無心

IBM宣布在超密計算機芯片工藝上取得了一項重大突破，已經成功研制出了7nm芯片的可工作樣品，這項技術最大的變革在于，其采用的是鍺硅材料以及極紫外光刻技術（EUV）。

這項技術由IBM、Global Foundries、三星和紐約州立大學理工學院納米工程系聯手完成，一共投資了30億美元。鍺硅這種新材料有望讓晶體管的通斷變得更快，同時功耗更低。而這種微尺寸的晶體管也表明了業(yè)界迫切需要新的材料和新的制造技術，才能夠進一步地發(fā)展。根據IBM官方的說法，采用新材料及技術可以給芯片帶來50%的性能提升。

IBM還表示，未來完全有可能研制出200億顆晶體管的微處理器。這一消息確實很令人振奮，不過需要注意的是，IBM已經于日前將旗下芯片業(yè)務賣給Global Foundries，所以其相關技術都已授權給后者。

事實上，在14nm工藝之后，業(yè)界普遍認為半導體工藝已經逐漸停滯，與此同時大家也在質疑存活了50年的摩爾定律是不是已經過時了。

以英特爾為例，其早就宣稱有能力達到7nm的高度。但是結果呢，其最近基帶處理器接連出現跳票延遲推出，撇開7nm不說，其10nm在不久前已經宣告了無限期跳票，這對一直在工藝上領先的英特爾來說確實有些難堪。除了英特爾，三星和臺積電兩家廠商也在逼近10nm這一難關，現在還不能斷言這是不是個死胡同，但14nm跨越到10nm確實是一個坎。

可以說，IBM通過全新的材料以及全新的技術已經率先取得了突破，盡管IBM的新型芯片仍處于研究階段，但它有望讓摩爾定律至少延續(xù)到2018年。更值得期待的是“藍色巨人”何時實現7nm的商用。

最后，業(yè)界還必須應對極紫外線（EUV）光刻在接近于原子尺寸時該如何轉型。此前，英特爾表示有方法抵近7nm制程，不過該公司并未表示這一代芯片是否有可能到來。IBM亦拒絕對“這項技術將于何時開始商業(yè)化生產”置評。臺積電已在今年表示其計劃于2017年開始試產7nm芯片，不過該公司并未像IBM一樣拿出原型芯片。而新一代極紫外光刻設備能否滿足長曝光時間的要求，將成為高速制造業(yè)務的關鍵。因為即使最輕微的震動，都會對光蝕刻線路造成破壞，所以業(yè)內不得不專門建造一座“絕對穩(wěn)定”的建筑，以便將震動和設備隔絕開來。

IBM方面表示，財團現已看到使用極紫外光刻的商業(yè)制造業(yè)務上的一種途徑。該公司半導體研究副總裁穆克什·哈雷（Mukesh Khare）表示：“迄今為止的演示都發(fā)生在研究實驗室里，而不是一座生產工廠中。與業(yè)界計劃于下一年引入的10nm技術相比，我們最終的目標是將電路尺寸再縮減上50%?！?/p>