謝 丹 ,王 俊 ,陳永凌
(1.武警黃金十二支隊(duì) 四川 成都 610059; 2.中國水電顧問集團(tuán)昆明勘測設(shè)計(jì)研究院 云南 昆明 65000)
陽山金礦帶位于西秦嶺南亞帶,地理位置位于甘肅省文縣境內(nèi)。經(jīng)過多年的勘察工作,在礦帶內(nèi)已發(fā)現(xiàn)金礦脈近百條,該礦帶近東西向展布,自西向東分為六個(gè)礦段:泥山、葛條灣、安壩、高樓山、陽山、張家山礦段(閻鳳增等,2010)。目前為止,所勘探的資源量大部分集中于安壩礦段,達(dá) 280t,而產(chǎn)出面積僅為3km2左右。研究區(qū)區(qū)內(nèi)構(gòu)造復(fù)雜,斷裂發(fā)育較多,而斷裂為主要控礦要素,因此對(duì)斷裂的研究顯得格外重要。
陽山金礦帶位于西秦嶺勉略構(gòu)造帶內(nèi),夾持于揚(yáng)子板塊,華北板塊與松潘-甘孜褶皺系之間,位于東西向秦嶺復(fù)合型大陸造山帶西端的南亞帶(曾佐勛,張國偉等,齊金忠等)。自晚古生代以來,西秦嶺經(jīng)歷了晚古生代末-三疊紀(jì)的俯沖-碰撞造山和中新生代時(shí)期的陸內(nèi)造山作用改造,發(fā)生了多期次大規(guī)模金元素聚集,形成了我國重要的金礦集中區(qū)(陳衍景,楊志華等)。該地區(qū),已發(fā)現(xiàn)一大批金礦床,它們在時(shí)空分布和成因上均受控于區(qū)域深大斷裂帶,表現(xiàn)出明顯的構(gòu)造成礦專屬性。陽山金礦帶位于川甘陜“金三角”地區(qū)南中部的甘肅省文縣境內(nèi),在大地構(gòu)造位置上處于秦嶺造山帶西段的南亞帶,即位于碧口微板塊以北、松潘-甘孜褶皺系以東、秦嶺微板塊西段的中南部邊緣(圖1)。
圖1 西秦嶺一帶大地構(gòu)造略圖(據(jù)張國偉,2003)
區(qū)內(nèi)以文縣弧形構(gòu)造為主,它由許多近平行的斷裂構(gòu)成(圖 2),包括松柏-梨坪斷裂、安昌河-觀音壩斷裂、馬家磨-魏家壩斷裂、白馬-臨江斷裂。陽山金礦床即位于安昌河-觀音壩斷裂帶中,該斷裂呈NEE走向,向北傾,傾角50°~70°。斷裂帶內(nèi)褶皺較為發(fā)育,而且在褶皺翼部有一系列次級(jí)層間剪切帶或斷裂伴生,其產(chǎn)狀與地層產(chǎn)狀近于一致,金礦體主要賦存于這些次級(jí)層間剪切帶或斷裂中。
圖2 文縣弧形構(gòu)造略圖(據(jù)杜子圖等,1998)
區(qū)內(nèi)出露的巖石類型主要有:元古宙碧口群碳酸鹽巖、硅質(zhì)砂巖、千枚巖、灰?guī)r、板巖及綠片巖等,泥盆系砂巖、板巖、千枚巖、灰?guī)r、含鐵石英巖等,石炭系、二疊系灰?guī)r、白云巖、砂巖、板巖等。此外,還出露少量三疊系、侏羅系地層,以碎屑巖為主[1]。
礦區(qū)內(nèi)出露的地層主要為泥盆系第三、四巖性段的一套千枚巖、砂巖和灰?guī)r,其中礦體主要賦存于第三巖性段的千枚巖中(圖2)。
表1 介質(zhì)物性參數(shù)表
礦區(qū)以原生礦石為主,其類型主要有:蝕變碎裂砂巖型、蝕變碎裂千枚巖型、蝕變碎裂灰?guī)r型和蝕變碎裂斜長花崗斑巖型 4種,均屬于脆性剪切帶蝕變巖型礦石類別。
測區(qū)內(nèi)斷裂帶的巖性主要為含炭泥質(zhì)千枚巖、蝕變斜長花崗斑巖、礫巖、灰?guī)r,而斷裂帶內(nèi)的填充物主要為碎裂巖、構(gòu)造礫巖組成,表現(xiàn)為低電阻率,為開展高密度電法[1]、瞬變電磁法的開展提供了先決條件(表1)。
根據(jù)本區(qū)工程地質(zhì)特征、地形條件,針對(duì)物探勘察任務(wù),結(jié)合試驗(yàn)成果,斷裂帶發(fā)育規(guī)模的探測以瞬變電磁法(TEM)和高密度電法為主。對(duì)有異常的地段,采用兩種或兩種以上的綜合物探方法進(jìn)行探測,以確??辈斐晒目煽啃院蜏?zhǔn)確性。本次探測采用了以地質(zhì)為先導(dǎo),利用高密度電法、瞬變電磁法[2]兩種物探方法進(jìn)行探測。
圖3 高密度電法野外布置示意圖
3.1.1 基本原理
高密度電法主要用于淺部礦產(chǎn)和工程方面[3],測量地下地質(zhì)體的視電阻率,它結(jié)合了電測深與電剖面的特點(diǎn),利用電腦程序控制,可以進(jìn)行多觀測點(diǎn)測量,能獲得大量的地下電性信息,能夠相對(duì)詳細(xì)地尋找水平和垂直方向上的電性異常的電法勘探手段。
高密度電法是主要采用陣列布置利用電腦程序控制進(jìn)行剖面測量和深度測量[4],被稱為自動(dòng)電阻率系統(tǒng),它依然屬于直流電法范疇,結(jié)合了對(duì)稱四極測深與電剖面法的特點(diǎn)。利用供電電極向地下供電產(chǎn)生直流電場,直流電場的分布受地下導(dǎo)電介質(zhì)的視電阻率ρs的影響。進(jìn)行測量時(shí),電極間距采用AM=MN=NB=AB/3,A、M、N 、B四個(gè)電極同時(shí)向右平移,再計(jì)算出第一層剖面的視電阻率;然后增大AM、MN、NB的電極距,A、M、N 、B四個(gè)電極同時(shí)向右平移,再計(jì)算出第一層剖面的視電阻率;依此類推,就可以得到不同深度和不同位置的視電阻率,然后根據(jù)地下介質(zhì)視電阻率的不同特點(diǎn)推斷地下地質(zhì)體異常。
3.1.2 現(xiàn)場工作技術(shù)
本次高密度電法采用5~10m電極距,測線長度的不同利用不相同的電極數(shù)測量,測線的銜接一般選取40~56根電極進(jìn)行重復(fù)觀測。
高密度電法現(xiàn)場施工采取先試驗(yàn)后工作的方式進(jìn)行,正式工作開展之前,在已知斷面和地質(zhì)先導(dǎo)的基礎(chǔ)上進(jìn)行試驗(yàn),選擇合理的工作參數(shù),結(jié)合試驗(yàn)的工作經(jīng)驗(yàn),作為本次高密度電法探測的工作參數(shù)。在實(shí)施工作中,對(duì)每根電極都進(jìn)行了全面檢查,并進(jìn)行了澆水,改善接地條件。
3.2.1 基本原理
瞬變電磁法(TEM)是采取不接地回線或者接電線源往地下介質(zhì)發(fā)射一次脈沖磁場[5],在一次脈沖磁場的間歇期間,接收線圈或接地電極觀測二次渦流場的方法,其數(shù)學(xué)物理基礎(chǔ)是基于導(dǎo)電介質(zhì)在階躍變化的激勵(lì)磁場激發(fā)下引起的渦流場[6]。
3.2.2 現(xiàn)場工作技術(shù)
本次工作采用瞬變電磁法[7](TEM)查明斷裂帶發(fā)育規(guī)模。在研究區(qū)內(nèi)布置了2條瞬變電磁法剖面,主剖面探測樁號(hào)0~1000m,輔助剖面探測樁號(hào) 0~1000m,測距50m。
圖4 TEM法探測斷裂帶發(fā)育位置
測區(qū)構(gòu)造巖由千枚巖成分的碎裂巖、構(gòu)造礫巖和蝕變斜長花崗斑巖組成,輔助剖面的構(gòu)造巖是由千枚巖成分的碎裂巖和蝕變斜長花崗斑巖組成。斷裂帶視電阻率值一般在50~300Ω·m之間。
4.2.1 瞬變電磁法(TEM)
主剖面在樁號(hào)250~550m處,瞬變電磁法出現(xiàn)低電阻率帶,推測為斷裂帶東盤和西盤,東盤斷裂面向西陡傾;西盤斷裂面向東陡傾;斷裂面寬度300m左右。
輔助剖面斷裂帶發(fā)育規(guī)模:斷裂面東盤位置在樁號(hào)490m左右,斷裂面向西傾,傾角 60o左右;斷裂面西盤位置在樁號(hào)990m,斷裂面向東陡傾;在輔助剖面位置斷裂帶寬度500m(剖面斜距)。典型斷裂帶發(fā)育位置見圖4。
4.2.2 高密度電法
圖5 高密度電法探測斷裂帶發(fā)育位置
主剖面樁號(hào)360m~570m段,發(fā)現(xiàn)明顯的低電阻率異常區(qū)域,其視電阻率小于400Ω.m,經(jīng)分析樁號(hào)570m位置為該斷裂帶西盤破裂面位置。
輔助剖面樁號(hào)530m~755m段,發(fā)現(xiàn)明顯的低電阻率異常區(qū)域,其視電阻率小于100Ω.m,經(jīng)分析樁號(hào)530m位置為該斷裂帶東盤破裂面位置(圖5)。
1)斷裂帶東盤破裂面位置在剖面的250m樁號(hào),斷裂破裂面近于直立,西盤破裂面位置在剖面的550m樁號(hào),斷裂破裂面向東陡傾,斷裂破裂帶寬度300m。
2)經(jīng)鉆孔驗(yàn)證,在260m樁號(hào)點(diǎn)存在斷裂,斷裂破裂面傾角約80度左右;在560m樁號(hào)點(diǎn)存在斷裂,斷裂破裂面向東傾,斷裂破裂帶寬度270m。通過測試,證明兩種物探方法具有一定的指導(dǎo)意義。
3)在對(duì)未知地質(zhì)體進(jìn)行解釋時(shí),采用不同性質(zhì)物探的方法可以獲得不同的認(rèn)識(shí),要獲得較高的解釋正確性[8],一般是盡可能選用多種有效的物探方法。
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