近年來，迅速發(fā)展起來的以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和氧化鋅（ZnO）等（還包括金剛石、氮化鋁）為代表的第3代半導(dǎo)體材料成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，可望成為支撐軍事和民用產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)新材料，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

著眼全球，歐美、日、韓等發(fā)達(dá)國家正在積極布局、出臺規(guī)劃，意圖搶占這一戰(zhàn)略制高點(diǎn)。而放眼國內(nèi)，我國經(jīng)過10多年的發(fā)展，以氮化物L(fēng)ED發(fā)光芯片為核心的半導(dǎo)體照明已經(jīng)在關(guān)鍵技術(shù)上取得長足進(jìn)展，成為第3代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化的第一個成功突破口，帶動了第3代半導(dǎo)體材料的光電子器件方面更廣泛深入的研究，并進(jìn)一步推動第3代半導(dǎo)體在電力電子器件、射頻功率器件方面的研究及產(chǎn)業(yè)化突破。

此外，國家在第3代半導(dǎo)體材料及器件的基礎(chǔ)性研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面積極布局，給予大力支持。9月9日，在國家科學(xué)技術(shù)部、工業(yè)和信息化部、北京市科學(xué)技術(shù)委員會的支持下，第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟宣告成立，旨在構(gòu)建產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈，形成全國合力，搶占在國際第3代半導(dǎo)體上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)。

經(jīng)過多年發(fā)展，我國電子工業(yè)持續(xù)高速增長，帶動電子元器件產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁發(fā)展。隨著4G、移動支付、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展，集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展期。我國在軍用相控陣?yán)走_(dá)、軍民兩用微波功率器件在以碳化硅、氮化鎵為主的第3代半導(dǎo)體材料發(fā)展的引領(lǐng)下更是進(jìn)入發(fā)展的快車道，將逐步縮小同科技發(fā)達(dá)國家的差距。

盡管發(fā)展任重道遠(yuǎn)，但在不遠(yuǎn)的未來，我國有望使第3代半導(dǎo)體成為搶占國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)的新利器，以此爭奪話語權(quán)，重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新格局。