日立金屬開發(fā)出新型磁芯材料

日立金屬公司開發(fā)出了高頻特性出色的錳鋅（Mn-Zn）類鐵氧體磁芯材料“ML95S”和“ML90S”。新材料在幾兆赫茲高頻范圍內(nèi)的磁芯損耗較小，可使網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、汽車以及智能手機(jī)配備的部件實(shí)現(xiàn)小型化和節(jié)能化。

此前也有過(guò)在0.5～5MHz的高頻范圍采用鎳鋅（Ni-Zn）類鐵氧體材料的討論，日立金屬此次通過(guò)組合使用粉末控制技術(shù)和熱處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了與Ni-Zn類鐵氧體材料相比飽和磁通密度更高、磁芯損耗更小的Mn-Zn類鐵氧體材料。這種材料在接近實(shí)際使用的高溫環(huán)境下（80～100℃）的磁芯損耗較小，因此可以抑制功耗和發(fā)熱量。采用該材料后，可使變壓器和電感器支持高頻化和大電流化，實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的小型化和節(jié)能化。今后，日立金屬還計(jì)劃把這款材料用于汽車電裝部件和便攜終端。

ML95S在500kHz～2MHz的頻率范圍內(nèi)，尤其是在50mT以上的高磁通密度范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)時(shí)，損耗較小。比如，在頻率為1MHz、磁通密度為75mT（100℃）時(shí)，ML95S的磁芯損耗僅為原產(chǎn)品“MB28D”的1/3左右。ML90S在1MHz～5MHz的頻率范圍內(nèi)，尤其在50mT以下的磁通密度范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)時(shí)，損耗較小。當(dāng)頻率為2MHz、磁通密度為50mT（100℃）時(shí)，其磁芯損耗約為MB28D的1/5。

日立金屬將在日立Ferrite電子公司總部和日立金屬（香港）有限公司廣東番禺工廠生產(chǎn)這種新材料。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

名古屋大學(xué)開發(fā)出可在150℃下穩(wěn)定工作的雙電層電容器

雙電層電容器一般采用水類或有機(jī)物類電解液作為電解質(zhì)。因此，工作溫度必然被限制在電解液沸點(diǎn)以下的80℃。此次，日比野教授的研究小組采用了一種高耐熱性離子導(dǎo)電陶瓷——焦磷酸亞錫作為電解質(zhì)。焦磷酸亞錫的導(dǎo)電率超過(guò)0.01s/cm，因此可在從室溫到200℃的大溫度范圍內(nèi)高速傳導(dǎo)氫離子。另外，這種材料還可承受約2V的電壓。研究人員將焦磷酸亞錫與市售的聚合物混合、軋延，制成了薄膜狀電解質(zhì)。

用這種電解質(zhì)試制的電容器進(jìn)行充放電試驗(yàn)，獲得了在150℃的工作溫度下穩(wěn)定充放電7 000次的結(jié)果。日比野表示，“改良品的質(zhì)量能量密度提高到了 60Wh/kg左右，超過(guò)了鉛蓄電池”。這項(xiàng)研究是與名古屋工業(yè)大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授川崎晉司共同開展的。實(shí)際上，這種焦磷酸亞錫的用途不僅限于電容器。日比野等人還準(zhǔn)備將其應(yīng)用于燃料電池，目標(biāo)是以“Rechargeable Fuel Cell（RFC）”方式實(shí)現(xiàn)“不需要?dú)淙剂瞎薜娜剂想姵剀嚒?。電解質(zhì)層采用焦磷酸亞錫，負(fù)極采用通過(guò)表面處理可以儲(chǔ)存氫氣的碳。通過(guò)在碳表面添加氧化還原活性物，使其能夠吸附和釋放氫氣。研究小組已制成了燃料電池。試制品的質(zhì)量能量密度為107Wh/g。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

美國(guó)AVX公司推出新型高壓開關(guān)電源電容器

美國(guó)AVX公司推出無(wú)鉛化的RV系列高壓、雙列直插式堆疊開關(guān)電源電容器，可用于功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)、馬達(dá)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器以及醫(yī)療光譜測(cè)定等領(lǐng)域。該系列產(chǎn)品的電壓從1000～5000V不等，電容值范圍從100pF～15μF，該RV系列功率電子器件具有較低的等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感，很小的自留泄漏電流，可通過(guò)較大電流，高頻特性好，電容隨頻率變化小。RV系列產(chǎn)品有3種電介質(zhì)（C0G、N1500以及X7R）、6種尺寸、從0.30～1.65mm共5種最大高度，適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)合。

該系列電容產(chǎn)品適用于光譜儀、超聲器、CT以及核磁共振等儀器電源中交直流轉(zhuǎn)換器的交流輸入線，也可以用于發(fā)射器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器等高壓信號(hào)放大器的換能器件。而且，多種無(wú)鉛RV電容產(chǎn)品也能在高壓開關(guān)電源中用于輸入輸出濾波和大容量?jī)?chǔ)能電容器、隔直電容器，在交流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和直流交流驅(qū)動(dòng)逆變器中作為直流連接電容器，在直流變換器和交直流變換器中作為功率調(diào)節(jié)電容器，在交流感應(yīng)馬達(dá)中作為啟動(dòng)與運(yùn)行電容器。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

TE Connectivity推出MHPTAM系列鋰電池?zé)岜Ｗo(hù)器件

日前，TE Connectivity旗下業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部推出MHPTAM系列器件，幫助大容量鋰聚合物和柱狀電池供電的超薄筆記本電腦和其他便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品滿足日益嚴(yán)格的安全標(biāo)準(zhǔn)。MHP-TAM系列器件具有超低側(cè)高（5.8mm×3.85mm×1.15mm）封裝和高額定電壓（9VDC）特性，并且提供2種不同的載流容量和多種截止額定溫度選擇，能夠幫助設(shè)計(jì)人員滿足嚴(yán)苛的消費(fèi)電子產(chǎn)品峰值電流需求，是節(jié)省空間的熱關(guān)斷（thermal cutoff，TCO）解決方案。MHP-TAM器件使用金屬混合聚合物正溫度系數(shù)（metal hybrid PPTC，MHP）技術(shù)，采用并聯(lián)方式連接一個(gè)PPTC器件和一個(gè)雙金屬片保護(hù)器。在電池應(yīng)用中，MHP-TAM器件幫助提供可重置的過(guò)熱保護(hù)，在偵測(cè)到故障時(shí)關(guān)斷電池，并在故障消除時(shí)重置。MHP-TAM系列器件具有（范圍為72～90℃典型值）的不同打開溫度，適合電池市場(chǎng)。它們還提供2種保持電流水平：低電流（在25℃下大約為6A）和大電流（在25℃下大約為15A）。（電子產(chǎn)品世界）

美國(guó)能源部宣布將投入2 000萬(wàn)美元開發(fā)“下一代電機(jī)”先進(jìn)組件

近日，美國(guó)能源部網(wǎng)站披露，美國(guó)能源部計(jì)劃投資2 000萬(wàn)美元用于支持開發(fā)高速工業(yè)級(jí)電機(jī)及驅(qū)動(dòng)器，新型電機(jī)將采用高功率密度設(shè)計(jì)和集成電力電子技術(shù)來(lái)提高其效率。

工業(yè)部門的用電量超過(guò)美國(guó)發(fā)電總量的1/4，預(yù)計(jì)截至2040年，用電量還將增加約30%。因此，利用下一代電機(jī)替代效率較低的恒速電機(jī)及使用變速直驅(qū)電機(jī)系統(tǒng)的齒輪箱，并結(jié)合近年來(lái)電力電子技術(shù)的發(fā)展，如寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，將有助于工業(yè)部門節(jié)約能源成本、提高競(jìng)爭(zhēng)力。WBG組件可用于控制或?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為可用功率，能夠工作在更高的溫度、電壓和頻率條件下，而且比硅系組件更加耐用、可靠。事實(shí)上，WBG系統(tǒng)電子相關(guān)產(chǎn)品的廣泛使用將節(jié)約2%～4%的工業(yè)用電及數(shù)十億美元。

能源部計(jì)劃通過(guò)下一代電機(jī)（兆瓦級(jí)電機(jī)資助機(jī)會(huì)）計(jì)劃選擇4～6個(gè)項(xiàng)目，對(duì)WBG變速驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行演示驗(yàn)證。能源部期望通過(guò)這些項(xiàng)目在化學(xué)及石油冶煉行業(yè)、天然氣基礎(chǔ)設(shè)施及一般工業(yè)壓縮機(jī)（如HVAC系統(tǒng)、制冷和污水泵）的應(yīng)用，減少30%的系統(tǒng)損失和50%的體積。所選項(xiàng)目組將開發(fā)的集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)部件包括：前端功率處理單元；基于WBG半導(dǎo)體的中等電壓等級(jí)變速驅(qū)動(dòng)器；可直接驅(qū)動(dòng)工業(yè)負(fù)載的高速電機(jī)。（中國(guó)航空工業(yè)發(fā)展研究中心）

Synaptics發(fā)布厚度1mm的全新觸控傳感器

Synaptics公司日前宣布，推出用于超薄型筆記本電腦和2合1平板電腦玻璃蓋板的新一代ForecePad解決方案。通過(guò)采用最新傳感器技術(shù)、用可選先進(jìn)觸摸功能檢測(cè)手指觸力，Synaptics ForcePad5.0解決方案提供厚度不到1mm的最新全功能觸控板傳感器，可用來(lái)實(shí)現(xiàn)10mm或更薄的筆記本電腦設(shè)計(jì)。

Synaptics ForcePad5.0用固態(tài)觸力傳感器取代了機(jī)械點(diǎn)擊式傳感器，其厚度僅為1mm，顯著薄于、輕于以前各代產(chǎn)品，因此與以前使用ClickPad時(shí)相比，領(lǐng)先設(shè)備制造商現(xiàn)在能夠開發(fā)出更薄、更輕的筆記本電腦設(shè)計(jì)。（Synaptics公司）

美國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)超高電子遷移率Wigner晶體

科學(xué)家不斷試著實(shí)現(xiàn)諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主尤金·維格納的夢(mèng)想，最近終于發(fā)現(xiàn)如何在硅晶封裝的量子阱底部產(chǎn)生純電子的結(jié)晶晶格。研究人員所取得的這種物質(zhì)據(jù)稱可實(shí)現(xiàn)比石墨稀更高200倍以及比晶矽更高170倍的電子遷移率。

截至目前為止，這項(xiàng)研究工作還處于基礎(chǔ)物理的程度，但如果研究人員持續(xù)在這方面取得進(jìn)展，預(yù)期將可以為半導(dǎo)體領(lǐng)域開啟重要應(yīng)用之門。

“我們還沒有為實(shí)際應(yīng)用做好準(zhǔn)備，目前這還只是基礎(chǔ)科學(xué)。我們致力于尋找在1934年理論上所預(yù)測(cè)及其后追尋的量子Wigner晶體。利用這些新研發(fā)的樣本，我們應(yīng)該能夠‘是或否的問(wèn)題，”美國(guó)東北大學(xué)（NortheasternUniversity）教授SergeyKravchenko表示。

根據(jù)研究人員描述這項(xiàng)研究，由于原子并不受到量子阱的限制，但電子則相反。因此，這項(xiàng)研究有效地建造出一種電子“氣體”，使其粒子可在室內(nèi)環(huán)境中像分子一樣正常地彈跳。然而，在適當(dāng)?shù)臈l件下，即電子氣體結(jié)晶成為晶格，實(shí)現(xiàn)240萬(wàn)cm2/Vs的電子遷移率；相形之下，石墨稀的電子遷移率約為1萬(wàn)cm2/Vs，而硅的電子遷移率為140cm2/Vs。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無(wú)引線（QFN）封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和2個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。

全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。

TI高壓電源解決方案業(yè)務(wù)部副總裁Steve Lambouses表示：“過(guò)去基于GaN的電源設(shè)計(jì)面對(duì)的一大挑戰(zhàn)是與驅(qū)動(dòng)GaN FET有關(guān)的不確定性，以及由封裝方式和設(shè)計(jì)布局布線所導(dǎo)致的寄生效應(yīng)。我們將采用先進(jìn)、易于設(shè)計(jì)封裝的經(jīng)優(yōu)化集成模塊、驅(qū)動(dòng)器和高頻控制器，組成的完整、可靠電源轉(zhuǎn)換生態(tài)系統(tǒng)，從而使設(shè)計(jì)人員可以充分實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)在電源應(yīng)用方面的全部潛能。”（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)）

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂推出GaN功率器件

日前，英飛凌科技股份公司和松下電器公司共同宣布，2家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式（增強(qiáng)型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，2家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶可以從2條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。

IHS發(fā)布的市場(chǎng)研究報(bào)告顯示，與硅基板GaN技術(shù)相關(guān)的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，將以高達(dá)50%以上的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，也就是說(shuō)，到2023年，其市場(chǎng)容量將從2014年的1 500萬(wàn)美元增至8億美元。

英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌致力于為客戶提供各式各樣、出類拔萃的產(chǎn)品和技術(shù)組合，包括可靠的GaN功率器件。我們堅(jiān)信，增強(qiáng)模式硅基板GaN開關(guān)器件，結(jié)合我們相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器和優(yōu)化驅(qū)動(dòng)方案，將為客戶創(chuàng)造價(jià)值，同時(shí)，這種雙重貨源概念將幫助客戶管理和穩(wěn)定其供應(yīng)鏈。”（電子產(chǎn)品世界）

美光“超級(jí)”存儲(chǔ)新品啟動(dòng)下一代汽車系統(tǒng)

美光科技有限公司日前宣布推出超可靠、超快速和適用于超高溫環(huán)境的并行NOR閃存和低功耗DDR4（LPDDR4）DRAM，以滿足汽車行業(yè)對(duì)于存儲(chǔ)設(shè)備越來(lái)越高的要求。美光G18 NOR系列產(chǎn)品提供了業(yè)界性能最卓越的并行NOR，而汽車級(jí)LPDDR4解決方案更是業(yè)界首創(chuàng)。

這些新品滿足了汽車應(yīng)用對(duì)于超高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊?。美光G18系列產(chǎn)品所具有的卓越性能（266MB/s）讓高密度應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了更快速的啟動(dòng)和代碼執(zhí)行，而LPDDR4的峰值帶寬比DDR4高出33%。此外，這些解決方案具有長(zhǎng)期可靠性，均通過(guò)了ISO/ TS認(rèn)證——G18系列的通量速度比quad SPI NOR快3倍，而LPDDR4產(chǎn)品額外進(jìn)行了封裝級(jí)老化測(cè)試。超凡的溫度適應(yīng)范圍表現(xiàn)也是此次新推出產(chǎn)品的一大亮點(diǎn)——G18 NOR產(chǎn)品提供工業(yè)級(jí)溫度（IT）范圍（-40～85℃）和汽車級(jí)（AAT）溫度范圍（-40～105℃）選擇；LPDDR4產(chǎn)品提供汽車級(jí)工業(yè)溫度（AIT）范圍（- 40～95℃）選擇，并計(jì)劃于2016年提供業(yè)界最高的工作溫度范圍選擇——汽車級(jí)超高溫度（AUT）范圍（-40～125℃）。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

我國(guó)預(yù)計(jì)2015年向芯片業(yè)投資200億元

華芯投資總裁路軍近期透露，國(guó)家集成電路基金將于2015年在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域投資200億元，希望借奠定中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和建設(shè)產(chǎn)業(yè)生態(tài)的基礎(chǔ)。

路軍未透露更為具體的投資目標(biāo)，但是他表示，國(guó)家集成電路基金會(huì)重點(diǎn)投資芯片制造企業(yè)，也會(huì)兼顧芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、材料及應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的公司。國(guó)家集成電路基金會(huì)針對(duì)芯片行業(yè)開展長(zhǎng)期大額的投資，并且這只基金將會(huì)做產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期投資者。

據(jù)了解，國(guó)家集成電路基金在未來(lái)的投資中將優(yōu)先考慮股權(quán)投資，也會(huì)參與國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的投資、并購(gòu)和整合。未來(lái)，還有可能夠拿出一部分資金投資一些優(yōu)秀的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，或者參與地方政府的集成電路基金。

自2014年9月正式成立以來(lái)，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金頻頻出手，在芯片行內(nèi)進(jìn)行了一系列投資，其中包括31億港元參與中芯國(guó)際的增發(fā)、向紫光集團(tuán)投資100億元、參與A股企業(yè)長(zhǎng)電科技的收購(gòu)案等。國(guó)家集成電路基金采取公司制形式，該基金按照風(fēng)險(xiǎn)投資的方式進(jìn)行運(yùn)作，會(huì)擇機(jī)退出所投資的項(xiàng)目。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

我國(guó)設(shè)計(jì)的世界最高密度固態(tài)硬盤實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

日前，杭州電子科技大學(xué)微電子研究中心主任駱建軍教授和楚傳仁教授帶領(lǐng)的研究小組在電腦硬盤方面取得新突破，多年前設(shè)計(jì)成功的我國(guó)第一顆固態(tài)硬盤控制器芯片，目前已實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。

固態(tài)硬盤是目前半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展熱點(diǎn)，平板電腦、智能手機(jī)、云存儲(chǔ)都依賴于固態(tài)硬盤的發(fā)展，它將成為信息產(chǎn)業(yè)的核心支柱之一。據(jù)悉，駱建軍和楚傳仁的研究團(tuán)隊(duì)成功掌握了固態(tài)硬盤的核心技術(shù)，提出全新的eRAID陣列概念，并設(shè)計(jì)出固態(tài)硬盤（SSD）控制器芯片驅(qū)動(dòng)eMMC模塊陣列，使得固態(tài)硬盤密度提高了5倍，達(dá)到全球業(yè)界第一。在產(chǎn)業(yè)化方面，已由華瀾微科技有限公司實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，并已經(jīng)批量產(chǎn)出2.5英寸標(biāo)準(zhǔn)尺寸SSD盤（單塊電路板2.5TB）。

據(jù)悉，固態(tài)硬盤因?yàn)轶w積小、質(zhì)量輕、功耗小，尤其是抗震性好、速度快，成為軍事裝備、航空航天、移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)選數(shù)據(jù)存儲(chǔ)載體。駱建軍教授帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)開發(fā)出的中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的固態(tài)硬盤芯片，打破了依賴國(guó)外的被動(dòng)局面，達(dá)到了我國(guó)在信息存儲(chǔ)方面的自主、可控的要求，對(duì)我國(guó)信息安全做出了基礎(chǔ)性的重大貢獻(xiàn)。（人民網(wǎng)）

中科院海西研究院破“光芯片”核心技術(shù)

2014年底，中國(guó)科學(xué)院海西研究院通過(guò)籌建預(yù)驗(yàn)收。瞄準(zhǔn)國(guó)際科學(xué)前沿的原創(chuàng)成果基地、產(chǎn)業(yè)技術(shù)源頭創(chuàng)新基地等重要平臺(tái)，海西研究院加強(qiáng)原創(chuàng)前沿基礎(chǔ)研究，探索科技成果轉(zhuǎn)化模式，下設(shè)福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所、海西材料工程研究所等5個(gè)非法人研究所和2個(gè)中心，形成開放的“前沿科學(xué)—變革技術(shù)—產(chǎn)業(yè)示范”三者互動(dòng)的科技創(chuàng)新價(jià)值鏈。研究院籌建以來(lái)，已承擔(dān)了近500項(xiàng)國(guó)家和地方項(xiàng)目，科研經(jīng)費(fèi)達(dá)7億多元，為地方產(chǎn)業(yè)提供成果或技術(shù)轉(zhuǎn)移50多項(xiàng)。

研究院從源頭上突破了“光芯片”制備的核心技術(shù)，解決了我國(guó)光纖入戶“最后一公里”技術(shù)瓶頸，通過(guò)“人才團(tuán)隊(duì)+項(xiàng)目+成果”的成果轉(zhuǎn)化模式創(chuàng)新，組建了中國(guó)首家半導(dǎo)體激光器和探測(cè)器生產(chǎn)企業(yè)——中科光芯，其生產(chǎn)的“光芯片”產(chǎn)品填補(bǔ)了我國(guó)三網(wǎng)融合中核心器件產(chǎn)業(yè)的空白，服務(wù)于“寬帶中國(guó)”戰(zhàn)略實(shí)施。

不僅如此，該研究院還開發(fā)出替代傳統(tǒng)熒光粉、具有國(guó)際領(lǐng)先水平的透明陶瓷熒光體及其封裝等系列集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了LED產(chǎn)品的高光效、高可靠性、低成本；培育出國(guó)際首家規(guī)?；a(chǎn)LED透明陶瓷熒光體及光源的高科技企業(yè)——中科芯源，使我國(guó)LED企業(yè)具備與歐司朗、飛利浦等國(guó)際知名企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。（中國(guó)科學(xué)院）

華為攜手恩智浦半導(dǎo)體共同拓展工業(yè)4.0市場(chǎng)

華為技術(shù)公司與恩智浦半導(dǎo)體在日前德國(guó)漢諾威CeBIT 2015（漢諾威消費(fèi)電子、信息及通信博覽會(huì)）會(huì)場(chǎng)舉行的工業(yè)4.0圓桌會(huì)議上決定攜手共同開拓工業(yè)4.0中國(guó)與全球市場(chǎng)，深入開展技術(shù)合作與聯(lián)合創(chuàng)新，打造開放、健壯與安全的工業(yè)4.0ICT（信息和通信技術(shù)）平臺(tái)。該項(xiàng)共同決定標(biāo)志著華為技術(shù)公司與恩智浦半導(dǎo)體合作的一個(gè)嶄新里程碑。

工業(yè)4.0意味著將人、信息、物體相連接，機(jī)器進(jìn)入到統(tǒng)一的智能化網(wǎng)絡(luò)中，預(yù)計(jì)該技術(shù)可以自動(dòng)調(diào)試生產(chǎn)流程、節(jié)奏，自動(dòng)地修復(fù)故障，以更智能、更個(gè)性化的方式制造產(chǎn)品。作為雙方深化合作伙伴關(guān)系的一部分，華為和恩智浦將在物理層、網(wǎng)絡(luò)層以及網(wǎng)絡(luò)安全等領(lǐng)域進(jìn)行深入合作，結(jié)合雙方的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品與解決方案，將華為的ICT基礎(chǔ)設(shè)施和連接解決方案與恩智浦半導(dǎo)體的工業(yè)4.0安全連接解決方案充分結(jié)合，聚焦自動(dòng)化工廠、物流4.0、無(wú)線安全連接與傳感器網(wǎng)絡(luò)等工業(yè)4.0應(yīng)用領(lǐng)域，共同致力為大中國(guó)區(qū)及全球客戶提供業(yè)界領(lǐng)先的工業(yè)4.0網(wǎng)絡(luò)解決方案并給客戶帶來(lái)持續(xù)的價(jià)值。

IHS預(yù)測(cè)到2025年，工業(yè)4.0的興起將導(dǎo)致超過(guò)800億設(shè)備接入互聯(lián)網(wǎng)。中國(guó)也計(jì)劃在未來(lái)3年投資1.2萬(wàn)億歐元進(jìn)行工業(yè)的現(xiàn)代化和轉(zhuǎn)型，將中國(guó)從制造大國(guó)轉(zhuǎn)變?yōu)橹圃鞆?qiáng)國(guó)。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）