芳 楊春 李華強
摘要：隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，脈寬調(diào)制逆變器被廣泛應(yīng)用，變頻電機中絕緣材料因電暈過旱失效的情況，強烈要求耐電暈性能更佳的絕緣材料.納米雜化聚酰亞胺（PI）是目前最佳的耐電暈性能材料之一，是目前電氣、材料、物理和化學(xué)領(lǐng)域的研究熱點.綜述了納米雜化PI耐電暈薄膜的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，分類介紹了Al2O3，TiO2，SiO2等不同種納米顆粒摻雜PI的耐電暈性能，并初步概括了其電場作用下的老化和現(xiàn)有的耐電暈機理和模型.總體來看，研究材料載流子輸運和電老化的起始、抑制機理，納米顆粒摻雜對基體的電暈老化影響的規(guī)律，開發(fā)出更高絕緣等級和耐電暈的PI的依然有具有十分重要的科學(xué)意義和實用價值.
關(guān)鍵詞：聚酰亞胺；耐電暈；納米摻雜；電老化；絕緣
DOI：10.15938/j.jhust.2015.01.005
中圖分類號：TM215 文獻標志碼：A 文章編號：1007-2683（2015）01-0020-06
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